[發(fā)明專利]一種柵極氧化層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的裝置及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310769418.8
• 申請(qǐng)日: 2023-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN116504756B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪海燕;盧迪鋒;李建恒;朱思坤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544;H01L21/027;G03F9/00
• 代理公司: 安徽凡謀有道知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34307
• 代理人: 司志紅

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種柵極氧化層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的裝置及其形成方法，包括硅片，硅片的頂部依次設(shè)有氧化硅、光致抗蝕劑和金屬層，金屬層的頂部設(shè)有柵極氧化層，光致抗蝕劑位于柵極氧化層的左右兩側(cè)設(shè)有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，光致抗蝕劑位于柵極氧化層的下方左右兩側(cè)設(shè)有用于防止金屬層對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記覆蓋的擋板組件，光致抗蝕劑位于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上設(shè)有疊加標(biāo)記，疊加標(biāo)記的高度等于金屬層和光致抗蝕劑之和，本發(fā)明通過疊加標(biāo)記代替被覆蓋的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行識(shí)別，可以針對(duì)金屬層比較厚情況下進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，而且疊加標(biāo)記的高度根據(jù)半導(dǎo)體以及器件電性的特點(diǎn)，在硅片上噴射相應(yīng)的金屬層體積，使得金屬層剛好在疊加標(biāo)記水平端上相平齊，方便疊加標(biāo)記的輪廓清晰。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種柵極氧化層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的裝置及其形成方法。

背景技術(shù)

光刻設(shè)備為經(jīng)建構(gòu)以將所要圖案施加至基板上的機(jī)器，光刻設(shè)備可用于例如集成電路(IC)制造中，其可例如將圖案化裝置的圖案常常也被稱作投影至提供于基板上的一層輻射敏感材料上，其中對(duì)準(zhǔn)是指在曝光前將目標(biāo)圖形和比較標(biāo)記重合，然后通過光刻技術(shù)對(duì)準(zhǔn)掃描成所需要的圖形，在對(duì)芯片制造工藝過程中會(huì)經(jīng)過很多次薄膜的生長(zhǎng)、刻蝕和高溫氧化步驟形成，其中有柵極氧化層在金屬層上生長(zhǎng)后，金屬層會(huì)將硅片上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記覆蓋住，會(huì)使得對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形貌清晰度降低，進(jìn)而導(dǎo)致后期光刻機(jī)無法識(shí)別，對(duì)準(zhǔn)效果降低。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種柵極氧化層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的裝置及其形成方法，可以有效地解決對(duì)于金屬層將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記覆蓋時(shí)難以進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)識(shí)別，對(duì)準(zhǔn)效果差的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種柵極氧化層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的裝置，包括硅片，所述硅片的頂部依次設(shè)有氧化硅、光致抗蝕劑和金屬層，所述金屬層的頂部設(shè)有柵極氧化層，所述光致抗蝕劑位于柵極氧化層的左右兩側(cè)設(shè)有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述光致抗蝕劑位于柵極氧化層的下方左右兩側(cè)設(shè)有用于防止金屬層對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記覆蓋的擋板組件。

優(yōu)選地，所述光致抗蝕劑位于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上設(shè)有疊加標(biāo)記，所述疊加標(biāo)記的高度等于金屬層和光致抗蝕劑之和。

優(yōu)選地，所述疊加標(biāo)記的尺寸小于光致抗蝕劑的尺寸。

優(yōu)選地，所述擋板組件包括E型擋條，所述E型擋條分別設(shè)置在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間，所述E型擋條的高度等于金屬層的高度。

優(yōu)選地，所述E型擋條分別在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的左右兩側(cè)呈相背設(shè)置，所述E型擋條內(nèi)的兩個(gè)水平端之間均與金屬層交錯(cuò)連接。

優(yōu)選地，所述擋板組件還包括L型擋條，所述L型擋條分別設(shè)置在E型擋條靠近對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記一側(cè)，所述L型擋條的垂直端與光致抗蝕劑相平齊。

優(yōu)選地，所述L型擋條的水平端靠近E型擋條的一側(cè)面和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣界面相平齊。

此外，本發(fā)明還提供了一種柵極氧化層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的裝置的形成方法，具體步驟如下：

S1:先在硅片上沉積氧化硅，然后在氧化硅上再涂光致抗蝕劑，之后在光致抗蝕劑上噴射金屬層過程中，通過兩邊的E型擋條對(duì)金屬層內(nèi)側(cè)容納所需要的金屬層。

S2:當(dāng)金屬層平鋪在疊加標(biāo)記的頂端時(shí)，可以通過疊加標(biāo)記作為新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，之后通過光刻掩膜板移至在新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行顯影，形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形。

S3：所述硅片上溫度保持在低溫狀態(tài)進(jìn)行。

S4：當(dāng)金屬層完全覆蓋對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上，或者已向新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記也覆蓋住，通過L型擋條上未被覆蓋的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，經(jīng)曝光工藝，去除光致抗蝕劑即可。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

1、本發(fā)明通過疊加標(biāo)記代替被覆蓋的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行識(shí)別，可以針對(duì)金屬層比較厚情況下進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，而且疊加標(biāo)記的高度根據(jù)半導(dǎo)體以及器件電性的特點(diǎn)，在硅片上噴射相應(yīng)的金屬層體積，使得金屬層剛好在疊加標(biāo)記水平端上相平齊，方便疊加標(biāo)記的輪廓清晰。