[發明專利]一種增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝

在審

• 申請號: 202310634041.5
• 申請日: 2023-05-31
• 公開（公告）號: CN116669468A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 孫晨;李維維;卞建業
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H10K59/12
• 分類號: H10K59/12;H10K59/121;H10K59/122;H10K59/123;H10K71/12;H10K71/15;H10K71/16
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 曹政

1.一種增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，其特征在于，包括如下步驟：

1)在硅襯底上制備陽極，其中陽極的全反射電極包括但不限于Al、Ag，陽極包括但不限于單層或復合層陽極；在陽極圖案化制程中對PDL投影正下方區域預留陽極金屬層-副反射層，副反射層面積小于PDL底面積；

2)在步驟1)的基板上制作像素定義層PDL，該PDL完全包覆正下方的副反射層圖案；

3)在步驟3)的基板上制備OLED層，OLED層包括空穴注入/傳輸層、有機發光層、電子注入/傳輸層、cathode、CPL；

4)制備TFE層，制備方法包括但不限于ALD、PECVD、IJP，膜層結構為Al2O3、TiO2、ATO、SiN、SiON、SiO、亞克力系有物、環氧樹脂系有機物等膜層中的一種或幾種之間的任意組合；

5)完成后續黃光及模組制程。

2.如權利要求1所述的增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，其特征在于，上述第1)步中，反射層厚度在100-300nm。

3.如權利要求2所述的增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，其特征在于，上述第1)步中，包括如下步驟：

A.在基板表面沉積陽極結構；

B.干法刻蝕，刻出陽極和PDL正投影下方的副反射層圖形；

C.再沉積SiN或其他透明材質；

D.進行黃光光刻：采用黃光光刻工藝進行刻蝕SiN，使其露出PDL圖形；刻蝕之后，SiN在陽極圖形表面有部分搭接。

4.如權利要求3所述的增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，其特征在于，上述第A)步中，在基板Si基表面沉積不同金屬疊層的陽極結構；先沉積Ti層，厚度5-15nm；再沉積Al或Ag層，厚度80-300nm；再沉積TiN層，厚度1-5nm；最后沉積ITO層，厚度10-50nm；步驟B)中，所述干法刻蝕，刻出陽極圖形，具體刻蝕方法為：在陽極結構上依次做涂膠、曝光、顯影，做出陽極圖形；刻蝕所需的ICP?power為400W，偏壓功率Bias為150W，所用氣體Cl2是15sccm，BCl3為20sccm，SF6為5sccm，刻蝕49s，此時刻蝕的陽極結構厚度，溝道處有12-16nm厚度的基板過刻。

5.如權利要求4所述的增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，其特征在于，步驟C)中沉積SiN的具體工藝為：沉積功率為500W，SiH4流量80sccm，NH3為150sccm，N2選擇為200sccm，沉積72-76s，沉積120-130nm的SiN層；步驟D)具體為：采用黃光光刻工藝進行刻蝕SiN，使其露出PDL圖形，刻蝕工藝選擇ICP功率200-250W，偏心功率Bias為18-25W，CF4設置為10-15sccm，O2設置為10-15sccm，刻蝕時間設置40-80s。

6.如權利要求5所述的增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，其特征在于，上述第2)步中，像素定義層PDL包括但不限于SiN、SiON、SiO、亞克力系有物、環氧樹脂系有機物等膜層中的一種或幾種之間的任意組合，制備方法包括但不限于CVD沉積、旋涂機旋涂工藝；該像素定義層PDL結構為透明材質，是指透射通過其中的可見光波長范圍內的入射光的至少50％；通過形狀包括但不限于正/倒梯形、圓臺；該膜層厚度控制在15-50nm,與陽極接觸的tapper角小于50°；該PDL完全包覆正下方的副反射層圖案。

7.如權利要求6所述的增強OLED出光的顯示裝置的制作工藝，其特征在于，上述第3)步中，使用蒸鍍機設備，進行OLED器件總膜層厚度在60-350nm蒸鍍工藝作業；其中，沉積在陽極表面的是空穴注入層，厚度5-20nm，摻雜濃度1-5wt％，其次是空穴傳輸層，厚度10-200nm；接著是R/G/B發光層，根據器件結構，厚度在10-80nm，再次是電子傳輸層，厚度在20-40nm，隨后是電子注入層以及陰極10-20nm，透光率不小于25％，陰極是Ag、Mg共蒸工藝，Mg與Ag的比例關系為9：1；最后是，還輔助以光輸出耦合層。