[發(fā)明專利]一種單極性橫向憶阻器及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310537399.6 | 申請(qǐng)日： | 2023-05-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN116634855A | 公開（公告）日： | 2023-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柯聰明;龐義澳;劉首麟;陸靜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華僑大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H10N70/20 | 分類號(hào)： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 廈門智慧呈睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 羅萍 |
| 地址： | 362000 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 極性 橫向 憶阻器 及其 制備 方法 | ||
1.一種單極性橫向憶阻器，其特征在于，包括：
基板層(1)；
阻變功能層(2)，設(shè)置在所述基板層(1)上；所述的阻變功能層(2)采用1T′相多晶二維二硫化錸制成；
金屬電極層(3)，設(shè)置在所述阻變功能層(2)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極性橫向憶阻器，其特征在于，所述阻變功能層(2)的厚度d滿足范圍0d5nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極性橫向憶阻器，其特征在于，所述1T′相多晶二維二硫化錸的形貌為六邊形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極性橫向憶阻器，其特征在于，所述的1T′相多晶二維二硫化錸的化學(xué)式為ReSx，其中1.6x1.8。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極性橫向憶阻器，其特征在于，所述基板層(1)為表面覆蓋二氧化硅介質(zhì)層的硅基板，二氧化硅介質(zhì)層厚度為200～300nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單極性橫向憶阻器，其特征在于，所述的金屬電極層(3)的材料為Au、Pt、Ag或Cu，厚度為30～100nm，其包括源級(jí)電極和漏極電極，且源級(jí)電極和漏極電極之間的間距為5～15um。
7.一種如權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)的單極性橫向憶阻器的制備方法，其特征在于，包括：
S1，提供基板層(1)；
S2，通過化學(xué)氣相沉積法，在所述基板層(1)上形成由1T′相多晶二維二硫化錸制成的阻變功能層(2)；
S3，在所述阻變功能層(2)上形成金屬電極層(3)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟S2具體包括：
將三氧化錸粉放入第一石英舟中均勻鋪開，再將兩面都新鮮剝離的云母片扣在第一石英舟上方，將所述第一石英舟緩慢推入到管式爐中央加熱區(qū)；
將硫粉均勻放入第二石英舟中，并將所述第二石英舟也推入到管式爐中；
在惰性氣體氛圍下，將三氧化錸粉溫區(qū)溫度升至500～650℃，控制硫粉溫區(qū)溫度升至150～250℃，恒溫保持10分鐘，然后兩個(gè)溫區(qū)自然冷卻至室溫，得到形貌為六邊形的單層二硫化錸；
將云母襯底上的二維二硫化錸通過濕法轉(zhuǎn)移的方法轉(zhuǎn)移到基板層(1)上，以在所述基板層(1)上形成阻變功能層(2)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于：所述的三氧化二錸粉和硫粉的質(zhì)量比為10～80。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于：步驟S3包括：
通過無掩模激光直寫方法光刻出間距為5-15um的電極圖案；
采用磁控濺射方法在所述電極圖案鍍上厚度為30～100nm的金屬電極，以在所述阻變功能層(2)上形成金屬電極層(3)。
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