[實用新型]貼膜裝置有效
| 申請號: | 202320179427.7 | 申請日: | 2023-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN219418967U | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 秦樂 | 申請(專利權)人: | 南通通富科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理有限公司 11435 | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 226017 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
本實用新型公開了一種貼膜裝置,包括貼膜平臺、送膜組件、出膜組件、貼膜組件和監測組件,貼膜平臺用于放置待貼膜圓片,送膜組件位于貼膜平臺的水平方向的一側,用于提供膜原料,出膜組件位于貼膜平臺的相對送膜組件的一側,用于收集膜廢料,貼膜組件位于貼膜平臺上方,用于將膜原料貼附于待貼膜圓片的表面,監測組件靠近膜原料或膜廢料的邊緣設置,用于監測膜原料或膜廢料是否超出最大偏移距離。該貼膜裝置使得貼膜作業中不易出現膜褶皺或膜重疊異常,從而提高了良品率。
技術領域
本實用新型涉及半導體芯片封裝技術領域,尤其是涉及一種多貼面裝置。
背景技術
為了滿足電子產品向更薄、更輕、更多引腳密度和更低成本發展的要求,現有技術采用圓片級封裝技術替代傳統的單顆芯片的封裝技術。采用圓片級封裝需要對晶圓背面進行研磨,以達到工藝要求的晶圓厚度。在晶圓背面研磨過程中,為了保護晶圓正面的線路不被破壞,通常會對晶圓正面進行貼膜。現有技術中,貼膜作業中常常會出現膜褶皺或膜重疊異常,導致圓片貼膜表面殘膠且不易清除,從而降低了良品率,而貼膜作業中出現的膜褶皺或膜重疊的原因是由于膜偏移造成的。
實用新型內容
本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此,本實用新型提出一種貼膜裝置,所述貼膜裝置能夠對用于貼附于晶圓正面的膜的位置進行實時監測,使得貼膜作業時不易出現膜褶皺或膜重疊,從而提高了良品率。
根據本實用新型實施例的貼膜裝置,包括貼膜平臺、送膜組件、出膜組件、貼膜組件和監測組件,貼膜平臺用于放置待貼膜圓片,送膜組件位于貼膜平臺的水平方向的一側,用于提供膜原料,出膜組件位于貼膜平臺的相對送膜組件的一側,用于收集膜廢料,貼膜組件位于貼膜平臺上方,用于將膜原料貼附于待貼膜圓片的表面,監測組件靠近膜原料或膜廢料的邊緣設置,用于監測膜原料或膜廢料是否超出最大偏移距離。
根據本實用新型的貼膜裝置,通過設置在靠近膜原料或膜廢料的邊緣的監測組件,能夠監測膜原料或膜廢料在進入貼膜平臺或離開貼膜平臺時,膜原料或膜廢料是否處于不影響貼膜的最大偏移距離內,即使得貼膜作業中不易出現膜褶皺或膜重疊異常,從而提高了良品率。
根據本實用新型的一些實施例,監測組件包括光電傳感器和反光件,光電傳感器設置在垂直于膜原料或膜廢料所在平面的一側,且位于膜原料或膜廢料的最大偏移距離處,用于發射光線和接收光線,反光件設置在膜原料或膜廢料的相對光電傳感器的另一側,用于反射光電傳感器發射的光線,光電傳感器用于根據接收到的反光件發射的光線判斷膜原料或膜廢料是否超出最大偏移距離。
根據本實用新型的一些實施例,光電傳感器設置在出膜組件上,且位于膜廢料的上側;反光件設置在出膜組件上,且位于膜廢料的下側。
根據本實用新型的一些實施例,膜原料或膜廢料的最大偏移距離為3mm。
根據本實用新型的一些實施例,貼膜組件包括貼膜滾軸,貼膜滾軸沿垂直于膜原料的傳輸方向設置,且具有壓膜位置和空閑位置。
根據本實用新型的一些實施例,貼膜滾軸沿豎直方向與貼膜平臺活動連接,以實現壓膜位置和空閑位置的切換。通過將貼膜滾軸沿豎直方向與貼膜平臺活動連接,便于實現壓膜位置和空閑位置的切換。
根據本實用新型的一些實施例,還包括裁切組件,裁切組件位于貼膜平臺上方,用于將膜原料裁切為與待貼膜圓片尺寸相同的圓片膜以及膜廢料。
根據本實用新型的一些實施例,裁切組件包括裁切刀,裁切刀沿待貼膜圓片的邊緣與貼膜平臺轉動連接,以對膜原料進行裁切。
根據本實用新型的一些實施例,貼膜平臺包括支撐盤和吸附組件,支撐盤用于支撐待貼膜圓片,吸附組件與支撐盤連接,用于將待貼膜圓片吸附在支撐盤上。
根據本實用新型的一些實施例,送膜組件包括送膜滾軸,送膜滾軸用于卷繞膜原料;出膜組件包括出膜滾軸,出膜滾軸用于卷繞膜廢料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





