[發(fā)明專利]PCB背鉆方法、控制器及設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310652864.0
• 申請日: 2023-06-02
• 公開（公告）號: CN116567935A
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林淡填;劉海龍;韓雪川;吳杰
• 申請（專利權(quán)）人: 深南電路股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標(biāo)代理事務(wù)所(普通合伙) 44325
• 代理人: 張小燕

本發(fā)明公開了一種PCB背鉆方法、控制器及設(shè)備，包括：獲取待加工PCB對應(yīng)的PCB背鉆請求，PCB背鉆請求包括待加工通孔參數(shù)、待加工PCB參數(shù)和目標(biāo)半固化片對應(yīng)的半固化片參數(shù)；基于待加工通孔參數(shù)、待加工PCB參數(shù)和半固化片參數(shù)，確定目標(biāo)半固化片對應(yīng)的目標(biāo)厚度；基于目標(biāo)厚度和待加工PCB參數(shù)，在待加工PCB上待加工通孔參數(shù)對應(yīng)的待加工通孔上進行背鉆，得到目標(biāo)背鉆通孔。本技術(shù)方案能夠避免目標(biāo)半固化片因流膠對背鉆精度造成的影響，實現(xiàn)背鉆的高精度控制。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及PCB技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種PCB背鉆方法、控制器及設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品功能多樣化及集成化的發(fā)展趨勢，印制電路板(Printed?CircuitBoard，印制電路板，簡稱PCB)的層數(shù)和分布密度也越來越高，導(dǎo)致板厚和介厚的均勻性越來越差，且PCB上線路圖形分布不規(guī)則性，因此，嚴(yán)重影響PCB背鉆及阻抗的控制。目前，理論板厚/介厚計算僅按不同的PCB層進行區(qū)分，沒有實現(xiàn)PCB板面不同位置介厚計算，因此難以達到不同背鉆孔隨介厚變化實現(xiàn)不同控深，造成背鉆精度難以控制。為了解決這個問題，行業(yè)內(nèi)有采用分區(qū)或分孔測板厚補償方法，但是這種方法存在較明顯誤差。因此，如何提高背鉆精度成為目前亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種PCB背鉆方法、控制器及設(shè)備，以解決現(xiàn)有PCB背鉆方法的背鉆精度較差的問題。

一種PCB背鉆方法，包括：

獲取待加工PCB對應(yīng)的PCB背鉆請求，所述PCB背鉆請求包括待加工通孔參數(shù)、待加工PCB參數(shù)和目標(biāo)半固化片對應(yīng)的半固化片參數(shù)；

基于所述待加工通孔參數(shù)、所述待加工PCB參數(shù)和所述半固化片參數(shù)，確定所述目標(biāo)半固化片對應(yīng)的目標(biāo)厚度；

基于所述目標(biāo)厚度和所述待加工PCB參數(shù)，在所述待加工PCB上所述待加工通孔參數(shù)對應(yīng)的待加工通孔上進行背鉆，得到目標(biāo)背鉆通孔。

進一步地，所述基于所述待加工通孔參數(shù)、所述待加工PCB參數(shù)和所述半固化片參數(shù)，確定所述目標(biāo)半固化片對應(yīng)的目標(biāo)厚度，包括：

基于所述待加工通孔參數(shù)和所述半固化片參數(shù)，確定局部半固化片流動區(qū)域；

基于所述半固化片參數(shù)和所述待加工PCB參數(shù)，確定所述局部半固化片流動區(qū)域內(nèi)所述目標(biāo)半固化片對應(yīng)的目標(biāo)厚度。

進一步地，所述待加工通孔參數(shù)包括待加工通孔坐標(biāo)；所述半固化片參數(shù)包括半固化片流動系數(shù)；

所述基于所述待加工通孔參數(shù)和所述半固化片參數(shù)，確定局部半固化片流動區(qū)域，包括：

基于所述半固化片流動系數(shù)，確定目標(biāo)流動面積；

基于所述待加工通孔坐標(biāo)和所述目標(biāo)流動面積，確定以所述待加工通孔坐標(biāo)為中心的所述局部半固化片流動區(qū)域。

進一步地，所述基于所述半固化片參數(shù)和所述待加工PCB參數(shù)，確定所述局部半固化片流動區(qū)域內(nèi)所述目標(biāo)半固化片對應(yīng)的目標(biāo)厚度：

基于所述待加工PCB參數(shù)，確定所述局部半固化片流動區(qū)域內(nèi)每一層PCB板的目標(biāo)殘銅率；

基于半固化片參數(shù)、所述待加工PCB參數(shù)和所述目標(biāo)殘銅率，確定所述局部半固化片流動區(qū)域內(nèi)所述目標(biāo)半固化片對應(yīng)的目標(biāo)厚度。

進一步地，所述半固化片參數(shù)包括初始半固化片厚度；所述待加工PCB參數(shù)包括初始PCB厚度和每一金屬層厚度；

所述基于半固化片參數(shù)、所述待加工PCB參數(shù)和所述目標(biāo)殘銅率，確定所述局部半固化片流動區(qū)域內(nèi)所述目標(biāo)半固化片對應(yīng)的目標(biāo)厚度，包括：

檢測所述待加工PCB對應(yīng)的實際PCB厚度；