[發明專利]RAM的讀寫控制方法、控制器、RAM以及電子設備

有效

• 申請號: 202310758416.9
• 申請日: 2023-06-26
• 公開（公告）號: CN116483754B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發明（設計）人: 孟照南;張帆;郭清文
• 申請（專利權）人: 湖北芯擎科技有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊瑞

本發明實施例公開了一種RAM的讀寫控制方法、控制器、RAM以及電子設備，其中，所述RAM設有一控制器，所述方法應用于所述控制器中，該方法包括：若所述RAM的控制器接收外部對所述RAM進行讀寫的第一指令，采用雙向握手機制實現外部對所述RAM進行目標數據的讀寫，進而可以解決依賴訪問RAM后需要Q端數據持續保持的設計問題，簡化了對RAM讀寫的控制時序。

技術領域

本發明涉及數據讀寫技術領域，尤其涉及一種RAM的讀寫控制方法、控制器、RAM以及電子設備。

背景技術

RAM（Random?Access?Memory，隨機存取存儲器）是一種可以與CPU（CentralProcessing?Unit，中央處理器）直接交換數據的內部存儲器，其可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度較快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息，其與ROM（Read-Only?Memory，只讀存儲器）的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。

通常RAM的外圍邏輯設計決定著RAM的讀寫時序，導致RAM的讀寫時序的穩定性較差，同時RAM的外圍邏輯還可能依賴RAM的Q端是否保持，進而導致在對RAM進行讀寫時，極易出現Bug。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種RAM的讀寫控制方法、控制器、RAM以及電子設備，旨在解決現有技術中RAM讀寫的控制邏輯復雜且通用性較差的技術問題。

為解決上述問題，第一方面，本發明實施例提供了一種RAM的讀寫控制方法，所述RAM設有一控制器，所述方法應用于所述控制器中，所述方法包括：

若所述控制器接收外部對所述RAM進行讀寫的第一指令，采用雙向握手機制實現外部對所述RAM進行目標數據的讀寫。

進一步地，在所述的RAM的讀寫控制方法中，所述采用雙向握手機制實現外部對所述RAM進行目標數據的讀寫，包括：

所述控制器與外部進行雙向握手；

所述控制器根據所述RAM的地址線以及數據線，以實現外部對所述RAM進行目標數據的讀寫。

更進一步地，在所述的RAM的讀寫控制方法中，所述控制器與外部進行雙向握手，包括：

所述控制器向外部發送就緒信號；

所述控制器接收外部發送的有效信號。

更進一步地，在所述的RAM的讀寫控制方法中，所述RAM的地址線包括寫地址線，所述數據線包括寫數據線；

其中，所述控制器根據所述RAM的地址線以及數據線，以實現外部對所述RAM進行目標數據的讀寫，包括：

若所述第一指令為寫數據指令，所述控制器根據所述寫地址線在所述RAM中確定所述目標數據的寫入地址；

所述控制器根據所述寫數據線將所述目標數據寫入至所述RAM中。

更進一步地，在所述的RAM的讀寫控制方法中，所述RAM的地址線包括讀地址線，所述數據線包括讀數據線；

其中，所述控制器根據所述RAM的地址線以及數據線，以實現外部對所述RAM進行目標數據的讀寫，包括：

若所述第一指令為讀數據指令，所述控制器根據所述讀地址線在所述RAM中確定讀取目標數據的地址；

所述控制器根據所述讀數據線在所述RAM中讀取所述目標數據，并將所述目標數據發送給外部。

更進一步地，在所述的RAM的讀寫控制方法中，所述將所述目標數據發送給外部，包括：

所述控制器向外部發送第二指令，并與外部進行雙向握手，以實現將所述目標數據發送給外部。