[發明專利]芯片背面金屬化方法

在審

• 申請號: 202310758432.8
• 申請日: 2023-06-26
• 公開（公告）號: CN116487270A
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 謝旭巖;李耀
• 申請（專利權）人: 南京睿芯峰電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/683;H01L23/373
• 代理公司: 南京中高專利代理有限公司 32333
• 代理人: 沈雄

本發明公開了一種芯片背面金屬化方法，包括提供初始復合支撐層；初始復合支撐層包括防護層和單面膠膜；對初始復合支撐層中的防護層進行開窗，形成具有芯片放置區的目標復合支撐層；提供待金屬化芯片，將待金屬化芯片貼合在芯片放置區上，得到第一芯片復合結構；分別提供雙面膠膜和硅載體；利用雙面膠膜，對硅載體和第一芯片復合結構進行粘接，并撕離第一芯片復合結構中的單面膠膜，得到第二芯片復合結構；對第二芯片復合結構進行背面金屬化處理，得到金屬化芯片。本發明能將需要背面金屬化的芯片單獨挑出并進行背面金屬化來滿足實際封裝要求，無需整個晶圓直接進行背面金屬化，不會造成材料的浪費，成本低，能適應不同芯片封裝要求的集成電路。

技術領域

本發明涉及集成電路封裝技術領域，具體涉及一種芯片背面金屬化方法。

背景技術

隨著集成電路的發展，對芯片封裝的要求也越來越高，要求芯片經過封裝后得到的封裝件能承受更大的電壓和電流密度，同時還需要具有更小的功耗損失。背面金屬化可以降低器件的熱阻，提高器件的散熱性能，使得封裝的芯片具有良好的歐姆接觸特性、可焊性和可靠性。因此在高封裝要求的芯片封裝過程中，通常采用背面金屬化的方式先對芯片進行處理，再進行封裝，以適應更大的電壓密度和電流密度以及更小的功耗損失等要求。

目前，傳統的背面金屬化方式是整張晶圓減薄后直接裝入行星盤，再放入金屬化設備中，采用蒸鍍或濺射的方式對整張晶圓進行背面金屬化。在這種方式中，整張晶圓上的芯片均進行了背面金屬化。然而，在實際設計中，只有部分芯片進行背面金屬化后再進行封裝，而另一部分芯片不需要背面金屬化，可以直接封裝使用。因此，傳統的背面金屬化方式無法對需要背面金屬化的芯片單獨挑出并進行背面金屬化作業來滿足實際封裝要求，會造成材料的浪費，成本較高。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種芯片背面金屬化方法，以解決現有技術中無法對需要背面金屬化的芯片單獨挑出并進行背面金屬化作業來滿足實際封裝要求，導致成本高的問題。

本發明提供了一種芯片背面金屬化方法，包括：

提供初始復合支撐層；所述初始復合支撐層包括防護層和單面膠膜；

對所述初始復合支撐層中的所述防護層進行開窗，形成具有芯片放置區的目標復合支撐層；

提供待金屬化芯片，將所述待金屬化芯片貼合在所述目標復合支撐層的所述芯片放置區上，得到第一芯片復合結構；

分別提供雙面膠膜和硅載體；

利用所述雙面膠膜，對所述硅載體和所述第一芯片復合結構進行粘接，并撕離所述第一芯片復合結構中的所述單面膠膜，得到第二芯片復合結構；

對所述第二芯片復合結構進行背面金屬化處理，得到金屬化芯片。

可選地，所述提供初始復合支撐層，包括：

分別提供所述防護層和所述單面膠膜；

利用貼膜設備，將所述防護層貼合在所述單面膠膜具有粘性的一側，得到所述初始復合支撐層。

可選地，所述對所述初始復合支撐層中的所述防護層進行開窗，形成具有芯片放置區的目標復合支撐層，包括：

預先確定所述芯片放置區的定位；

基于所述芯片放置區的定位，按照預設開窗尺寸，對所述初始復合支撐層中的所述防護層進行開窗，形成貫穿于所述防護層的所述芯片放置區，得到所述目標復合支撐層；其中，所述芯片放置區中的所述單面膠膜的兩側均裸露在外。

可選地，所述預設開窗尺寸大于所述待金屬化芯片的尺寸。

可選地，所述將所述待金屬化芯片貼合在所述目標復合支撐層的所述芯片放置區上，得到第一芯片復合結構，包括：

利用所述目標復合支撐層的所述芯片放置區上裸露在外的所述單面膠膜，將所述待金屬化芯片貼合在所述芯片放置區上，得到所述第一芯片復合結構。

可選地，所述雙面膠膜包括具有粘性的第一膠面和第二膠面；