[發明專利]一種用于巨量轉移設備的柔順支撐結構和組合式柔順機構在審
| 申請號: | 202310521614.3 | 申請日: | 2023-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN116487318A | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 林志杭;湯暉;廖展琛;黃運洋 | 申請(專利權)人: | 廣東工業大學 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司: | 佛山市禾才知識產權代理有限公司 44379 | 代理人: | 單蘊倩 |
| 地址: | 510062 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 巨量 轉移 設備 柔順 支撐 結構 組合式 機構 | ||
本發明涉及柔順機構技術領域,特別是一種用于巨量轉移設備的柔順支撐結構,包括支撐座、平衡調節桿、平衡質量塊和第一柔順支撐架;第一柔順支撐架具有在Z軸的移動自由度以及繞X軸與Y軸的轉動自由度;平衡調節桿的長度方向與X軸平行,平衡調節桿的寬度方向與Y軸平行;平衡調節桿安裝于支撐座的頂部,支撐座與平衡調節桿的連接處為支點,支點偏離平衡調節桿的中心位置,支點位于靠近第一柔順支撐架的一側;第一柔順支撐架位于平衡調節桿的一端,承載平臺固定安裝于第一柔順支撐架頂部;平衡質量塊可拆卸安裝于平衡調節桿的另一端,解決了現有技術的柔性連接結構承載力不夠且無法消除熱應力從而對巨量轉移的芯片的良率造成影響的問題。
技術領域
本發明涉及MicroLED巨量轉移設備技術領域,特別是一種用于巨量轉移設備的柔順支撐結構和組合式柔順機構。
背景技術
微型發光二極管(MicroLED,亦被稱為μLED)是一種將傳統LED的像素點從毫米級降低至微米級,并在單個芯片上將驅動電路與像素點高度集成的新一代無機自發光顯示技術。MicroLED芯片的高精度高效率的巨量轉移是一項具有廣泛應用前景的技術,目前已發展了多種巨量轉移技術,如精準拾取轉移技術、自對準滾輪轉印技術、自組裝轉移技術以及激光輔助轉移技術等。
現有技術中,以激光輔助轉移技術為基礎的MicroLED巨量轉移裝置對其自身轉移的幾何參數有較高的要求,如果巨量轉移裝置中采用剛性連接結構,則隨著巨量轉移過程中的接受基板的轉移,接受基板的定位精度將受到影響,進而影響到巨量轉移芯片的良率,因此巨量轉移過程需配合柔順支撐結構實現。
現有的大尺寸面板巨量轉移的轉移設備尺寸較大、重量大、負載也大,傳統的柔性連接結構的承載力不夠,難以滿足MicroLED巨量轉移高承載的需求,此外,巨量轉移過程中需在基板下方放置加熱臺,使得環境溫度保持在大于200℃的狀態,而現有的柔性連接結構在這種狀態下會產生一定的熱膨脹,從而產生熱畸變而影響運動精度,進而影響接受基板的定位精度,從而影響到巨量轉移芯片的良率。
發明內容
針對上述缺陷,本發明的目的在于提出一種用于巨量轉移設備的柔順支撐結構和組合式柔順機構,該用于巨量轉移設備的柔順支撐結構和組合式柔順機構具有較高的承載力同時能夠消除熱應力,以滿足巨量轉移過程中對柔性連接結構的高承載力和消除熱應力的要求。
為達此目的,本發明采用以下技術方案:
一種用于巨量轉移設備的柔順支撐結構,包括支撐座、平衡調節桿、平衡質量塊和第一柔順支撐架;
所述第一柔順支撐架具有在Z軸的移動自由度以及繞X軸與Y軸的轉動自由度;
所述平衡調節桿的長度方向與X軸平行,所述平衡調節桿的寬度方向與Y軸平行;
所述平衡調節桿安裝于所述支撐座的頂部,所述支撐座與所述平衡調節桿的連接處為支點,所述支點偏離所述平衡調節桿的中心位置,所述支點位于靠近所述第一柔順支撐架的一側;
所述第一柔順支撐架位于所述平衡調節桿的一端,MicroLED的承載平臺固定安裝于所述第一柔順支撐架頂部;
所述平衡質量塊可拆卸安裝于所述平衡調節桿的另一端,所述平衡質量塊用于調節所述支點兩端的平衡,使所述承載平臺保持平衡。
進一步的,所述第一柔順支撐架包括第一柔性連接件和第一柔性連接臺;
所述第一柔性連接件的底部與所述平衡調節桿固定連接,所述第一柔性連接臺固定安裝于所述第一柔性連接件的頂部,所述承載平臺安裝于所述第一柔性連接臺的頂部;
所述第一柔性連接件具有繞Y軸的轉動自由度以及在Z軸的移動自由度,所述第一柔性連接臺具有繞X軸的轉動自由度。
進一步的,所述第一柔性連接臺包括第一基板、第二基板和兩個第一柔性連接板;
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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