[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法

在審

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• 申請日: 2023-06-15
• 公開（公告）號: CN116666206A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李逛城;鄭標(biāo);朱順;方淼焱;施露安
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 賈偉;王黎延

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底至少包括第二區(qū)域和第三區(qū)域，在所述襯底上形成初始填充層，所述初始填充層包括覆蓋所述第二區(qū)域的第二初始填充層和覆蓋所述第三區(qū)域的第三初始填充層，所述第二初始填充層的厚度小于所述第三初始填充層的厚度；

在所述初始填充層上形成間隔層；

在所述間隔層上形成覆蓋層，所述覆蓋層包括位于所述第二區(qū)域的第二覆蓋層和位于所述第三區(qū)域的第三覆蓋層，所述第二覆蓋層的厚度大于所述第三覆蓋層的厚度；其中，所述初始填充層和所述覆蓋層的材料相同，且所述間隔層的材料與所述初始填充層和所述覆蓋層的材料不同；

執(zhí)行至少一次刻蝕工藝，直至所述第二初始填充層形成為第二填充層，所述第三初始填充層形成為第三填充層，且兩者的上表面齊平。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，執(zhí)行至少一次刻蝕工藝，包括：采用包括二氟甲烷、四氟化碳的混合氣體在同一步驟中刻蝕所述覆蓋層、所述間隔層以及所述初始填充層，所述覆蓋層、所述間隔層以及所述初始填充層的刻蝕速率相同；其中，二氟甲烷和四氟化碳的流量的比值范圍在(12～16)：(180～220)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述間隔層包括分別位于所述第二區(qū)域、所述第三區(qū)域的第二間隔層、第三間隔層；對所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域執(zhí)行至少一次刻蝕工藝，包括：

執(zhí)行第一刻蝕工藝直至去除所述第三覆蓋層以暴露所述第三間隔層；

執(zhí)行第二刻蝕工藝直至去除所述第三間隔層以暴露所述第三初始填充層；其中，所述間隔層的刻蝕速率大于所述覆蓋層和所述初始填充層的刻蝕速率；

執(zhí)行第三刻蝕工藝以使所述第三初始填充層的上表面下降第一預(yù)設(shè)距離，所述第三初始填充層的上表面和所述第二初始填充層的上表面齊平或具有第一預(yù)設(shè)高度差；其中，所述初始填充層和所述覆蓋層的刻蝕速率大于所述間隔層的刻蝕速率。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，執(zhí)行所述第一刻蝕工藝，還包括：去除部分所述第二覆蓋層，剩余的所述第二覆蓋層仍覆蓋所述第二間隔層；

執(zhí)行所述第二刻蝕工藝和所述第三刻蝕工藝，還包括：刻蝕所述第二區(qū)域，去除剩余的所述第二覆蓋層且至少保留部分所述第二間隔層，所述第二初始填充層仍被所述第二間隔層覆蓋；

在執(zhí)行所述第三刻蝕工藝之后，還包括：執(zhí)行第四刻蝕工藝直至去除所述第二間隔層以暴露所述第二初始填充層，所述第二初始填充層的上表面和所述第三初始填充層的上表面齊平；其中，所述間隔層的刻蝕速率大于所述覆蓋層和所述初始填充層的刻蝕速率。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述襯底還包括第一區(qū)域，所述初始填充層還包括位于所述第一區(qū)域的第一初始填充層，所述間隔層還包括位于所述第一區(qū)域的第一間隔層，所述覆蓋層還包括位于所述第一區(qū)域的第一覆蓋層；所述第一初始填充層的厚度小于所述第二初始填充層的厚度，所述第一覆蓋層的厚度大于所述第二覆蓋層的厚度；

執(zhí)行所述第一刻蝕工藝，還包括：去除部分所述第一覆蓋層，剩余的所述第一覆蓋層仍覆蓋所述第一間隔層，且經(jīng)過所述第一刻蝕工藝的刻蝕，剩余的所述第一覆蓋層的厚度大于剩余的所述第二覆蓋層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，在執(zhí)行所述第四刻蝕工藝之后，還包括：

執(zhí)行第五刻蝕工藝，使所述第二初始填充層和所述第三初始填充層的上表面下降第二預(yù)設(shè)高度，且所述第二初始填充層和所述第三初始填充層的上表面與所述第一初始填充層的上表面齊平或具有第二預(yù)設(shè)高度差；其中，所述初始填充層的刻蝕速率大于所述間隔層的刻蝕速率。