[發明專利]PCB背鉆方法、控制器及設備

在審

• 申請號: 202310652864.0
• 申請日: 2023-06-02
• 公開（公告）號: CN116567935A
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 林淡填;劉海龍;韓雪川;吳杰
• 申請（專利權）人: 深南電路股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325
• 代理人: 張小燕

1.一種PCB背鉆方法，其特征在于，包括：

獲取待加工PCB對應的PCB背鉆請求，所述PCB背鉆請求包括待加工通孔參數、待加工PCB參數和目標半固化片對應的半固化片參數；

基于所述待加工通孔參數、所述待加工PCB參數和所述半固化片參數，確定所述目標半固化片對應的目標厚度；

基于所述目標厚度和所述待加工PCB參數，在所述待加工PCB上所述待加工通孔參數對應的待加工通孔上進行背鉆，得到目標背鉆通孔。

2.如權利要求1所述的PCB背鉆方法，其特征在于，所述基于所述待加工通孔參數、所述待加工PCB參數和所述半固化片參數，確定所述目標半固化片對應的目標厚度，包括：

基于所述待加工通孔參數和所述半固化片參數，確定局部半固化片流動區域；

基于所述半固化片參數和所述待加工PCB參數，確定所述局部半固化片流動區域內所述目標半固化片對應的目標厚度。

3.如權利要求2所述的PCB背鉆方法，其特征在于，所述待加工通孔參數包括待加工通孔坐標；所述半固化片參數包括半固化片流動系數；

所述基于所述待加工通孔參數和所述半固化片參數，確定局部半固化片流動區域，包括：

基于所述半固化片流動系數，確定目標流動面積；

基于所述待加工通孔坐標和所述目標流動面積，確定以所述待加工通孔坐標為中心的所述局部半固化片流動區域。

4.如權利要求2所述的PCB背鉆方法，其特征在于，所述基于所述半固化片參數和所述待加工PCB參數，確定所述局部半固化片流動區域內所述目標半固化片對應的目標厚度：

基于所述待加工PCB參數，確定所述局部半固化片流動區域內每一層PCB板的目標殘銅率；

基于半固化片參數、所述待加工PCB參數和所述目標殘銅率，確定所述局部半固化片流動區域內所述目標半固化片對應的目標厚度。

5.如權利要求4所述的PCB背鉆方法，其特征在于，所述半固化片參數包括初始半固化片厚度；所述待加工PCB參數包括初始PCB厚度和每一金屬層厚度；

所述基于半固化片參數、所述待加工PCB參數和所述目標殘銅率，確定所述局部半固化片流動區域內所述目標半固化片對應的目標厚度，包括：

檢測所述待加工PCB對應的實際PCB厚度；

基于所述實際PCB厚度和所述初始PCB厚度，確定第一計算參數；

基于所述目標半固化片中每一金屬層對應的金屬層厚度和目標殘銅率，確定第二計算參數；

基于所述初始半固化片厚度、所述第一計算參數和所述第二計算參數，確定所述待加工PCB中所述目標半固化片對應的所述目標厚度。

6.如權利要求5所述的PCB背鉆方法，其特征在于，所述基于所述實際PCB厚度和所述初始PCB厚度，確定第一計算參數，包括：根據所述實際PCB厚度和所述初始PCB厚度，確定厚度差值，將所述厚度差值與所述初始PCB厚度之間的商值確定為所述第一計算參數。

7.如權利要求5所述的PCB背鉆方法，其特征在于，所述基于所述目標半固化片中每一金屬層對應的金屬層厚度和目標殘銅率，確定第二計算參數，包括：

根據所述目標半固化片中每一金屬層對應的金屬層厚度和目標殘銅率，確定每一金屬層對應的實際金屬厚度；

將相鄰兩層所述金屬層對應的實際金屬厚度之和確定為第一目標參數，與所有所述金屬層對應的實際金屬厚度之和確定為第二目標參數，將所述第一目標參數與所述第二目標參數的商值，確定為第二計算參數。

8.如權利要求1所述的PCB背鉆方法，其特征在于，所述基于所述目標厚度和所述待加工PCB參數，在所述待加工PCB上所述待加工通孔參數對應的待加工通孔上進行背鉆，得到目標背鉆通孔，包括：

基于所述目標厚度和所述待加工PCB參數，確定背鉆深度；

基于所述背鉆深度，控制鉆孔設備在所述待加工PCB的待加工通孔上進行背鉆，得到目標背鉆通孔。