[發(fā)明專利]暫態(tài)基板組件及其制備方法、發(fā)光器件的轉(zhuǎn)移方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310699089.4
• 申請(qǐng)日: 2023-06-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116666372A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天馬新型顯示技術(shù)研究院（廈門）有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京遠(yuǎn)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659
• 代理人: 高學(xué)鋒

本發(fā)明公開(kāi)了一種暫態(tài)基板組件及其制備方法、發(fā)光器件的轉(zhuǎn)移方法。其中，暫態(tài)基板組件包括暫態(tài)基板以及位于暫態(tài)基板一側(cè)的犧牲層、激光釋放層和多個(gè)發(fā)光器件，犧牲層上形成有多個(gè)通槽，多個(gè)通槽和多個(gè)發(fā)光器件對(duì)應(yīng)設(shè)置，激光釋放層位于通槽中，發(fā)光器件與對(duì)應(yīng)的通槽中的激光釋放層鍵合連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的暫態(tài)基板組件及其制備方法、發(fā)光器件的轉(zhuǎn)移方法，剝離生長(zhǎng)基板產(chǎn)生的異物會(huì)附著到犧牲層上，后續(xù)在將暫態(tài)基板組件上的至少部分發(fā)光器件由暫態(tài)基板釋放轉(zhuǎn)移時(shí)，附著在犧牲層上的異物可隨犧牲層一起被去除，從而在后續(xù)將部分發(fā)光器件由暫態(tài)基板轉(zhuǎn)移時(shí)，發(fā)光器件不會(huì)受到殘留的激光釋放層影響而無(wú)法被正常釋放，提高了激光釋放良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種暫態(tài)基板組件及其制備方法、發(fā)光器件的轉(zhuǎn)移方法。

背景技術(shù)

微發(fā)光二極管(Micro?Light?Emitting?Diode，Micro?LED)顯示面板具有低功耗、高亮度、高色彩飽和度、反應(yīng)速度快、厚度薄以及壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，具有廣泛的應(yīng)用前景。

現(xiàn)有Micro?LED的巨量轉(zhuǎn)移方法主要激光轉(zhuǎn)移技術(shù)，但目前激光轉(zhuǎn)移技術(shù)在采用激光剝離(Laser?Lift?off，LLO)的方式剝離Micro?LED的生長(zhǎng)基板之后，會(huì)產(chǎn)生異物聚集的現(xiàn)象，異物附著會(huì)影響激光釋放層的去除，導(dǎo)致后續(xù)激光釋放良率下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種暫態(tài)基板組件及其制備方法、發(fā)光器件的轉(zhuǎn)移方法，以提高激光釋放良率。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種暫態(tài)基板組件，包括暫態(tài)基板以及位于所述暫態(tài)基板一側(cè)的犧牲層、激光釋放層和多個(gè)發(fā)光器件；

所述犧牲層上形成有多個(gè)通槽，所述多個(gè)通槽和所述多個(gè)發(fā)光器件對(duì)應(yīng)設(shè)置；

所述激光釋放層位于所述通槽中，所述發(fā)光器件與對(duì)應(yīng)的所述通槽中的所述激光釋放層鍵合連接。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種暫態(tài)基板組件的制備方法，包括：

在暫態(tài)基板一側(cè)制備犧牲材料層；

在所述犧牲材料層上制備多個(gè)通槽，形成犧牲層；

在所述犧牲層背離所述暫態(tài)基板的一側(cè)制備激光釋放材料層；

對(duì)所述激光釋放材料層進(jìn)行刻蝕，以暴露所述犧牲層，形成激光釋放層，所述激光釋放層位于所述通槽中；

將位于生長(zhǎng)基板上的發(fā)光器件與所述激光釋放層進(jìn)行鍵合連接；

剝離所述生長(zhǎng)基板。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種發(fā)光器件的轉(zhuǎn)移方法，包括：

提供第一方面所述的暫態(tài)基板組件；

去除所述暫態(tài)基板組件上的所述犧牲層；

將所述暫態(tài)基板組件上的至少部分所述發(fā)光器件轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移基板上。

本發(fā)明實(shí)施例提供的暫態(tài)基板組件及其制備方法、發(fā)光器件的轉(zhuǎn)移方法，在暫態(tài)基板一側(cè)設(shè)置犧牲層，并在犧牲層上形成與多個(gè)發(fā)光器件對(duì)應(yīng)的多個(gè)通槽，在通槽中設(shè)置激光釋放層，發(fā)光器件與對(duì)應(yīng)通槽中的激光釋放層連接。如此設(shè)置，在形成暫態(tài)基板組件的過(guò)程中，剝離生長(zhǎng)基板產(chǎn)生的異物會(huì)附著到犧牲層上，后續(xù)在將暫態(tài)基板組件上的至少部分發(fā)光器件由暫態(tài)基板轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移基板上時(shí)，附著在犧牲層上的異物可隨犧牲層一起被去除，從而可保證相鄰發(fā)光器件之間不會(huì)被受異物影響而殘留的激光釋放層粘結(jié)在一起，在后續(xù)將部分發(fā)光器件由暫態(tài)基板轉(zhuǎn)移時(shí)，發(fā)光器件不會(huì)受到殘留的激光釋放層影響而無(wú)法被正常釋放，提高了激光釋放良率。

應(yīng)當(dāng)理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標(biāo)識(shí)本發(fā)明的實(shí)施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過(guò)以下的說(shuō)明書而變得容易理解。

附圖說(shuō)明