[實(shí)用新型]晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其模組、電路板、電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202320115067.4
• 申請(qǐng)日: 2023-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN219394806U
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龍建飛;寧世朝;劉立筠;白云芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京唯捷創(chuàng)芯精測(cè)科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03H9/10
• 分類(lèi)號(hào): H03H9/10
• 代理公司: 北京汲智翼成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11381
• 代理人: 董燁飛;陳曦

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其模組、電路板、電子設(shè)備。該晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)包括：芯片體，具有電極面和與電極面相對(duì)的安裝面，安裝面上設(shè)有焊料，連接器，位于電極面上，并且圍合形成空腔，多個(gè)電極，位于在空腔內(nèi)的電極面上，封蓋，覆蓋連接器以及空腔，使得封蓋、連接器和芯片體共同形成封閉的空腔，在芯片體的側(cè)面上有導(dǎo)線層，將芯片體的電極面與安裝面實(shí)現(xiàn)電連接。本實(shí)用新型可以有效解決因?yàn)楦叨炔灰恢聦?dǎo)致的氣密性問(wèn)題，并且可以避免助焊劑殘留的問(wèn)題，在工藝簡(jiǎn)化、質(zhì)量保證的同時(shí)，大大節(jié)約成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，同時(shí)也涉及一種包含該晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的模組、電路板和電子設(shè)備，屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

聲學(xué)濾波器按照結(jié)構(gòu)不同，可以分為聲表面波濾波器(簡(jiǎn)寫(xiě)為SAW濾波器)和體表面波濾波器(簡(jiǎn)寫(xiě)為BAW濾波器)，其基本原理大致相同，只是聲學(xué)信號(hào)傳播方向存在差異。SAW濾波器的基本原理是在輸入端由壓電效應(yīng)把無(wú)線信號(hào)轉(zhuǎn)換為聲信號(hào)在介質(zhì)表面?zhèn)鞑ィ谳敵龆擞赡鎵弘娦?yīng)將聲信號(hào)轉(zhuǎn)換為無(wú)線信號(hào)。BAW濾波器的基本原理與SAW濾波器相同，不同的是BAW濾波器的聲波是垂直傳播。因此，兩者均需要空腔結(jié)構(gòu)以保護(hù)叉指換能器(IDT)。

隨著微電子技術(shù)的不斷演進(jìn)，芯片小型化和高集成度的需求越來(lái)越迫切，因此聲學(xué)濾波器的微小化在諸如射頻前端模組(RF?FEM)的集成度高的模組、電路板或電子設(shè)備中，變得尤為重要。

在專利號(hào)為ZL?201721882163.2的中國(guó)實(shí)用新型中，公開(kāi)了一種聲表面波器件氣密性晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，在功能芯片工作面的外圍鍍有一圈鍵合層金屬，封蓋晶圓上與每塊芯片鍵合層金屬對(duì)應(yīng)位置分別鍍有一圈鍵合層金屬，功能芯片與封蓋晶圓通過(guò)金-金鍵合或者共晶鍵合對(duì)應(yīng)結(jié)合在一起；在封蓋晶圓背向功能芯片工作面那面設(shè)有外部電路布線結(jié)構(gòu)和外電極；在外電極上制作有外部焊球；封蓋晶圓上設(shè)有導(dǎo)通孔以將功能芯片工作面電路依次通過(guò)導(dǎo)通孔、外部電極和外部焊球電連接。該實(shí)用新型能夠?qū)崿F(xiàn)高芯片剪切強(qiáng)度、散熱性好、封裝內(nèi)部氣氛可控的晶圓級(jí)(WLP)聲表面波器件的氣密性封裝，具有可靠性高的特點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的首要技術(shù)問(wèn)題在于提供一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型所要解決的另一技術(shù)問(wèn)題在于提供一種包含上述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的模組。

本實(shí)用新型所要解決的又一技術(shù)問(wèn)題在于提供一種包含上述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的電路板。

本實(shí)用新型所要解決的再一技術(shù)問(wèn)題在于提供一種包含上述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下的技術(shù)方案：

根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第一方面，提供一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，包括：

芯片體，具有電極面和與所述電極面相對(duì)的安裝面，所述安裝面上設(shè)有焊料，

連接器，位于所述電極面上，并且圍合形成空腔，

多個(gè)電極，位于在所述空腔內(nèi)的所述電極面上，

封蓋，覆蓋所述連接器以及空腔，使得封蓋、連接器和芯片體共同形成封閉的空腔，

在所述芯片體的側(cè)面上有導(dǎo)線層，使芯片體的所述電極面與所述安裝面實(shí)現(xiàn)電連接。

所述側(cè)面為斜面形狀。

其中較優(yōu)地，所述電極面上還設(shè)有金屬的導(dǎo)電墊片，所述安裝面上還設(shè)有導(dǎo)電盤(pán)，所述導(dǎo)線層連接所述導(dǎo)電墊片和所述導(dǎo)電盤(pán)。

其中較優(yōu)地，所述連接器將所述封蓋和所述芯片體粘接在一起。

根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第二方面，提供一種包含晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的模組，所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)為前述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)。