[實用新型]一種非晶片區(qū)域沉積抑制裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202320080962.7
• 申請日: 2023-01-13
• 公開（公告）號: CN218951563U
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉鵬;徐文立;高煬;沈磊
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波恒普真空科技股份有限公司
• 主分類號: C30B25/12
• 分類號: C30B25/12;H01L21/67;C30B25/14
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 李勝強

1.一種非晶片區(qū)域沉積抑制裝置，應(yīng)用于碳化硅成膜裝置，所述碳化硅成膜裝置包括反應(yīng)室、旋轉(zhuǎn)設(shè)置在所述反應(yīng)室中的旋轉(zhuǎn)主體和位于所述旋轉(zhuǎn)主體上表面的晶片，其特征在于，所述非晶片區(qū)域沉積抑制裝置包括覆蓋在所述旋轉(zhuǎn)主體上表面并環(huán)繞設(shè)置在所述晶片外緣的環(huán)形覆蓋件，所述環(huán)形覆蓋件與所述晶片間隙配合，所述環(huán)形覆蓋件與所述旋轉(zhuǎn)主體可拆卸連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶片區(qū)域沉積抑制裝置，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)主體包括轉(zhuǎn)動設(shè)置的基座和可拆卸地設(shè)置在所述基座頂部的基板，所述基板的上表面設(shè)置有環(huán)形凸緣，所述晶片設(shè)置在所述環(huán)形凸緣內(nèi)部；所述環(huán)形覆蓋件包括分體的內(nèi)環(huán)片與設(shè)置在所述內(nèi)環(huán)片外圍的外環(huán)片，所述內(nèi)環(huán)片卡接在所述環(huán)形凸緣上，并與所述晶片間隙配合，所述外環(huán)片設(shè)置在所述環(huán)形凸緣外部，并與所述基板的上表面貼合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非晶片區(qū)域沉積抑制裝置，其特征在于，所述晶片通過支撐環(huán)設(shè)置在所述環(huán)形凸緣內(nèi)，所述支撐環(huán)的高度低于所述環(huán)形凸緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非晶片區(qū)域沉積抑制裝置，其特征在于，所述環(huán)形覆蓋件的材料均為碳化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求2-4任意一項所述的非晶片區(qū)域沉積抑制裝置，其特征在于，所述非晶片區(qū)域沉積抑制裝置還包括進(jìn)氣管和固定套筒，所述進(jìn)氣管自所述基座底部沿其軸向伸入其內(nèi)部，所述基座的底部開設(shè)出氣口，所述固定套筒套設(shè)在所述基座外部，所述固定套筒與所述基座的壁面之間具有氣流流通間隙。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非晶片區(qū)域沉積抑制裝置，其特征在于，所述基座的外表面涂覆有碳化鉭涂層。