[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器老化測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310830298.8
• 申請(qǐng)日: 2023-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN116564397A
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 代宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/12
• 分類號(hào): G11C29/12
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海

本公開提供一種存儲(chǔ)器老化測(cè)試方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：對(duì)m組字線組并行的執(zhí)行n次老化測(cè)試，其中每次老化測(cè)試包括：在預(yù)定時(shí)長內(nèi)，通過第一目標(biāo)子字線向每組字線組中與第一目標(biāo)子字線耦接的第一目標(biāo)偶數(shù)字線施加字線開啟電壓，通過第一剩余子字線向每組字線組中與第一剩余子字線耦接的第一剩余偶數(shù)字線施加字線關(guān)閉電壓；通過第二目標(biāo)子字線向每組字線組中與第二目標(biāo)子字線耦接的第二目標(biāo)奇數(shù)字線施加字線開啟電壓，通過第二剩余子字線向每組字線組中與第二剩余子字線耦接的第二剩余奇數(shù)字線施加字線關(guān)閉電壓。本公開能夠在滿足測(cè)試時(shí)長的前提下，暴露出更多的weak的失效單元。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種存儲(chǔ)器老化測(cè)試方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，老化測(cè)試是通過高溫高壓來加速產(chǎn)品的老化，已達(dá)到讓輕微（weak）的失效單元（Fail?Bit，F(xiàn)B）提前暴露出來的目的。然而老化測(cè)試因測(cè)試時(shí)長的限制導(dǎo)致壓差（又稱應(yīng)力，stress）次數(shù)不夠，從而失效單元無法被抓干凈，也就是說，有些weak的失效單元無法通過老化測(cè)試暴露出來。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于提供一種存儲(chǔ)器老化測(cè)試方法，能夠在滿足測(cè)試時(shí)長的前提下，暴露出更多的weak的失效單元。

本公開實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器老化測(cè)試方法，所述存儲(chǔ)器包括陣列區(qū)域和子字線控制區(qū)域，所述子字線控制區(qū)域包括第一子字線控制區(qū)域和第二子字線控制區(qū)域，所述第一子字線控制區(qū)域中的第一子字線與所述陣列區(qū)域中的偶數(shù)字線耦接，所述第二子字線控制區(qū)域的第二子字線與所述陣列區(qū)域中的奇數(shù)字線耦接，所述陣列區(qū)域包括m個(gè)字線組，每個(gè)字線組包括n條字線，n和m均為大于1的正整數(shù)，該方法包括：對(duì)m組字線組并行的執(zhí)行n次老化測(cè)試，以使得在n次老化測(cè)試中，每組字線組中的每根字線通過與其耦接的第一子字線或第二子字線施加的字線開啟電壓開啟預(yù)定時(shí)長的2倍時(shí)長，其中每次老化測(cè)試包括：在每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第一子字線控制區(qū)域的第一子字線中確定出第一目標(biāo)子字線及第一剩余子字線，在每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第二子字線控制區(qū)域的第二子字線中確定出第二目標(biāo)子字線及第二剩余子字線；在所述預(yù)定時(shí)長內(nèi)，通過所述第一目標(biāo)子字線向每組字線組中與所述第一目標(biāo)子字線耦接的第一目標(biāo)偶數(shù)字線施加所述字線開啟電壓，通過所述第一剩余子字線向每組字線組中與所述第一剩余子字線耦接的第一剩余偶數(shù)字線施加字線關(guān)閉電壓；通過所述第二目標(biāo)子字線向每組字線組中與所述第二目標(biāo)子字線耦接的第二目標(biāo)奇數(shù)字線施加所述字線開啟電壓，通過所述第二剩余子字線向每組字線組中與所述第二剩余子字線耦接的第二剩余奇數(shù)字線施加所述字線關(guān)閉電壓。

在本公開的一些示例性實(shí)施例中，所述第一子字線控制區(qū)域和所述第二子字線控制區(qū)域分別設(shè)置在所述陣列區(qū)域的相對(duì)兩側(cè)。

在本公開的一些示例性實(shí)施例中，在第一次老化測(cè)試中，在每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第一子字線控制區(qū)域的第一子字線中確定出第一目標(biāo)子字線及第一剩余子字線，在每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第二子字線控制區(qū)域的第二子字線中確定出第二目標(biāo)子字線及第二剩余子字線，包括：確定每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第一子字線控制區(qū)域中的第1條第一子字線為所述第一目標(biāo)子字線，其它第一子字線為所述第一剩余子字線；確定每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第二子字線控制區(qū)域中的第1條第二子字線為所述第二目標(biāo)子字線，其它第二子字線為所述第二剩余子字線。

在本公開的一些示例性實(shí)施例中，在第二次老化測(cè)試中，在每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第一子字線控制區(qū)域的第一子字線中確定出第一目標(biāo)子字線及第一剩余子字線，在每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第二子字線控制區(qū)域的第二子字線中確定出第二目標(biāo)子字線及第二剩余子字線，包括：確定每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第一子字線控制區(qū)域中的第2條第一子字線為所述第一目標(biāo)子字線，其它第一子字線為所述第一剩余子字線；確定每組字線組對(duì)應(yīng)的所述第二子字線控制區(qū)域中的第1條第二子字線為所述第二目標(biāo)子字線，其它第二子字線為所述第二剩余子字線。