[發(fā)明專利]利用負(fù)電感消除寄生電感的振蕩抑制電路及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310658846.3
• 申請(qǐng)日: 2023-06-06
• 公開（公告）號(hào): CN116388546B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊鑫;劉巖超;李清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖南大學(xué)
• 主分類號(hào): H02M1/34
• 分類號(hào): H02M1/34
• 代理公司: 長(zhǎng)沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113
• 代理人: 王娟;曾利平

1.一種利用負(fù)電感消除寄生電感的振蕩抑制電路，其特征在于，所述振蕩抑制電路包括SiC?MOSFET管Q1、SiC?MOSFET管Q2、耦合線圈、寄生電感以及負(fù)電感模擬器；所述SiCMOSFET管Q2的漏極與所述耦合線圈的一次側(cè)電感的第一端連接，所述耦合線圈的一次側(cè)電感的第二端通過寄生電感與直流母線正極連接；所述SiC?MOSFET管Q2的源極與所述SiCMOSFET管Q1的漏極連接，所述SiC?MOSFET管Q1的源極與直流母線負(fù)極連接；所述耦合線圈的二次側(cè)電感與所述負(fù)電感模擬器串聯(lián)構(gòu)成二次側(cè)回路；

所述負(fù)電感模擬器的等效電感與所述耦合線圈、寄生電感之間的關(guān)系式為：

；

其中，L_eq為負(fù)電感模擬器的等效電感，M為耦合線圈的一次側(cè)電感與二次側(cè)電感之間的互感，L_loop為寄生電感，L₁為耦合線圈的一次側(cè)電感，L₂為耦合線圈的二次側(cè)電感。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用負(fù)電感消除寄生電感的振蕩抑制電路，其特征在于，所述負(fù)電感模擬器包括運(yùn)算放大器、電阻R1~R4以及電容C；所述運(yùn)算放大器的反相輸入端通過電阻R2與電阻R3的第一端連接，所述運(yùn)算放大器的同相輸入端通過電阻R1與電阻R3的第一端連接，所述電阻R3的第一端還與所述耦合線圈的二次側(cè)電感的第一端連接，所述運(yùn)算放大器的同相輸入端還依次通過電容C、電阻R4與所述耦合線圈的二次側(cè)電感的第二端連接，所述電阻R3的第二端、運(yùn)算放大器的輸出端分別與所述耦合線圈的二次側(cè)電感的第二端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用負(fù)電感消除寄生電感的振蕩抑制電路，其特征在于，所述運(yùn)算放大器采用運(yùn)算跨阻放大器，所述運(yùn)算跨阻放大器是基于電流反饋運(yùn)算放大器來搭建的，所述運(yùn)算跨阻放大器包括第一電流反饋運(yùn)算放大器和第二電流反饋運(yùn)算放大器，所述第一電流反饋運(yùn)算放大器的負(fù)電源端與所述第二電流反饋運(yùn)算放大器的反相輸入端連接，所述第一電流反饋運(yùn)算放大器的反相輸入端作為運(yùn)算跨阻放大器的同相輸入端，所述第二電流反饋運(yùn)算放大器的反相輸入端作為運(yùn)算跨阻放大器的反相輸入端，所述第二電流反饋運(yùn)算放大器的輸出端作為運(yùn)算跨阻放大器的輸出端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的利用負(fù)電感消除寄生電感的振蕩抑制電路，其特征在于，所述第一電流反饋運(yùn)算放大器和第二電流反饋運(yùn)算放大器均選用型號(hào)為AD844系列的放大器。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用負(fù)電感消除寄生電感的振蕩抑制電路，其特征在于，所述運(yùn)算放大器采用運(yùn)算跨阻放大器，所述運(yùn)算跨阻放大器是基于CMOS管來搭建的。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用負(fù)電感消除寄生電感的振蕩抑制電路，其特征在于，所述負(fù)電感模擬器的等效電感L_eq的計(jì)算公式為：

或；

其中，C為電容C的容值，R₁為電阻R1的阻值，R₂為電阻R2的阻值，R₃為電阻R3的阻值。