[發(fā)明專利]一種半導體裝置及半導體裝置的設計輔助裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310904287.X | 申請日: | 2023-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN116632001B | 公開(公告)日: | 2023-10-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 伊藤真浩;熊谷裕弘 | 申請(專利權)人: | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H10N97/00;H01L23/552;G06F30/392;G06F30/394;G06F115/06 |
| 代理公司: | 上海漢之律師事務所 31378 | 代理人: | 林安安 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 裝置 設計 輔助 | ||
本發(fā)明公開了一種半導體裝置及半導體裝置的設計輔助裝置,屬于半導體技術領域,且所述半導體裝置包括:MOM電容,所述MOM電容包括多個第一電極和多個第二電極,且所述第一電極和所述第二電極在第一方向上交替設置,所述第一電極或所述第二電極在第二方向上層疊設置;第一屏蔽部,在第二方向上位于所述MOM電容的一側,且所述第一屏蔽部與所述MOM電容之間的區(qū)域內(nèi)電絕緣;以及第二屏蔽部,在第二方向上位于所述MOM電容的另一側,且所述第二屏蔽部與所述MOM電容之間的區(qū)域內(nèi)電絕緣。通過本發(fā)明提供的一種半導體裝置及半導體裝置的設計輔助裝置,可提高電路設計的自由度,減小半導體裝置的體積。
技術領域
本發(fā)明屬于半導體制造技術領域,特別涉及一種半導體裝置及半導體裝置的設計輔助裝置。
背景技術
電容器是集成電路中的重要組成單元,廣泛運用于存儲器、微波、射頻或智能卡等芯片中。在半導體裝置中,金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal,MOM)電容器,具有多個電極相向而成的電極組,以及一對屏蔽部,屏蔽部以夾著MOM電容的方式相向地設置。在半導體裝置,各屏蔽部與接地電位連接,MOM電容被屏蔽部包圍,能夠抑制MOM電容從周邊的信號線接收的噪聲。但屏蔽部之間需要彼此連接,增加了布局面積。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導體裝置及半導體裝置的設計輔助裝置,通過本發(fā)明提供的半導體裝置及半導體裝置的設計輔助裝置,可能夠提高電路設計的自由度,實現(xiàn)半導體裝置的小型化,同時提高設計作業(yè)的效率。
為解決上述技術問題,本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的:
本發(fā)明提供一種半導體裝置,包括:
MOM電容,所述MOM電容包括多個第一電極和多個第二電極,且所述第一電極和所述第二電極在第一方向上交替設置,所述第一電極或所述第二電極在第二方向上層疊設置,其中,所述第一方向和所述第二方向垂直;
第一屏蔽部,在第二方向上位于所述MOM電容的一側,且所述第一屏蔽部與所述MOM電容之間的區(qū)域內(nèi)電絕緣;以及
第二屏蔽部,在第二方向上位于所述MOM電容的另一側,且所述第二屏蔽部與所述MOM電容之間的區(qū)域內(nèi)電絕緣。
在本發(fā)明一實施例中,所述第一屏蔽部和所述第二屏蔽部與電位不同的接地端子連接。
在本發(fā)明一實施例中,所述接地端子包括第一接地端子和第二接地端子,所述第一接地端子和所述第二接地端子的電位不同。
在本發(fā)明一實施例中,所述第一屏蔽部與所述第一接地端子或所述第二接地端子連接,所述第二屏蔽部與所述第二接地端子或所述第一接地端子連接。
在本發(fā)明一實施例中,所述第一電極至少具有一條第一主線。
在本發(fā)明一實施例中,所述第二電極至少具有一條第二主線,所述第二主線和所述第一主線在所述第一方向上交替設置。
在本發(fā)明一實施例中,在所述第一方向上,所述MOM電容的兩側設置配線空間,在所述配線空間內(nèi),所述第一屏蔽部和所述第二屏蔽部電絕緣。
本發(fā)明還提供一種半導體裝置的設計輔助裝置,用于上述所述的半導體裝置,包括:
存儲單元,以存儲構成所述半導體裝置中多個元件的連接狀態(tài)的多個符號,所述符號包括表示所述第一電極、所述第二電極、所述第一屏蔽部以及所述第二屏蔽部的連接狀態(tài)的四端子連接符號;以及
電路圖設計輔助單元,以調(diào)用存儲在所述存儲單元中的所述符號來設計所述半導體裝置的電路圖。
在本發(fā)明一實施例中,所述設計輔助裝置還包括:
布局圖設計輔助單元,以對所述半導體裝置的布局圖的設計進行輔助;以及
驗證單元,以對電路圖數(shù)據(jù)中各元件間的連接信息和布局數(shù)據(jù)中各元件間的連接信息進行比較,以驗證各連接信息是否匹配。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥晶合集成電路股份有限公司,未經(jīng)合肥晶合集成電路股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310904287.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





