[發(fā)明專利]體聲波諧振器、用于制作體聲波諧振器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310552790.3
• 申請(qǐng)日: 2023-05-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116318029B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 請(qǐng)求不公布姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳新聲半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/17
• 分類號(hào): H03H9/17;H03H9/13;H03H3/02
• 代理公司: 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331
• 代理人: 陶俊潔

本申請(qǐng)涉及諧振器技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種體聲波諧振器、用于制作體聲波諧振器的方法，其中體聲波諧振器包括：第一電極結(jié)構(gòu)；第二電極結(jié)構(gòu)；壓電層，位于第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)之間；第一介質(zhì)層，位于壓電層和第二介質(zhì)層之間；第二介質(zhì)層，形成位于第一介質(zhì)層內(nèi)的第一方形凸起和第二方形凸起；第二介質(zhì)層通過(guò)第一方形凸起和第二方形凸起與壓電層圍合形成空腔；第二電極結(jié)構(gòu)至少一端位于空腔內(nèi)部；諧振載體，位于第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離第一介質(zhì)層的一側(cè)，連接第二介質(zhì)層。這樣，在刻蝕擁有方形凸起的體聲波諧振器的過(guò)程中，第二介質(zhì)層不需要淀積很厚，使得后續(xù)在使用CMP工藝時(shí)，需要減薄的第二介質(zhì)層少，從而降低了制作該體聲波諧振器的工藝成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及諧振器技術(shù)領(lǐng)域，例如涉及一種體聲波諧振器、用于制作體聲波諧振器的方法。

背景技術(shù)

在制作體聲波諧振器的過(guò)程中，通常會(huì)對(duì)淀積的材料進(jìn)行刻蝕形成錐形通孔，再在刻蝕后的材料上通過(guò)CVD（ChemicalVapor?Deposition，化學(xué)氣相沉積）工藝或ALD（atomic?layerdeposition，原子層沉積）工藝淀積新的材料以填充錐形通孔，然后通過(guò)CMP（chemicalmechanical?polish，化學(xué)機(jī)械研磨）工藝對(duì)新的材料進(jìn)行減薄，使其符合體聲波諧振器的制作要求。例如：在犧牲層上進(jìn)行刻蝕形成錐形通孔，再在刻蝕后的犧牲層上通過(guò)CVD或ALD工藝淀積截止邊界層或鍵合層以填充錐形通孔，然后通過(guò)CMP工藝對(duì)截止邊界層或鍵合層進(jìn)行減薄。但是，在淀積新的材料的過(guò)程中，新的材料通常同時(shí)淀積在錐形通孔底部、錐形通孔側(cè)壁和錐形通孔所在材料的外表面。而錐形通孔所在材料的外表面的淀積速率大于錐形通孔底部的淀積速率。因此，在新的材料填充滿錐形通孔的過(guò)程中，錐形通孔所在材料的外表面被淀積了很厚的新材料。導(dǎo)致后續(xù)在使用CMP工藝時(shí)，需要減薄的新材料多，從而使制作體聲波諧振器的工藝成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

為了對(duì)披露的實(shí)施例的一些方面有基本的理解，下面給出了簡(jiǎn)單的概括。所述概括不是泛泛評(píng)述，也不是要確定關(guān)鍵／重要組成元素或描繪這些實(shí)施例的保護(hù)范圍，而是作為后面的詳細(xì)說(shuō)明的序言。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種體聲波諧振器、用于制作體聲波諧振器的方法，以降低制作體聲波諧振器的工藝成本。

在一些實(shí)施例中，所述體聲波諧振器，包括：第一電極結(jié)構(gòu)；第二電極結(jié)構(gòu)；壓電層，位于所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)之間；第一介質(zhì)層，位于所述壓電層和第二介質(zhì)層之間；第二介質(zhì)層，形成位于所述第一介質(zhì)層內(nèi)的第一方形凸起和第二方形凸起；所述第二介質(zhì)層通過(guò)所述第一方形凸起和所述第二方形凸起與所述壓電層圍合形成空腔；所述第二電極結(jié)構(gòu)至少一端位于所述空腔內(nèi)部；諧振載體，位于所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一側(cè)，連接所述第二介質(zhì)層；第二介質(zhì)層厚度大于1/2的凸起寬度；所述第二介質(zhì)層厚度為第一介質(zhì)層和諧振載體之間的第二介質(zhì)層的厚度；所述凸起寬度為空腔與第一介質(zhì)層之間的第二介質(zhì)層的厚度。

在一些實(shí)施例中，第一電極結(jié)構(gòu)，包括：第一電極層，位于所述壓電層遠(yuǎn)離第二電極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；第一鈍化層，位于所述第一電極層遠(yuǎn)離所述壓電層的一側(cè)，連接所述第一電極層。

在一些實(shí)施例中，第二電極結(jié)構(gòu)，包括：第二電極層，位于所述壓電層遠(yuǎn)離第一電極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；第二鈍化層，位于所述第二電極層遠(yuǎn)離所述壓電層的一側(cè)，連接所述第二電極層。

在一些實(shí)施例中，諧振載體，包括：鍵合層，位于襯底和所述第二介質(zhì)層之間；襯底，通過(guò)所述鍵合層連接所述第二介質(zhì)層的非連接側(cè)；所述非連接側(cè)為第二介質(zhì)層未參與圍合形成空腔且未連接第一介質(zhì)層的一側(cè)。

在一些實(shí)施例中，諧振載體，還包括：第三介質(zhì)層，位于所述第二介質(zhì)層和所述鍵合層之間；所述第三介質(zhì)層的一側(cè)連接所述第二介質(zhì)層的非連接側(cè)；所述第三介質(zhì)層的另一側(cè)連接所述鍵合層。

在一些實(shí)施例中，所述第二介質(zhì)層由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮化鋁、氮化鎵和氮化鉭中的一種或多種制成。