[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310656630.3
• 申請(qǐng)日: 2023-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN116613173A
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳發(fā)祥;馬應(yīng)海;劉啟迪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H10K59/121;H10K59/12
• 代理公司: 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505
• 代理人: 王海臣

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

溝道層，疊置在所述襯底的一側(cè)表面；以及

氧化物膜層，位于所述襯底和所述溝道層之間，所述氧化物膜層的光透過率小于所述溝道層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括第一保護(hù)層，位于所述氧化物膜層和所述溝道層之間，所述第一保護(hù)層的遷移率小于所述溝道層；

優(yōu)選地，所述第一保護(hù)層的材料為金屬氧化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述溝道層包括第一離子摻雜區(qū)和第二離子摻雜區(qū)；所述陣列基板還包括依次疊置在所述溝道層的遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第一絕緣層、柵極層、第二絕緣層和金屬層，所述金屬層包括源極和漏極，所述源極連接所述第一離子摻雜區(qū)，所述漏極連接所述第二離子摻雜區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括第二保護(hù)層，位于所述溝道層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第二保護(hù)層的遷移率小于所述溝道層；

優(yōu)選地，所述第二保護(hù)層的材料為金屬氧化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二保護(hù)層包括第三離子摻雜區(qū)和第四離子摻雜區(qū)；所述陣列基板還包括依次疊置在所述溝道層的遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第一絕緣層、柵極層、第二絕緣層和金屬層，所述金屬層包括源極和漏極，所述源極連接所述第三離子摻雜區(qū)，所述漏極連接所述第四離子摻雜區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板的厚度方向上，所述氧化物膜層的正投影和所述溝道層的正投影重合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物膜層的材料包括二氧化鉬、三氧化鉬、二硫化鉬、銅銦硒、碲化鎘中的任一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物膜層的光透過率大于等于0％并且小于等于40％。

9.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上制備氧化物材料層和第一金屬氧化物材料層；

采用一次黃光工藝對(duì)所述氧化物材料層和所述第一金屬氧化物材料層同步圖形化，分別得到氧化物膜層和溝道層；

制備與所述溝道層接觸的源極區(qū)和漏極區(qū)；

在所述溝道層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)依次制備第一絕緣層、柵極層、第二絕緣層、金屬層、平坦化層、陽極層和像素定義層，得到陣列基板。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的陣列基板。