[發(fā)明專利]鈣鈦礦電池的制備方法及鈣鈦礦電池

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310595790.1
• 申請(qǐng)日: 2023-05-23
• 公開（公告）號(hào): CN116669500A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 請(qǐng)求不公布姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旗濱新能源發(fā)展（深圳）有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H10K71/00
• 分類號(hào): H10K71/00;H10K85/50;H10K30/40;H10K30/50
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 龔健

1.一種鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在導(dǎo)電基底的表面自下而上依次制備第一傳輸層、過渡層和絕緣層，所述絕緣層部分穿過所述過渡層與所述第一傳輸層接觸；

在所述絕緣層背離所述第一傳輸層的一側(cè)制備背電極層；

除去所述過渡層；

對(duì)所述絕緣層進(jìn)行造孔，并填充鈣鈦礦溶液，形成鈣鈦礦活性層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，所述第一傳輸層為電子傳輸層或者空穴傳輸層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，所述第一傳輸層為電子傳輸層，對(duì)所述電子傳輸層進(jìn)行造孔，形成具有孔隙結(jié)構(gòu)的電子傳輸層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，在所述背電極層靠近所述導(dǎo)電基底的一側(cè)制備第二傳輸層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，所述第二傳輸層為電子傳輸層或者空穴傳輸層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，用碳材料制備所述背電極層形成碳層，對(duì)所述碳層進(jìn)行造孔形成具有孔隙結(jié)構(gòu)的碳層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，在所述背電極層背離所述導(dǎo)電基底的一側(cè)制備金屬輔助層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，制備所述過渡層的材料包括高溫易揮發(fā)鹽類、可揮發(fā)性高分子化合物、可化學(xué)刻蝕去除的材料、感光樹脂中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，所述高溫易揮發(fā)鹽類包括碳酸銨、碳酸氫銨、氯化銨中的至少一種；

和/或，所述可揮發(fā)性高分子化合物包括聚甲基丙烯酸甲脂、聚乙烯醇縮丁醛、乙基纖維素中的至少一種；

和/或，所述可學(xué)化刻蝕去除的材料包括金屬氧化物或金屬，所述金屬氧化物包括AZO、IZO、ITO中的至少一種，所述金屬包括Al、Mo、Cu、Ag中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于，在所述制備過渡層的步驟中，對(duì)所述過渡層進(jìn)行刻蝕，使所述絕緣層部分穿過所述過渡層與所述第一傳輸層接觸；

和/或，在所述制備過渡層的步驟中，用光刻法對(duì)所述過渡層進(jìn)行加工，使所述絕緣層部分穿過所述過渡層與所述第一傳輸層接觸；

和/或，在所述制備過渡層的步驟中，通過印刷的方式制備所述過渡層，使所述絕緣層部分穿過所述過渡層與所述第一傳輸層接觸。

11.一種根據(jù)權(quán)利要求1至10任意一項(xiàng)所述鈣鈦礦電池的制備方法制備得到的鈣鈦礦電池。

12.一種鈣鈦礦電池，其特征在于，所述鈣鈦礦電池自下而上至少包括導(dǎo)電基底、第一傳輸層、絕緣層、背電極，所述絕緣層具有孔隙結(jié)構(gòu)和中空結(jié)構(gòu)，鈣鈦礦溶液填充至所述絕緣層中形成鈣鈦礦活性層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述第一傳輸層為電子傳輸層或空穴傳輸層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述鈣鈦礦電池還包括設(shè)于所述背電極層靠近所述導(dǎo)電基底一側(cè)的第二傳輸層，其中，當(dāng)所述第一傳輸層為電子傳輸層，所述第二傳輸層為空穴傳輸層，或，當(dāng)所述第一傳輸層為空穴傳輸層，所述第二傳輸層為電子傳輸層。

15.一種鈣鈦礦電池，其特征在于，所述鈣鈦礦電池自下而上依次包括導(dǎo)電基底、第一傳輸層、過渡層、絕緣層、背電極，所述絕緣層部分穿過所述過渡層和所述第一傳輸層接觸，所述絕緣層具有孔隙結(jié)構(gòu)，鈣鈦礦溶液填充至所述絕緣層中形成鈣鈦礦活性層。