[發(fā)明專利]一種存儲測試設備及其測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310889908.1
• 申請日: 2023-07-20
• 公開（公告）號: CN116610512B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 潘慧敏;趙啟鵬
• 申請（專利權）人: 合肥康芯威存儲技術有限公司
• 主分類號: G06F11/22
• 分類號: G06F11/22;G06F11/36
• 代理公司: 上海漢之律師事務所 31378
• 代理人: 吳向青

本發(fā)明提供了一種存儲測試設備及其測試方法，用于獲取存儲器的功耗轉換時長，其中存儲器中存儲預設數據，存儲測試設備包括：掉上電模塊，在存儲器的高功耗狀態(tài)結束時，延遲初始功耗轉換時長后，掉上電模塊將存儲器斷電并重新上電；數據輸入模塊，數據輸入模塊中存儲初始基準時間和初始時間步長；基準時間訓練模塊，基準時間訓練模塊接收并調整初始基準時間，直到掉電前預設數據和掉電后預設數據不同，獲得標定基準時間；以及時間步長獲取模塊，時間步長獲取模塊獲取標定基準時間和初始時間步長，并調整初始時間步長，直到掉電前預設數據和掉電后預設數據相同，獲得標定時間步長。本發(fā)明能夠準確獲取存儲器的功耗模式切換時間。

技術領域

本發(fā)明涉及存儲技術領域，特別涉及一種存儲測試設備及其測試方法。

背景技術

嵌入式存儲器（Embedded?Multi?Media?Card，eMMC）為MMC協(xié)會所訂立的、主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規(guī)格，嵌入式存儲器包括解決方案。其中，當嵌入式存儲器長久未接收到新的指令時，將從高功耗狀態(tài)轉入低功耗狀態(tài)。不同的進入低功耗狀態(tài)的時間，會直接影響存儲器的工作性能。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種存儲測試設備及其測試方法，能夠準確獲取存儲器的功耗模式切換時間，從而降低存儲器的耗能，提升存儲器的存儲性能。

為解決上述技術問題，本發(fā)明是通過以下技術方案實現的：

本發(fā)明提供了一種存儲測試設備，用于獲取存儲器的功耗轉換時長，其中所述存儲器中存儲預設數據，所述存儲測試設備包括：

掉上電模塊，在所述存儲器的高功耗狀態(tài)結束時，延遲初始功耗轉換時長后，所述掉上電模塊將所述存儲器斷電并重新上電；

數據輸入模塊，所述數據輸入模塊中存儲初始基準時間和初始時間步長；

基準時間訓練模塊，所述基準時間訓練模塊接收并調整所述初始基準時間，直到掉電前預設數據和掉電后預設數據不同，獲得標定基準時間；以及

時間步長獲取模塊，所述時間步長獲取模塊獲取所述標定基準時間和所述初始時間步長，并調整所述初始時間步長，直到所述掉電前預設數據和所述掉電后預設數據相同，獲得標定時間步長。

在本發(fā)明一實施例中，在所述掉上電模塊重新上電后，所述掉電后預設數據存儲在所述存儲器的閃存區(qū)或緩存區(qū)。

在本發(fā)明一實施例中，所述初始功耗轉換時長為所述標定基準時間和所述標定時間步長的和。

本發(fā)明提供了一種存儲測試設備的測試方法，包括以下步驟：

掉上電步驟，在存儲器的高功耗狀態(tài)結束時，延遲初始功耗轉換時長后，將所述存儲器斷電并重新上電；

數據讀寫步驟，在所述存儲器的高功耗狀態(tài)下，對所述存儲器寫入掉電前預設數據，并在所述存儲器重新上電后，讀出掉電后預設數據；

標定基準時間獲取步驟，預設初始基準時間，調整所述初始基準時間，直到所述掉電前預設數據和所述掉電后預設數據不同，獲得標定基準時間；以及

標定時間步長獲取步驟，預設初始時間步長，調整所述初始時間步長，直到所述掉電前預設數據和所述掉電后預設數據一致，獲得標定時間步長；

其中，所述初始功耗轉換時長為所述標定基準時間和所述標定時間步長的和。

在本發(fā)明一實施例中，在獲得所述標定時間步長后，執(zhí)行所述標定時間步長獲取步驟。

在本發(fā)明一實施例中，調整所述初始基準時間的步驟包括：

在所述掉上電步驟中，將所述初始功耗轉換時長設置為所述初始基準時間；

執(zhí)行所述數據讀寫步驟和所述掉上電步驟，且當所述掉電前預設數據和所述掉電后預設數據相同，降低所述初始基準時間，并重新執(zhí)行所述掉上電步驟和所述數據讀寫步驟；以及

當所述掉電前預設數據和所述掉電后預設數據不同，將此時的所述初始基準時間設置為所述標定基準時間。