[發明專利]芯片背面金屬化方法

在審

• 申請號: 202310758432.8
• 申請日: 2023-06-26
• 公開（公告）號: CN116487270A
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 謝旭巖;李耀
• 申請（專利權）人: 南京睿芯峰電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/683;H01L23/373
• 代理公司: 南京中高專利代理有限公司 32333
• 代理人: 沈雄

1.一種芯片背面金屬化方法，其特征在于，包括：

提供初始復合支撐層；所述初始復合支撐層包括防護層和單面膠膜；

對所述初始復合支撐層中的所述防護層進行開窗，形成具有芯片放置區的目標復合支撐層；

提供待金屬化芯片，將所述待金屬化芯片貼合在所述目標復合支撐層的所述芯片放置區上，得到第一芯片復合結構；

分別提供雙面膠膜和硅載體；

利用所述雙面膠膜，對所述硅載體和所述第一芯片復合結構進行粘接，并撕離所述第一芯片復合結構中的所述單面膠膜，得到第二芯片復合結構；

對所述第二芯片復合結構進行背面金屬化處理，得到金屬化芯片。

2.根據權利要求1所述的芯片背面金屬化方法，其特征在于，所述提供初始復合支撐層，包括：

分別提供所述防護層和所述單面膠膜；

利用貼膜設備，將所述防護層貼合在所述單面膠膜具有粘性的一側，得到所述初始復合支撐層。

3.根據權利要求1所述的芯片背面金屬化方法，其特征在于，所述對所述初始復合支撐層中的所述防護層進行開窗，形成具有芯片放置區的目標復合支撐層，包括：

預先確定所述芯片放置區的定位；

基于所述芯片放置區的定位，按照預設開窗尺寸，對所述初始復合支撐層中的所述防護層進行開窗，形成貫穿于所述防護層的所述芯片放置區，得到所述目標復合支撐層；其中，所述芯片放置區中的所述單面膠膜的兩側均裸露在外。

4.根據權利要求3所述的芯片背面金屬化方法，其特征在于，所述預設開窗尺寸大于所述待金屬化芯片的尺寸。

5.根據權利要求3所述的芯片背面金屬化方法，其特征在于，所述將所述待金屬化芯片貼合在所述目標復合支撐層的所述芯片放置區上，得到第一芯片復合結構，包括：

利用所述目標復合支撐層的所述芯片放置區上裸露在外的所述單面膠膜，將所述待金屬化芯片貼合在所述芯片放置區上，得到所述第一芯片復合結構。

6.根據權利要求1所述的芯片背面金屬化方法，其特征在于，所述雙面膠膜包括具有粘性的第一膠面和第二膠面；

所述利用所述雙面膠膜，對所述硅載體和所述第一芯片復合結構進行粘接，包括：

采用貼膜設備，將所述硅載體貼合在所述雙面膠膜的所述第一膠面上，得到復合載體；

采用所述貼膜設備，將所述第一芯片復合結構貼合有所述待金屬化芯片的一側貼合在所述復合載體中所述雙面膠膜的所述第二膠面上。

7.根據權利要求6所述的芯片背面金屬化方法，其特征在于，所述撕離所述第一芯片復合結構中的所述單面膠膜，得到第二芯片復合結構，包括：

將貼合在所述雙面膠膜的所述第二膠面上的所述第一芯片復合結構中的所述單面膠膜進行撕離，使得撕離所述單面膠膜后的所述待金屬化芯片的一側和所述防護層的一側均裸露在外，得到所述第二芯片復合結構。

8.根據權利要求7所述的芯片背面金屬化方法，其特征在于，所述對所述第二芯片復合結構進行背面金屬化處理，得到金屬化芯片，包括：

將所述第二芯片復合結構裝入行星盤后，采用蒸鍍或濺射的方法，對所述第二芯片復合結構進行背面金屬化處理，在所述第二芯片復合結構中裸露在外的所述待金屬化芯片的一側和所述防護層的一側上均形成金屬層，得到所述金屬化芯片。

9.根據權利要求1至8任一項所述的芯片背面金屬化方法，其特征在于，所述利用所述雙面膠膜，對所述硅載體和所述第一芯片復合結構進行粘接之前，還包括：

對所述第一芯片復合結構中的所述待金屬化芯片進行減薄處理。

10.根據權利要求1至8任一項所述的芯片背面金屬化方法，其特征在于，所述待金屬化芯片為一個或多個。