[實用新型]氣浮平臺式晶圓加熱裝置有效
| 申請號: | 202320211440.6 | 申請日: | 2023-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN219476631U | 公開(公告)日: | 2023-08-04 |
| 發明(設計)人: | 陳永智;潘冬;王德友;付志良 | 申請(專利權)人: | 成都萊普科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京卓嵐智財知識產權代理有限公司 11624 | 代理人: | 蔡永波 |
| 地址: | 610095 四川省成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平臺 式晶圓 加熱 裝置 | ||
本申請提供一種氣浮平臺式晶圓加熱裝置,涉及半導體加工制備領域,包括氣浮式移動平臺和加熱機構。加熱機構包括基座、定位加熱盤和頂升組件,定位加熱盤和頂升組件均與基座連接,基座安裝于氣浮式移動平臺上。氣浮式移動平臺用于帶動加熱機構在相互垂直的第一方向和第二方向上移動。頂升組件用于帶動位于定位加熱盤上的晶圓升降。該加熱裝置結構簡單合理,不僅能夠實現晶圓的定位和加熱,還能夠帶動晶圓在設定方向上高精度運動,使用靈活便捷。
技術領域
本申請涉及半導體加工制備領域,具體而言,涉及一種氣浮平臺式晶圓加熱裝置。
背景技術
隨著經濟技術的飛速發展,市場對半導體需求的不斷增加,晶圓是制造半導體芯片的基本材料,晶圓的加工包括但不限于有激光退火、激光打標、激光誘導和激光劃線等,晶圓加工時需要先利用定位裝置進行定位,然后再進行相應的加工作業。如現有專利CN202021419019.7-分區吸附的晶圓加熱裝置及具有其的多工位點膠機公開的技術方案,晶圓通過真空吸附盤定位,在真空吸附盤下方設置有加熱器,吸附定位的同時能夠對晶圓進行加熱處理。發明人在研究中發現,現有的晶圓定位裝置實現晶圓定位后,無法帶動晶圓移動,操作不便,使用不便。
實用新型內容
本申請提供一種氣浮平臺式晶圓加熱裝置,以改善上述問題。
本實用新型具體是這樣的:
基于上述目的,本實施例提供了一種氣浮平臺式晶圓加熱裝置,包括:
氣浮式移動平臺和加熱機構,所述加熱機構包括基座、定位加熱盤和頂升組件,所述定位加熱盤和所述頂升組件均與所述基座連接,所述基座安裝于所述氣浮式移動平臺上,所述氣浮式移動平臺用于帶動所述加熱機構在相互垂直的第一方向和第二方向上移動;所述頂升組件用于帶動位于所述定位加熱盤上的晶圓升降。
在本實用新型的一種實施例中,所述定位加熱盤包括依次層疊設置的陶瓷盤體、加熱盤體和隔熱盤體,所述陶瓷盤體用于定位晶圓;所述加熱盤體用于將熱量傳遞至所述陶瓷盤體;所述隔熱盤體與所述基座連接。
在本實用新型的一種實施例中,所述陶瓷盤體上設置有連通的多個氣道,每個所述氣道的一端均位于所述陶瓷盤體的用于定位晶圓的盤面上,另一端均用于與真空泵連接。
在本實用新型的一種實施例中,所述隔熱盤體內部設置有水道,所述水道具有進水口和出水口,所述進水口和所述出水口均用于與水源連接。
在本實用新型的一種實施例中,所述加熱機構還包括擋光冷卻組件,所述擋光冷卻組件包括第一擋光板、第二擋光板和環形冷卻底座,所述第一擋光板和所述第二擋光板均與所述環形冷卻底座連接,所述第一擋光板與所述第二擋光板配合限定出避讓通孔;所述定位加熱盤同時穿設于避讓通孔和所述環形冷卻底座的中空區域;所述環形冷卻底座與所述定位加熱盤連接。
在本實用新型的一種實施例中,所述擋光冷卻組件還包括調節結構,所述調節結構同時連接于所述定位加熱盤和所述環形冷卻底座,用于調節所述環形冷卻底座的仰俯角和高度。
在本實用新型的一種實施例中,所述調節結構包括球形頭、球形桿、限位塊、螺母和彈性件,所述球形頭與所述球形桿可轉動地連接構成球鉸,所述球形頭與所述環形冷卻底座連接,所述球形桿貫穿所述定位加熱盤,且與固定與所述定位加熱盤上的螺母螺接,所述限位塊固定于所述定位加熱盤上且與所述螺母配合夾持所述定位加熱盤;所述彈性件同時連接于所述球形頭和所述定位加熱盤,以使所述球形桿和所述球形頭具有相互靠近的運動趨勢。
在本實用新型的一種實施例中,所述頂升組件包括直線伸縮結構和頂升桿,所述直線伸縮結構與所述基座連接,所述頂升桿與所述直線伸縮結構連接,所述頂升桿用于頂升位于所述定位加熱盤上的晶圓。
在本實用新型的一種實施例中,所述直線伸縮結構設置為氣缸、液壓缸或電動絲杠結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





