[發明專利]一種增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝

在審

• 申請號: 202310634041.5
• 申請日: 2023-05-31
• 公開（公告）號: CN116669468A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 孫晨;李維維;卞建業
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H10K59/12
• 分類號: H10K59/12;H10K59/121;H10K59/122;H10K59/123;H10K71/12;H10K71/15;H10K71/16
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 曹政

本發明公開了一種增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，主要是在像素定義層底部制備陽極反射層，使得斜射入PDL的光能夠通過該反射層反射(副反射層)，達到增強出光的效果。通過對OLED顯示器件的PDL區域陽極圖案化，增加陽極側發射面積來增強反射，從而提升OLED的出光效率。

技術領域

本發明屬于OLED技術領域，尤其涉及一種增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝。

背景技術

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

Micro?OLED(Organic?Light?Emitting?Display)是一種微型OLED顯示技術，主要應用于特種軍用顯示(槍支瞄準鏡/單兵作戰頭盔顯示器/飛行員頭盔等)以及民用消費電子領域(AR/VR/微型投影儀/航空拍攝等)，Micro?OLED具有體積小/重量輕/功耗低/對比度高/分辨率高等優點，預計在接下來幾年將會迎來爆發式增長。同時，OLED各結構層中也存在著光的吸收，對于一個常規的OLED器件，其發光效率只有20％左右，因此，較低的發光效率也是限制OLED高效發光設備發展的一個重要因素。

CN107403881A-一種增強OLED光取出的散射膜及其制備方法，公開了一種增強OLED光取出的散射膜及其制備方法，屬于有機發光半導體領域。該制備方法，包括：將制膜溶液分散后涂覆于基底的出光面并進行固化；其中，制膜溶液按重量份數計包括：高折射率散射納米顆粒10～15份、固化膠5～20份、分散劑0.05～1份、流平劑0.1～5份和消泡劑0.5～1份。也無法解決上述技術問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，主要是在像素定義層底部制備陽極反射層，使得斜射入PDL的光能夠通過該反射層反射(副反射層)，達到增強出光的效果。

為了解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案是：一種增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，包括如下步驟：

1)在硅襯底上制備陽極，其中陽極的全反射電極包括但不限于Al、Ag，陽極包括但不限于單層或復合層陽極；在陽極圖案化制程中對PDL投影正下方區域預留陽極金屬層-副反射層，副反射層面積小于PDL底面積；

2)在步驟1)的基板上制作像素定義層PDL，該PDL完全包覆正下方的副反射層圖案；

3)在步驟3)的基板上制備OLED層，OLED層包括空穴注入/傳輸層、有機發光層、電子注入/傳輸層、cathode、CPL；

4)制備TFE層，制備方法包括但不限于ALD、PECVD、IJP，膜層結構為Al2O3、TiO2、ATO、SiN、SiON、SiO、亞克力系有物、環氧樹脂系有機物等膜層中的一種或幾種之間的任意組合；

5)完成后續黃光及模組制程。

上述第1)步中，反射層厚度在100-300nm。

上述第1)步中，包括如下步驟：

A.在基板表面沉積陽極結構；

B.干法刻蝕，刻出陽極和PDL正投影下方的副反射層圖形；

C.再沉積SiN或其他透明材質；

D.進行黃光光刻：采用黃光光刻工藝進行刻蝕SiN，使其露出PDL圖形；刻蝕之后，SiN在陽極圖形表面有部分搭接。