[發明專利]一種硅基OLED微腔陽極結構的制備方法

在審

• 申請號: 202310697321.0
• 申請日: 2023-06-13
• 公開（公告）號: CN116600621A
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 張亞飛;劉曉佳;劉勝芳;趙錚濤
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H10K71/60
• 分類號: H10K71/60;H10K59/80;H10K50/813;H10K50/816;H10K50/818
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 孟迪

1.一種硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：在襯底上進行黃光制程，保留襯底上兩相鄰子像素之間的光刻膠；

步驟2：沉積金屬反射層后，沉積多層導電膜層，在相鄰兩層導電膜層沉積之間進行包括負性光刻膠涂布的黃光制程以保留一種子像素上方的負性光刻膠；

步驟3：去除光刻膠后得到微腔陽極結構。

2.根據權利要求1所述的硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于：所述步驟1之前進行襯底的制備，包括在硅片基板上制備CMOS驅動電路，形成CMOS基板襯底。

3.根據權利要求1所述的硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于：所述步驟1的具體工藝步驟為：

1)在襯底上整面涂布光刻膠層Ⅰ；

2)經曝光、顯影、烘烤后保留襯底上兩相鄰子像素之間的呈底切輪廓的光刻膠層Ⅰ。

4.根據權利要求3所述的硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于：在襯底上涂布的光刻膠層Ⅰ采用負性光刻膠或正性光刻膠，通過低光劑量的情況下進行曝光、顯影、烘烤后，保留底上兩相鄰子像素之間的光刻膠層Ⅰ，使光刻膠層Ⅰ呈底切輪廓。

5.根據權利要求1所述的硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于：所述金屬反射層采用具有良好導電和反射率的材料沉積，采用的材料包括Ti、Al、TiN或Ag；所述導電膜層采用功函數高的透明導電氧化物薄膜沉積，采用的材料包括ITO或IZO。

6.根據權利要求1所述的硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于：所述步驟2中采用物理氣相沉積法沉積金屬反射層和多層導電膜層，所述導電膜層包括依次沉積的第一導電膜層、第二導電膜層和第三導電膜層。

7.根據權利要求6所述的硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于：所述襯底上的子像素種類包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素或第三子像素為藍色子像素、綠色子像素和紅色子像素中的一種。

8.根據權利要求7所述的硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于：所述步驟2的具體工藝步驟為：

1)沉積金屬反射層和第一導電膜層；

2)整面涂布負性光刻膠層Ⅱ，經曝光、顯影和烘烤后保留第一子像素上方的負性光刻膠層Ⅱ；

3)沉積第二導電膜層；

4)整面涂布負性光刻膠層Ⅲ，經曝光、顯影和烘烤后保留第二子像素上方的負性光刻膠層Ⅲ；

5)沉積第三導電膜層。

9.根據權利要求8所述的硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于：所述步驟2)在曝光第一子像素上方的負性光刻膠層Ⅱ之前，使用光罩覆蓋保護第一子像素上方負性光刻膠層Ⅱ以外的區域；所述步驟4)在曝光第二子像素上方的負性光刻膠層Ⅲ之前，使用光罩覆蓋保護第二子像素上方負性光刻膠層Ⅲ以外的區域。

10.根據權利要求8所述的硅基OLED微腔陽極結構的制備方法，其特征在于：所述步驟3得到的微腔陽極結構包括襯底，所述襯底上與所述第一子像素相對的位置依次沉積形成金屬反射層和第一導電膜層，所述襯底上與所述第二子像素相對的位置依次沉積形成金屬反射層、第一導電膜層和第二導電膜層，所述襯底上與所述第三子像素相對的位置依次沉積形成金屬反射層、第一導電膜層、第二導電膜層和第三導電膜層。