[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)輔助裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310904287.X
• 申請日: 2023-07-24
• 公開（公告）號: CN116632001B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊藤真浩;熊谷裕弘
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H10N97/00;H01L23/552;G06F30/392;G06F30/394;G06F115/06
• 代理公司: 上海漢之律師事務(wù)所 31378
• 代理人: 林安安

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

MOM電容，所述MOM電容包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，且所述第一電極和所述第二電極在第一方向上交替設(shè)置，所述第一電極或所述第二電極在第二方向上層疊設(shè)置，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直；

第一屏蔽部，在第二方向上位于所述MOM電容的一側(cè)，且所述第一屏蔽部與所述MOM電容之間的區(qū)域內(nèi)電絕緣；以及

第二屏蔽部，在第二方向上位于所述MOM電容的另一側(cè)，且所述第二屏蔽部與所述MOM電容之間的區(qū)域內(nèi)電絕緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一屏蔽部和所述第二屏蔽部與電位不同的接地端子連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接地端子包括第一接地端子和第二接地端子，所述第一接地端子和所述第二接地端子的電位不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一屏蔽部與所述第一接地端子或所述第二接地端子連接，所述第二屏蔽部與所述第二接地端子或所述第一接地端子連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一電極至少具有一條第一主線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二電極至少具有一條第二主線，所述第二主線和所述第一主線在所述第一方向上交替設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述第一方向上，所述MOM電容的兩側(cè)設(shè)置配線空間，在所述配線空間內(nèi)，所述第一屏蔽部和所述第二屏蔽部電絕緣。

8.一種半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)輔助裝置，用于權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

存儲單元，以存儲構(gòu)成所述半導(dǎo)體裝置中多個(gè)元件的連接狀態(tài)的多個(gè)符號，所述符號包括表示所述第一電極、所述第二電極、所述第一屏蔽部以及所述第二屏蔽部的連接狀態(tài)的四端子連接符號；以及

電路圖設(shè)計(jì)輔助單元，以調(diào)用存儲在所述存儲單元中的所述符號來設(shè)計(jì)所述半導(dǎo)體裝置的電路圖。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)輔助裝置，其特征在于，所述設(shè)計(jì)輔助裝置還包括：

布局圖設(shè)計(jì)輔助單元，以對所述半導(dǎo)體裝置的布局圖的設(shè)計(jì)進(jìn)行輔助；以及

驗(yàn)證單元，以對電路圖數(shù)據(jù)中各元件間的連接信息和布局?jǐn)?shù)據(jù)中各元件間的連接信息進(jìn)行比較，以驗(yàn)證各連接信息是否匹配。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)輔助裝置，其特征在于，所述電路圖數(shù)據(jù)中各元件間的連接信息和所述布局?jǐn)?shù)據(jù)中各元件間的連接信息存儲在所述存儲單元中。