[發明專利]存儲器及其配置方法和讀取控制方法在審
| 申請號: | 202310850715.5 | 申請日: | 2023-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN116564375A | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 袁園 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/12 | 分類號: | G11C7/12;G11C7/18;G11C7/10;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 及其 配置 方法 讀取 控制 | ||
本公開實施例涉及半導體技術領域,提供一種存儲器及其配置方法和讀取控制方法,存儲器包括:至少兩個邊緣子存儲陣列和中間子存儲陣列,邊緣子存儲陣列中包括多條第一位線;至少一個具有第一端和第二端的第一感測放大器,第一端和第二端分別與兩條第一位線耦接,與同一第一感測放大器耦接的兩條第一位線中的一者為第一讀寫位線,另一者為第一參考位線;其中,寫入與第一讀寫位線對應的存儲單元中的數據為第一數據,則對應寫入與第一參考位線對應的存儲單元中的數據為第二數據,第一數據和第二數據中的一者為邏輯1,則另一者為邏輯0。本公開實施例至少有利于提高對邊緣子存儲陣列中存儲單元的利用率。
技術領域
本公開實施例涉及半導體技術領域,特別涉及一種存儲器及其配置方法和讀取控制方法。
背景技術
存儲器裝置中的各種操作模式可導致存儲器裝置上的存儲單元的存取。在此類操作期間,感測放大器可感測存儲單元的電壓并輸出對應于感測電壓的邏輯1或0。當存取時,存儲單元可耦接到數字線(例如位線),而數字線又可耦接到感測放大器。與耦接到存儲單元的數字線一起,互補數字線也可耦接到感測放大器。互補數字線的使用可用于提供參考電壓電平以更好地區分從存儲單元讀取/寫入到存儲單元的值。
然而,這種技術方案中感測放大器需要兩個輸入端,且兩個輸入端分別耦接相鄰兩個存儲陣列的兩條位線,因此會導致在邊緣存儲陣列中,至少一半的位線無法與另一存儲陣列中的位線匹配,即無法被感測放大器感測(沒有參考位線)。
發明內容
本公開實施例提供一種存儲器及其配置方法和讀取控制方法,至少有利于提高對邊緣子存儲陣列中存儲單元的利用率。
根據本公開一些實施例,本公開實施例一方面提供一種存儲器,包括:存儲陣列,所述存儲陣列包括至少兩個邊緣子存儲陣列和中間子存儲陣列,所述中間子存儲陣列位于兩個所述邊緣子存儲陣列之間,所述邊緣子存儲陣列中包括多條第一位線;至少一個具有第一端和第二端的第一感測放大器,所述第一端和所述第二端分別與兩條所述第一位線耦接,與同一所述第一感測放大器耦接的兩條所述第一位線中的一者為第一讀寫位線,另一者為第一參考位線;其中,寫入與所述第一讀寫位線對應的存儲單元中的數據為第一數據,則對應寫入與所述第一參考位線對應的存儲單元中的數據為第二數據,所述第一數據和所述第二數據中的一者為邏輯1,則另一者為邏輯0。
根據本公開一些實施例,本公開實施例另一方面還提供一種存儲器的配置方法,包括:提供如上述所述的存儲器;在對所述存儲器進行上電時,向與所述第一感測放大器耦接的所有所述第一位線對應的存儲單元中均寫入第三數據,所述第三數據對應的所述存儲單元上的電平值為第三電平值,邏輯1對應的所述存儲單元上的電平值為第一電平值,邏輯0對應的所述存儲單元上的電平值為第二電平值,所述第三電平值小于所述第一電平值且大于所述第二電平值。
根據本公開一些實施例,本公開實施例又一方面還提供一種存儲器的讀取控制方法,所述存儲器為根據上述任一項所述的存儲器,所述存儲器的讀取控制時序依次包括預充電階段、電荷共享階段和讀出階段;在所述預充電階段對所述存儲器進行預充電;在所述電荷共享階段,使得與所述第一感測放大器對應的所述第一位線耦接的存儲單元上的電荷與該第一位線上的電荷共享;在所述讀出階段,使得所述第一感測放大器對所述第一端處的電位和所述第二端處的電位進行調節。
本公開實施例提供的技術方案至少具有以下優點:
將邊緣子存儲陣列中的部分第一位線進行兩兩配對,兩條第一位線分別與同一第一感測放大器的兩端耦接,如此,使得兩條第一位線中的一者為第一讀寫位線,另一者為第一參考位線,且寫入與第一讀寫位線對應的存儲單元中的第一數據和寫入與第一參考位線對應的存儲單元中的第二數據相反。可以理解的是,設置第一數據和第二數據相反,例如一者為邏輯1,另一者為邏輯0,則第一感測放大器可以將第一參考位線作為第一讀寫位線的參考位線,對第一讀寫位線和第一參考位線上的電位差進行放大,以讀出與第一讀寫位線對應的存儲單元中的存儲的第一數據。如此,可以使得邊緣子存儲陣列中第一讀寫位線和與其對應的存儲單元正常投入使用,從而有利于提高對邊緣子存儲陣列中存儲單元的利用率。
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