[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202310656630.3
• 申請日: 2023-06-05
• 公開（公告）號: CN116613173A
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 陳發祥;馬應海;劉啟迪
• 申請（專利權）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H10K59/121;H10K59/12
• 代理公司: 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505
• 代理人: 王海臣

本申請提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，解決了現有技術中陣列基板的制備成本較高的問題。其中，陣列基板包括襯底；溝道層，疊置在襯底的一側表面；以及氧化物膜層，位于襯底和溝道層之間，氧化物膜層的光透過率小于溝道層。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術

相關技術中，為了避免環境光對陣列基板中的金屬氧化物薄膜晶體管造成不良影響，通常會在金屬氧化物薄膜晶體管的靠近襯底的一側增設遮光層，導致陣列基板的制備成本增加。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，以解決現有技術中陣列基板的制備成本較高的問題。

本申請第一方面提供了一種陣列基板，包括：襯底；溝道層，疊置在襯底的一側表面；以及氧化物膜層，位于襯底和溝道層之間，氧化物膜層的光透過率小于溝道層。好處是，利用氧化物膜層113作為遮光層，氧化物膜層113和溝道層112可以通過一次黃光工藝同步進行圖形化，從而降低工藝成本。

結合第一方面，在一些可能的實現方式中，陣列基板還包括第一保護層，位于氧化物膜層和溝道層之間，第一保護層的遷移率小于溝道層；優選地，第一保護層的材料為金屬氧化物。好處是，溝道層和氧化物膜層的材料不同，第一保護層可以阻隔溝道層和氧化物膜層，防止氧化物膜層對溝道層造成不良影響。與此同時，第一保護層還可以阻擋來自于襯底方向的水氣和氧氣，防止水氣和氧氣進入溝道層，對溝道層造成影響。

結合第一方面，在一些可能的實現方式中，溝道層包括第一離子摻雜區和第二離子摻雜區；陣列基板還包括依次疊置在溝道層的遠離襯底一側的第一絕緣層、柵極層、第二絕緣層和金屬層，金屬層包括源極和漏極，源極連接第一離子摻雜區，漏極連接第二離子摻雜區。

結合第一方面，在一些可能的實現方式中，陣列基板還包括第二保護層，位于溝道層的遠離襯底的一側，第二保護層的遷移率小于溝道層；優選地，第一保護層的材料為金屬氧化物。好處是，第二保護層用于在進行離子注入，以形成第三離子摻雜區和第四離子摻雜區的過程中，阻擋注入離子進入溝道層，從而為溝道層提供保護。

結合第一方面，在一些可能的實現方式中，第二保護層包括第三離子摻雜區和第四離子摻雜區；陣列基板還包括依次疊置在溝道層的遠離襯底一側的第一絕緣層、柵極層、第二絕緣層和金屬層，金屬層包括源極和漏極，源極連接第三離子摻雜區，漏極連接第四離子摻雜區。

結合第一方面，在一些可能的實現方式中，在陣列基板的厚度方向上，氧化物膜層的正投影和溝道層的正投影重合。

結合第一方面，在一些可能的實現方式中，氧化物膜層的材料包括二氧化鉬、三氧化鉬、二硫化鉬、銅銦硒、碲化鎘中的任一種。

結合第一方面，在一些可能的實現方式中，氧化物膜層的光透過率大于等于0％并且小于等于40％。好處是，確保氧化物膜層起到良好的遮光效果。

本申請第二方面提供了一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底上制備氧化物材料層和第一金屬氧化物材料層；采用一次黃工工藝對氧化物材料層和第一金屬氧化物材料層同步圖形化，分別得到氧化物膜層和溝道層；制備與溝道層接觸的源極區和漏極區；在溝道層的遠離襯底的一側依次制備第一絕緣層、柵極層、第二絕緣層、金屬層、平坦化層、陽極層和像素定義層，得到陣列基板。

本申請第三方面提供了一種顯示面板，包括上述任一實施例提供的陣列基板。

根據本申請實施例提供的陣列基板及其制備方法、顯示面板，利用氧化物膜層作為遮光層。這種情況下，氧化物膜層和溝道層可以通過一次黃光工藝同步進行圖形化，從而降低工藝成本。

附圖說明

圖1為相關技術中的陣列基板的局部結構示意圖。