[發(fā)明專利]一種柵極氧化層對準(zhǔn)標(biāo)記的裝置及其形成方法

有效

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• 申請日: 2023-06-28
• 公開（公告）號: CN116504756B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪海燕;盧迪鋒;李建恒;朱思坤
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/027;G03F9/00
• 代理公司: 安徽凡謀有道知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34307
• 代理人: 司志紅

1.一種柵極氧化層對準(zhǔn)標(biāo)記的裝置，包括硅片（1），其特征在于：

所述硅片（1）的頂部依次設(shè)有氧化硅（2）、光致抗蝕劑（3）和金屬層（4），所述金屬層（4）的頂部設(shè)有柵極氧化層（5）；

所述光致抗蝕劑（3）位于柵極氧化層（5）的左右兩側(cè)設(shè)有對準(zhǔn)標(biāo)記（8），所述光致抗蝕劑（3）位于柵極氧化層（5）的下方左右兩側(cè)設(shè)有用于防止金屬層對對準(zhǔn)標(biāo)記（8）覆蓋的擋板組件（6）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柵極氧化層對準(zhǔn)標(biāo)記的裝置，其特征在于：所述光致抗蝕劑（3）位于對準(zhǔn)標(biāo)記（8）上設(shè)有疊加標(biāo)記（7），所述疊加標(biāo)記（7）的高度等于金屬層（4）和光致抗蝕劑（3）之和。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種柵極氧化層對準(zhǔn)標(biāo)記的裝置，其特征在于：所述疊加標(biāo)記（7）的尺寸小于光致抗蝕劑（3）的尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種柵極氧化層對準(zhǔn)標(biāo)記的裝置，其特征在于：所述擋板組件（6）包括E型擋條（61），所述E型擋條（61）分別設(shè)置在對準(zhǔn)標(biāo)記（8）之間，所述E型擋條（61）的高度等于金屬層（4）的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種柵極氧化層對準(zhǔn)標(biāo)記的裝置，其特征在于：所述E型擋條（61）分別在對準(zhǔn)標(biāo)記（8）的左右兩側(cè)呈相背設(shè)置，所述E型擋條（61）內(nèi)的兩個水平端之間均與金屬層（4）交錯連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種柵極氧化層對準(zhǔn)標(biāo)記的裝置，其特征在于：所述擋板組件（6）還包括L型擋條（62），所述L型擋條（62）分別設(shè)置在E型擋條（61）靠近對準(zhǔn)標(biāo)記（8）一側(cè)，所述L型擋條（62）的垂直端與光致抗蝕劑（3）相平齊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種柵極氧化層對準(zhǔn)標(biāo)記的裝置，其特征在于：所述L型擋條（62）的水平端靠近E型擋條（61）的一側(cè)面和對準(zhǔn)標(biāo)記（8）的邊緣界面相平齊。

8.一種應(yīng)用于權(quán)利要求6-7任一項(xiàng)所述的柵極氧化層對準(zhǔn)標(biāo)記的裝置的形成方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、先在硅片（1）上沉積氧化硅（2），然后在氧化硅（2）上再涂光致抗蝕劑（3），之后在光致抗蝕劑（3）上噴射金屬層（4）過程中，通過兩邊的E型擋條（61）對金屬層（4）內(nèi)側(cè)容納所需要的金屬層（4）；

S2、當(dāng)金屬層（4）平鋪在疊加標(biāo)記（7）的頂端時(shí)，通過疊加標(biāo)記（7）作為新的對準(zhǔn)標(biāo)記，之后通過光刻掩膜板移至在新的對準(zhǔn)標(biāo)記（8）進(jìn)行顯影，形成對準(zhǔn)標(biāo)記（8）圖形，所述硅片（1）上溫度保持在低溫狀態(tài)進(jìn)行；

S3、當(dāng)金屬層（4）完全覆蓋對準(zhǔn)標(biāo)記上，或者已向新的對準(zhǔn)標(biāo)記（8）也覆蓋住，通過L型擋條（62）上未被覆蓋的對準(zhǔn)標(biāo)記（8）可以進(jìn)行對準(zhǔn)；

S4、經(jīng)曝光工藝，去除光致抗蝕劑（3）即可。