[發(fā)明專利]一種具晶態(tài)/非晶界面的復(fù)合材料及其制備方法與光催化應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310560762.6 | 申請(qǐng)日: | 2023-05-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN116571253A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王軼男;陸佳妮;顧少楠;何妍妍;徐樹正;張本旺 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 齊魯工業(yè)大學(xué)(山東省科學(xué)院) |
| 主分類號(hào): | B01J27/051 | 分類號(hào): | B01J27/051;B01J35/08;C02F1/30;C02F101/30;C02F101/38 |
| 代理公司: | 濟(jì)南尚本知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 37307 | 代理人: | 董潔 |
| 地址: | 250353 山東*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶態(tài) 界面 復(fù)合材料 及其 制備 方法 光催化 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明涉及一種光催化用具晶態(tài)/非晶界面復(fù)合材料及其制備方法與應(yīng)用,該制備方法包括:制備Bisubgt;2/subgt;MoOsubgt;6/subgt;納米花;對(duì)Bisubgt;2/subgt;MoOsubgt;6/subgt;納米花進(jìn)行硫化處理;二價(jià)鈷離子Cosupgt;2+/supgt;與Ssupgt;2?/supgt;在其表面不飽和配位并原位生長(zhǎng)。制備得到的具晶態(tài)/非晶界面的S?Bisubgt;2/subgt;MoOsubgt;6/subgt;/α?CoS復(fù)合材料作為光催化材料,不僅可以提供更多反應(yīng)活性位點(diǎn),填補(bǔ)晶體材料的不足,并且還能夠通過(guò)非金屬摻雜和構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu),高效的提高光吸收效率劑氧化還原能力,進(jìn)一步促進(jìn)光催化性能的提升。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于新材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及光催化材料,具體涉及一種具晶態(tài)/非晶界面的復(fù)合材料及其制備方法與光催化應(yīng)用。
背景技術(shù)
這里的陳述僅提供與本發(fā)明有關(guān)的背景信息,而不必然構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。
阿莫西林(AMX)是一種具有抗生素耐藥性的氨芐西林,已被確定為一種新興的污染物。在這方面,由太陽(yáng)能驅(qū)動(dòng)的光催化技術(shù)被認(rèn)為是一種很有前途的和有效去除AMX的綠色技術(shù)。然而,光生電子-空穴復(fù)合率高、可見(jiàn)光吸收范圍窄和氧化還原能力低等一些局限性問(wèn)題嚴(yán)重阻礙了其實(shí)際應(yīng)用。
為解決這些缺點(diǎn),將兩種或兩種以上半導(dǎo)體材料復(fù)合以構(gòu)建異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的策略被提出。如申請(qǐng)公布號(hào)為CN114602509A的中國(guó)專利文獻(xiàn)公開(kāi)了一種富S缺陷的異質(zhì)結(jié)光催化劑的專利。通過(guò)在ZnIn2S4中引入S缺陷并在其上原位生長(zhǎng)In2Se3,構(gòu)建一種富S缺陷ZnIn2S4/In2Se3異質(zhì)結(jié)光催化劑,其在可見(jiàn)光下的分解水產(chǎn)氫速率可達(dá)34.81mmol·g-1·h-1且具有良好的循環(huán)穩(wěn)定性。但是本發(fā)明發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn),典型的晶體半導(dǎo)體材料由于具有規(guī)則有序的結(jié)構(gòu),很難充分暴露反應(yīng)活性位點(diǎn),限制了光催化性能的進(jìn)一步提高。
除此之外,本發(fā)明發(fā)明人還發(fā)現(xiàn),為了提高可見(jiàn)光吸收范圍,目前多采用單一摻雜進(jìn)行改性,但其增強(qiáng)光催化性能的效果有限,同時(shí)單一摻雜引入的缺陷而可能導(dǎo)致電子空穴對(duì)復(fù)合中心增加,導(dǎo)致最終光催化性能差強(qiáng)人意。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是之一是提供一種具晶態(tài)/非晶界面的復(fù)合材料及制備方法與光催化應(yīng)用,以解決現(xiàn)有的光生電子-空穴復(fù)合率高、可見(jiàn)光吸收范圍窄和氧化還原能力低等技術(shù)問(wèn)題;同時(shí)得到高性能的光催化降解抗生素材料。
具體的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面,提供一種具晶態(tài)/非晶界面的復(fù)合材料S-Bi2MoO6/α-CoS,包括硫摻雜的Bi2MoO6(S-Bi2MoO6)納米球和非晶材料α-CoS,所述非晶材料α-CoS生長(zhǎng)在所述S-Bi2MoO6納米球的表面上。根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面,提供所述具晶態(tài)/非晶界面的復(fù)合材料S-Bi2MoO6/α-CoS的制備方法,該方法包括以下步驟:
(1)制備由納米片組裝構(gòu)成的Bi2MoO6納米球;
(2)對(duì)Bi2MoO6納米球進(jìn)行硫化處理;
(3)二價(jià)鈷離子Co2+與S2-在其表面不飽和配位并原位生長(zhǎng)。
根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方面,提供所述具晶態(tài)/非晶界面的復(fù)合材料在光催化降解抗生素的應(yīng)用。
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