[發(fā)明專利]一種硅基OLED微腔陽極結構的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310697321.0
• 申請日: 2023-06-13
• 公開（公告）號: CN116600621A
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發(fā)明（設計）人: 張亞飛;劉曉佳;劉勝芳;趙錚濤
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H10K71/60
• 分類號: H10K71/60;H10K59/80;H10K50/813;H10K50/816;H10K50/818
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 孟迪

一種硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，屬于硅基OLED微腔器件技術領域，該硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，包括以下步驟：在襯底上進行黃光制程，保留襯底上兩相鄰子像素之間的光刻膠；沉積金屬反射層后，沉積多層導電膜層，在相鄰兩層導電膜層沉積之間進行包括負性光刻膠涂布的黃光制程以保留一種子像素上方的負性光刻膠；去除光刻膠后得到微腔陽極結構，本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明減少了工藝流程，提高了制備效率，減少干法刻蝕設備和化學氣相沉積設備數量，降低了制備成本，而且可以增加產品良率及性能。

技術領域

本發(fā)明涉及硅基OLED微腔器件技術領域，尤其涉及一種硅基OLED微腔陽極結構的制備方法。

背景技術

目前硅基Micro?OLED微顯示的市場需求，加速推動著其制備工藝的改善及優(yōu)化。目前，因硅基Micro?OLED器件的制備良率較低，為避免較大的良率損失，目前陽極結構普遍選擇簡單的單層厚度結構，此結構工藝簡單，但因陽極子像素厚度相同，在搭配后續(xù)的彩色濾光層時，無法有效的匹配，造成器件的光色不純，出光效率不高。為了器件的出光更純，效率更高，則需要器件的BGR具備不同的腔長。OLED厚度均相同，為得到不同的腔長，故需要器件陽極的BGR子像素陽極厚度不同，即為微腔器件。

傳統(tǒng)具有微腔結構的陽極制作使用Hard?Mask工藝，需要經過多次物理沉積鍍膜、化學沉積鍍膜、黃光工藝、干法刻蝕及濕法剝離工藝等，工藝步驟較多，對生產設備要求較高，且造成產能浪費及良率損失。

如公開號為CN113380967A的專利公開了一種強微腔器件疊層陽極的制備方法，包括以下步驟：步驟為：S1.金屬金屬反射層及B陽極成膜；S2.B-HM制備；B-HM制備時，對完成B陽極工藝的wafer進行PECVD成膜工藝，選擇SiO或SiN膜層，膜層厚度選擇3000A～4000A；S3.G-陽極制備；S4.G-HM制備；S5.R-陽極制備；S6.HM去除，完成疊層陽極制備。該制備方法通過物理沉積鍍膜、化學沉積鍍膜、黃光工藝、光刻和濕法剝離工藝，通過四道m(xù)ask工藝完成疊層陽極的制備。對設備及工藝要求較高，且過程復雜，而且多次刻蝕會增加底部膜層損傷的風險，影響器件的性能。

發(fā)明內容

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，不使用Hard?mask做為阻擋層，只需要物理沉積鍍膜及黃光工藝、濕法剝離工藝即可得到微腔結構的陽極，減少了工藝流程，提高了制備效率，減少干法刻蝕設備和化學氣相沉積設備數量，降低了制備成本，而且可以增加產品良率及性能。

為實現上述目的，本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：所述硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，包括以下步驟：

步驟1：在襯底上進行黃光制程，保留襯底上兩相鄰子像素之間的光刻膠；

步驟2：沉積金屬反射層后，沉積多層導電膜層，在相鄰兩層導電膜層沉積之間進行包括負性光刻膠涂布的黃光制程以保留一種子像素上方的負性光刻膠；

步驟3：去除光刻膠后得到微腔陽極結構。

所述步驟1之前進行襯底的制備，包括在硅片基板上制備CMOS驅動電路，形成CMOS基板襯底。

所述步驟1的具體工藝步驟為：

1)在襯底上整面涂布光刻膠層Ⅰ；

2)經曝光、顯影、烘烤后保留襯底上兩相鄰子像素之間的呈底切輪廓的光刻膠層Ⅰ。

在襯底上涂布的光刻膠層Ⅰ采用負性光刻膠或正性光刻膠，通過低光劑量的情況下進行曝光、顯影、烘烤后，保留底上兩相鄰子像素之間的光刻膠層Ⅰ，使光刻膠層Ⅰ呈底切輪廓。

所述金屬反射層采用具有良好導電和反射率的材料沉積，采用的材料包括Ti、Al、TiN或Ag；所述導電膜層采用功函數高的透明導電氧化物薄膜沉積，采用的材料包括ITO或IZO。