[實用新型]一種非晶片區域沉積抑制裝置

有效

• 申請號: 202320080962.7
• 申請日: 2023-01-13
• 公開（公告）號: CN218951563U
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 劉鵬;徐文立;高煬;沈磊
• 申請（專利權）人: 寧波恒普真空科技股份有限公司
• 主分類號: C30B25/12
• 分類號: C30B25/12;H01L21/67;C30B25/14
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 李勝強

本實用新型公開一種非晶片區域沉積抑制裝置，涉及碳化硅成膜裝置技術領域，應用于碳化硅成膜裝置，所述碳化硅成膜裝置包括反應室、旋轉設置在所述反應室中的旋轉主體和位于所述旋轉主體上表面的晶片，其特征在于，所述非晶片區域沉積抑制裝置包括覆蓋在所述旋轉主體上表面并環繞設置在所述晶片外緣的環形覆蓋件，所述環形覆蓋件與所述晶片間隙配合，所述環形覆蓋件與所述旋轉主體可拆卸連接；本實用新型通過在旋轉主體上表面設置環形覆蓋件可以避免反應氣體直接在旋轉主體的上表面形成沉積物，并且便于將沉積物進行清理。

技術領域

本實用新型涉及碳化硅成膜裝置技術領域，特別是涉及一種非晶片區域沉積抑制裝置。

背景技術

以往，在如絕緣柵雙極型晶體管等功率器件那樣的需要膜厚比較大的結晶膜的半導體元件的制造中，應用了外延生長技術。

在外延生長技術所使用的氣相生長方法中，在將基板載放到成膜室內的狀態下，使成膜室內的壓力為常壓或負壓。然后，在對基板進行加熱的同時，向成膜室內供給反應性氣體。于是，在基板的表面上氣體產生熱解反應或氫還原反應而形成氣相生長膜。

為了制造膜厚較大的氣相生長膜，需要將基板均勻地加熱并且使從外部供給的反應性氣體與基板表面不斷接觸。所以，采用了在使基板高速旋轉的同時進行成膜處理的技術。

成膜裝置制備碳化硅薄膜，碳源和硅源氣體從成膜裝置頂部進氣室向下通入，在高溫環境下與晶片襯底接觸形成碳化硅薄膜，反應副產物和殘余氣體從排氣口進入真空管道，如申請號為“201310093006.3”，名稱為“碳化硅的成膜裝置及成膜方法”的發明專利。但是，常規承載晶片的基板外環區域表面易接觸沉積，表面沉積物達到一定程度導致后續氣體流動不暢，影響生產效率和成膜質量，同時，基板主體為石墨材質，表面發生沉積后不易去除，更換成本較高。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種非晶片區域沉積抑制裝置，以解決上述現有技術存在的問題，通過在旋轉主體上表面設置環形覆蓋件可以避免反應氣體直接在旋轉主體的上表面形成沉積物，并且便于將沉積物進行清理。

為實現上述目的，本實用新型提供了如下方案：本實用新型提供一種非晶片區域沉積抑制裝置，應用于碳化硅成膜裝置，所述碳化硅成膜裝置包括反應室、旋轉設置在所述反應室中的旋轉主體和位于所述旋轉主體上表面的晶片，所述非晶片區域沉積抑制裝置包括覆蓋在所述旋轉主體上表面并環繞設置在所述晶片外緣的環形覆蓋件，所述環形覆蓋件與所述晶片間隙配合，所述環形覆蓋件與所述旋轉主體可拆卸連接。

優選的，所述旋轉主體包括轉動設置的基座和可拆卸地設置在所述基座頂部的基板，所述基板的上表面設置有環形凸緣，所述晶片設置在所述環形凸緣內部；所述環形覆蓋件包括分體的內環片與設置在所述內環片外圍的外環片，所述內環片卡接在所述環形凸緣上，并與所述晶片間隙配合，所述外環片設置在所述環形凸緣外部，并與所述基板的上表面貼合。

優選的，所述晶片通過支撐環設置在所述環形凸緣內，所述支撐環的高度低于所述環形凸緣。

優選的，所述環形覆蓋件的材料均為碳化硅。

優選的，所述非晶片區域沉積抑制裝置還包括進氣管和固定套筒，所述進氣管自所述基座底部沿其軸向伸入其內部，所述基座的底部開設出氣口，所述固定套筒套設在所述基座外部，所述固定套筒與所述基座的壁面之間具有氣流流通間隙。

優選的，所述基座的外表面涂覆有碳化鉭涂層。

本實用新型相對于現有技術取得了以下技術效果：

1、本實用新型通過在旋轉主體上表面設置環形覆蓋件可以避免反應氣體直接在旋轉主體的上表面形成沉積物，并且便于將沉積物進行清理；