[發明專利]鍍層表面晶花品質數據確定方法、裝置、電子設備及介質在審
| 申請號: | 202310600196.7 | 申請日: | 2023-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN116542957A | 公開(公告)日: | 2023-08-04 |
| 發明(設計)人: | 許秀飛 | 申請(專利權)人: | 中冶賽迪上海工程技術有限公司 |
| 主分類號: | G06T7/00 | 分類號: | G06T7/00;G06T7/60;G06T5/50 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 張雙鳳 |
| 地址: | 200940 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍層 表面 品質 數據 確定 方法 裝置 電子設備 介質 | ||
1.一種鍍層表面晶花品質數據確定方法,其特征在于,所述方法包括:
獲取待識別鍍層表面的多張初始表面圖像,其中,各所述初始表面圖像采集時的光照狀態不同;
將多張初始表面圖像進行圖像融合,得到融合圖像;
識別所述融合圖像中的每一晶花,并確定各所述晶花的初始晶花大??;
根據全部晶花的初始晶花大小的差異情況確定晶花均勻程度和晶花表征尺寸;
基于所述晶花均勻程度、所述晶花表征尺寸和晶花數量中至少之一確定所述待識別鍍層表面的晶花品質數據,所述晶花數量為識別到所述融合圖像中的晶花的數量。
2.如權利要求1所述的鍍層表面晶花品質數據確定方法,其特征在于,獲取待識別鍍層表面的多張初始表面圖像之前,所述方法還包括:
多次調整發光裝置相對于所述待識別鍍層表面的第一相對位置,以調整所述初始表面圖像采集時的光照狀態,所述發光裝置用于為所述待識別鍍層表面提供光照;
每一次完成所述發光裝置的第一相對位置的調整后,采集得到一張初始表面圖像。
3.如權利要求1所述的鍍層表面晶花品質數據確定方法,其特征在于,獲取待識別鍍層表面的多張初始表面圖像之前,所述方法還包括:
多次控制所述待識別鍍層表面進行平面旋轉,以調整所述初始表面圖像采集時的光照狀態;
每一次完成平面旋轉后,通過圖像采集裝置采集得到一張初始表面圖像,所述圖像采集裝置與所述待識別鍍層表面的第二相對位置保持不變。
4.如權利要求1-3任一項所述的鍍層表面晶花品質數據確定方法,其特征在于,將多張初始表面圖像進行圖像融合,得到融合圖像,包括:
提取每一初始表面圖像中各晶花的樹枝晶特征圖像,得到每一晶花的多個初始樹枝晶特征圖像;
將一晶花的多個初始樹枝晶特征圖像進行融合,得到所述一晶花的清晰樹枝晶特征圖像;
將包括有全部晶花的清晰樹枝晶特征圖像確定為融合圖像。
5.如權利要求1-3任一項所述的鍍層表面晶花品質數據確定方法,其特征在于,識別所述融合圖像中的每一晶花,并確定各所述晶花的初始晶花大小,包括:
將所述融合圖像輸入晶花識別模型中,得到識別結果,所述識別結果包括所述融合圖像中每一晶花的晶花位置和初始晶花大?。?/p>
其中,所述晶花識別模型的訓練方式包括,
獲取多個樣本晶花數據,所述樣本晶花數據包括樣本晶花圖像、樣本晶花圖像中的晶花標注位置、以及晶花標注大?。?/p>
以多個樣本晶花數據對預設基礎模型進行訓練,直至預設基礎模型收斂,將訓練后的預設基礎模型作為晶花識別模型。
6.如權利要求1-3任一項所述的鍍層表面晶花品質數據確定方法,其特征在于,所述晶花表征尺寸包括全部晶花的初始晶花大小的平均大小、眾數大小和中位數大小中任意之一。
7.如權利要求1-3任一項所述的鍍層表面晶花品質數據確定方法,其特征在于,所述晶花均勻程度的確定方式包括,確定全部晶花的初始晶花大小的標準差,將所述標準差所對應的預設均勻程度作為所述晶花均勻程度。
8.一種鍍層表面晶花品質數據確定裝置,其特征在于,所述裝置包括:
圖像獲取模塊,用于獲取待識別鍍層表面的多張初始表面圖像,其中,各所述初始表面圖像采集時的光照狀態不同;
圖像融合模塊,用于將多張初始表面圖像進行圖像融合,得到融合圖像;
晶花識別模塊,用于識別所述融合圖像中的每一晶花,并確定各所述晶花的初始晶花大??;
確定模塊,用于根據全部晶花的初始晶花大小的差異情況確定晶花均勻程度和晶花表征尺寸;
晶花品質數據生成模塊,用于基于所述晶花均勻程度、所述晶花表征尺寸和晶花數量中至少之一生成所述待識別鍍層表面的晶花品質數據,所述晶花數量為識別到所述融合圖像中的晶花的數量。
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