[發(fā)明專利]體聲波諧振器、用于制作體聲波諧振器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310552790.3
• 申請(qǐng)日: 2023-05-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116318029B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 請(qǐng)求不公布姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳新聲半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/17
• 分類號(hào): H03H9/17;H03H9/13;H03H3/02
• 代理公司: 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331
• 代理人: 陶俊潔

1.一種體聲波諧振器，其特征在于，包括：

第一電極結(jié)構(gòu)；

第二電極結(jié)構(gòu)；

壓電層，位于所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)之間；

第一介質(zhì)層，位于所述壓電層和第二介質(zhì)層之間；

第二介質(zhì)層，形成位于所述第一介質(zhì)層內(nèi)的第一方形凸起和第二方形凸起；所述第二介質(zhì)層通過(guò)所述第一方形凸起和所述第二方形凸起與所述壓電層圍合形成空腔；所述第二電極結(jié)構(gòu)至少一端位于所述空腔內(nèi)部；

諧振載體，位于所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一側(cè)，連接所述第二介質(zhì)層；第二介質(zhì)層厚度大于1/2的凸起寬度；所述第二介質(zhì)層厚度為第一介質(zhì)層和諧振載體之間的第二介質(zhì)層的厚度；所述凸起寬度為空腔與第一介質(zhì)層之間的第二介質(zhì)層的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，第一電極結(jié)構(gòu)，包括：

第一電極層，位于所述壓電層遠(yuǎn)離第二電極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；

第一鈍化層，位于所述第一電極層遠(yuǎn)離所述壓電層的一側(cè)，連接所述第一電極層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，第二電極結(jié)構(gòu)，包括：

第二電極層，位于所述壓電層遠(yuǎn)離第一電極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；

第二鈍化層，位于所述第二電極層遠(yuǎn)離所述壓電層的一側(cè)，連接所述第二電極層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，諧振載體，包括：

鍵合層，位于襯底和所述第二介質(zhì)層之間；

襯底，通過(guò)所述鍵合層連接所述第二介質(zhì)層的非連接側(cè)；所述非連接側(cè)為第二介質(zhì)層未參與圍合形成空腔且未連接第一介質(zhì)層的一側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的體聲波諧振器，其特征在于，諧振載體，還包括：

第三介質(zhì)層，位于所述第二介質(zhì)層和所述鍵合層之間；所述第三介質(zhì)層的一側(cè)連接所述第二介質(zhì)層的非連接側(cè)；所述第三介質(zhì)層的另一側(cè)連接所述鍵合層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述第二介質(zhì)層由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮化鋁、氮化鎵和氮化鉭中的一種或多種制成。

7.一種用于制作權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的體聲波諧振器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在預(yù)設(shè)的待移除層上依次淀積緩沖層、壓電層、第二電極層和第二鈍化層；

刻蝕所述第二電極層和所述第二鈍化層，形成第二電極結(jié)構(gòu)；所述第二電極結(jié)構(gòu)暴露出所述壓電層；

在暴露出的壓電層和所述第二電極結(jié)構(gòu)上淀積第一介質(zhì)層；

刻蝕所述第一介質(zhì)層，形成帶有第一方形通孔和第二方形通孔的第一介質(zhì)層；

在刻蝕后的第一介質(zhì)層上淀積第二介質(zhì)層，形成位于第一介質(zhì)層內(nèi)的第一方形凸起和第二方形凸起；將所述第二介質(zhì)層通過(guò)所述第一方形凸起和所述第二方形凸起與所述壓電層圍合的第一介質(zhì)層確定為待腐蝕區(qū)域；

在所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一側(cè)，形成連接所述第二介質(zhì)層的諧振載體；

在所述壓電層遠(yuǎn)離所述第二電極結(jié)構(gòu)的一側(cè)形成第一電極結(jié)構(gòu)；

腐蝕所述待腐蝕區(qū)域，形成空腔。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，形成連接所述第二介質(zhì)層的諧振載體，包括：

在所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一側(cè)淀積鍵合層；

將預(yù)設(shè)的襯底與所述鍵合層鍵合。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，形成連接所述第二介質(zhì)層的諧振載體，包括：

在所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一側(cè)淀積第三介質(zhì)層；

在所述第三介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第二介質(zhì)層的一側(cè)淀積鍵合層；

將預(yù)設(shè)的襯底與所述鍵合層鍵合。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述壓電層遠(yuǎn)離所述第二電極結(jié)構(gòu)的一側(cè)形成第一電極結(jié)構(gòu)，包括：

移除所述待移除層和所述緩沖層；

在所述壓電層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)淀積第一電極層；

在所述第一電極層上淀積第一鈍化層；

刻蝕所述第一電極層和所述第一鈍化層，形成第一電極結(jié)構(gòu)。