[發(fā)明專利]RAM的讀寫控制方法、控制器、RAM以及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310758416.9
• 申請(qǐng)日: 2023-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN116483754B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟照南;張帆;郭清文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖北芯擎科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F13/16
• 分類號(hào): G06F13/16
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 楊瑞

1.一種RAM的讀寫控制方法，其特征在于，所述RAM設(shè)有一控制器，所述方法應(yīng)用于所述控制器中，所述方法包括：

若所述控制器接收外部對(duì)所述RAM進(jìn)行讀寫的第一指令，采用雙向握手機(jī)制實(shí)現(xiàn)外部對(duì)所述RAM進(jìn)行目標(biāo)數(shù)據(jù)的讀寫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RAM的讀寫控制方法，其特征在于，所述采用雙向握手機(jī)制實(shí)現(xiàn)外部對(duì)所述RAM進(jìn)行目標(biāo)數(shù)據(jù)的讀寫，包括：

所述控制器與外部進(jìn)行雙向握手；

所述控制器根據(jù)所述RAM的地址線以及數(shù)據(jù)線，以實(shí)現(xiàn)外部對(duì)所述RAM進(jìn)行目標(biāo)數(shù)據(jù)的讀寫。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RAM的讀寫控制方法，其特征在于，所述RAM的地址線包括寫地址線，所述數(shù)據(jù)線包括寫數(shù)據(jù)線；

其中，所述控制器根據(jù)所述RAM的地址線以及數(shù)據(jù)線，以實(shí)現(xiàn)外部對(duì)所述RAM進(jìn)行目標(biāo)數(shù)據(jù)的讀寫，包括：

若所述第一指令為寫數(shù)據(jù)指令，所述控制器根據(jù)所述寫地址線在所述RAM中確定所述目標(biāo)數(shù)據(jù)的寫入地址；

所述控制器根據(jù)所述寫數(shù)據(jù)線將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)寫入至所述RAM中。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RAM的讀寫控制方法，其特征在于，所述RAM的地址線包括讀地址線，所述數(shù)據(jù)線包括讀數(shù)據(jù)線；

其中，所述控制器根據(jù)所述RAM的地址線以及數(shù)據(jù)線，以實(shí)現(xiàn)外部對(duì)所述RAM進(jìn)行目標(biāo)數(shù)據(jù)的讀寫，包括：

若所述第一指令為讀數(shù)據(jù)指令，所述控制器根據(jù)所述讀地址線在所述RAM中確定讀取目標(biāo)數(shù)據(jù)的地址；

所述控制器根據(jù)所述讀數(shù)據(jù)線在所述RAM中讀取所述目標(biāo)數(shù)據(jù)，并向外部發(fā)送第二指令，并與外部進(jìn)行雙向握手，以實(shí)現(xiàn)將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)發(fā)送給外部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的RAM的讀寫控制方法，其特征在于，所述控制器包括輸入單元、輸出單元以及若干個(gè)數(shù)據(jù)緩沖單元；所述數(shù)據(jù)緩沖單元設(shè)置在所述輸入單元與所述輸出單元之間，所述輸入單元與所述RAM連接；所述數(shù)據(jù)緩沖單元用于緩存所述目標(biāo)數(shù)據(jù)，以實(shí)現(xiàn)所述控制器與外界或/和所述控制器內(nèi)部單元之間完成雙向握手；

其中，在所述控制器向外部發(fā)送第二指令之前，還包括：

所述輸入單元向所述數(shù)據(jù)緩沖單元發(fā)送第三指令，并與所述數(shù)據(jù)緩沖單元進(jìn)行雙向握手，以實(shí)現(xiàn)所述目標(biāo)數(shù)據(jù)緩存至所述數(shù)據(jù)緩沖單元中；

所述數(shù)據(jù)緩沖單元向所述輸出單元發(fā)送第四指令，并與所述輸出單元進(jìn)行雙向握手，以開啟所述數(shù)據(jù)緩沖單元與所述輸出單元之間的數(shù)據(jù)通道；

所述輸出單元向外部發(fā)送所述第二指令，并與外部進(jìn)行雙向握手，以實(shí)現(xiàn)將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)發(fā)送給外部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的RAM的讀寫控制方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)緩沖單元配置有狀態(tài)機(jī)，所述狀態(tài)機(jī)用于表征數(shù)據(jù)緩沖單元的當(dāng)前狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的RAM的讀寫控制方法，其特征在于，所述方法還包括：

所述控制器對(duì)所述RAM輸出的兩個(gè)所述目標(biāo)數(shù)據(jù)交替緩沖至所述控制器中的兩個(gè)所述數(shù)據(jù)緩沖單元中；或

所述控制器對(duì)所述RAM輸出的三個(gè)所述目標(biāo)數(shù)據(jù)輪詢緩沖至所述控制器中的三個(gè)所述數(shù)據(jù)緩沖單元中；或

所述控制器對(duì)所述RAM輸出的N個(gè)所述目標(biāo)數(shù)據(jù)輪詢緩沖至所述控制器中的N+1個(gè)所述數(shù)據(jù)緩沖單元中；其中，N＞3。

8.一種控制器，其特征在于，所述控制器可以實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的RAM的讀寫控制方法。

9.一種RAM，其特征在于，所述RAM為雙口RAM或單口RAM，所述RAM設(shè)有控制器，所述控制器在接收到外部對(duì)所述RAM進(jìn)行讀寫的第一指令之后，采用雙向握手機(jī)制實(shí)現(xiàn)外部對(duì)所述RAM進(jìn)行目標(biāo)數(shù)據(jù)的讀寫。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括RAM，所述RAM為雙口RAM或單口RAM，所述RAM中設(shè)有控制器，所述控制器在接收到外部對(duì)所述RAM進(jìn)行讀寫的第一指令之后，采用雙向握手機(jī)制實(shí)現(xiàn)外部對(duì)所述RAM進(jìn)行目標(biāo)數(shù)據(jù)的讀寫。