[發(fā)明專利]多波段拼接紅外探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310488264.5 | 申請(qǐng)日: | 2023-04-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN116666408A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王青;黃一彬;魏超群;孫鴻生;陳軍;任海;程增賜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆明物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 昆明今威專利商標(biāo)代理有限公司 53115 | 代理人: | 賽曉剛 |
| 地址: | 650221 云*** | 國(guó)省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波段 拼接 紅外探測(cè)器 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
本發(fā)明的多波段拼接紅外探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)包括:讀出電路、支撐層薄膜、探測(cè)器芯片、濾光片、鍵合點(diǎn)、基板、冷平臺(tái)和銦柱,基板固定在冷平臺(tái)上,讀出電路固定在基板上,至少二個(gè)探測(cè)器芯片通過(guò)若干個(gè)銦柱互聯(lián)在讀出電路上,探測(cè)器芯片彼此平行排列,若干個(gè)鍵合點(diǎn)設(shè)置在探測(cè)器芯片外側(cè)的讀出電路上,支撐層薄膜包括:橫支撐層薄膜,至少二個(gè)橫支撐層薄膜設(shè)置在探測(cè)器芯片外側(cè)的或者設(shè)置在探測(cè)器芯片外側(cè)和兩個(gè)探測(cè)器芯片之間的讀出電路上,上述橫支撐層薄膜平行于探測(cè)器芯片,所述濾光片粘接固定在讀出電路上方的橫支撐層薄膜上,橫支撐層薄膜的厚度大于銦柱高度與探測(cè)器芯片的厚度之和;濾光片平行于讀出電路并覆蓋住所有探測(cè)器芯片。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及焦平面紅外探測(cè)器領(lǐng)域,特別涉及一種多波段紅外探測(cè)器拼接封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
中國(guó)專利CN108630667A公開(kāi)了一種紅外探測(cè)器,紅外探測(cè)器包括基體以及短波紅外光敏芯片、中波紅外光敏芯片、芯片支架,中波紅外光敏芯片設(shè)置于基體上,短波紅外光敏芯片通過(guò)芯片支架設(shè)置于中波紅外光敏芯片的上方,且短波紅外光敏芯片的感光區(qū)域與中波紅外光敏芯片的感光區(qū)域在上下方向上重疊,使用時(shí),待檢測(cè)光束經(jīng)過(guò)短波紅外光敏芯片后待檢測(cè)光束中的短波紅外波段被短波紅外光敏芯片吸收并產(chǎn)生短波探測(cè)信號(hào),此時(shí)待檢測(cè)光束中的中波紅外波段透過(guò)短波紅外光敏芯片后照射到中波紅外光敏芯片上并被吸收,產(chǎn)生中波探測(cè)信號(hào),該探測(cè)器不需要設(shè)置雙色濾光片,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,而且待測(cè)光束中的短波紅外波段被短波紅外光敏芯片吸收,避免對(duì)中波紅外光敏芯片的探測(cè)造成影響,該專利是把波段濾光片放置在光闌(或支架)上實(shí)現(xiàn)的,它一方面導(dǎo)致封裝結(jié)構(gòu)的復(fù)雜,不利于組件的小型化,另一方面在濾光片與探測(cè)器之間存在較大間隙,可能導(dǎo)致雜散光進(jìn)入,同時(shí)在多波段探測(cè)器中存在串色問(wèn)題。
為提升在干擾、隱身、偽裝等復(fù)雜環(huán)境中對(duì)目標(biāo)信息有效探測(cè)與識(shí)別能力,當(dāng)前紅外探測(cè)器技術(shù)通過(guò)提高器件探測(cè)靈敏度、擴(kuò)大像素規(guī)模的傳統(tǒng)強(qiáng)度探測(cè)模式已趨于瓶頸。需要進(jìn)行多波段探測(cè),獲取更多信息。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)同一探測(cè)目標(biāo)探測(cè)的時(shí)間延遲盡可能短,多個(gè)波段需要盡可能靠近,當(dāng)前多波段的單芯片紅外探測(cè)器,或需要多個(gè)讀出模塊,存在讀出電路制備工藝難度大的問(wèn)題,或由于層疊式結(jié)構(gòu)制備工藝難度高、系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜等問(wèn)題。另外,多波段之間往往存在較為嚴(yán)重的串?dāng)_。
多芯片拼接可以較好地解決疊層式結(jié)構(gòu)制備工藝難度大的問(wèn)題,但多芯片拼接當(dāng)前技術(shù)中大部分的焦平面組件波段選擇是在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)把波段濾光片放置在光闌上實(shí)現(xiàn)的,對(duì)于某些多芯片拼接結(jié)構(gòu),可能還需要制作專門的濾光片支架,這種方式一方面導(dǎo)致封裝結(jié)構(gòu)的復(fù)雜,不利于組件的小型化。而且在濾光片與探測(cè)器之間存在較大間隙,可能導(dǎo)致雜散光進(jìn)入。另外,在多波段探測(cè)濾光片不同波段間無(wú)法有效格,容易出現(xiàn)串色問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種多波段拼接紅外探測(cè)器的封裝結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)多波段紅外探測(cè)器的封裝,部分地解決當(dāng)前多波段探測(cè)器中存在的串色、雜散光等問(wèn)題以及封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜,不利于器件的小型化問(wèn)題。
為了完成本申請(qǐng)的發(fā)明目的,本申請(qǐng)采用以下技術(shù)方案:
本發(fā)明的一種多波段拼接紅外探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu),它包括:讀出電路、支撐層薄膜、探測(cè)器芯片、濾光片、鍵合點(diǎn)、基板、冷平臺(tái)和銦柱,基板固定在冷平臺(tái)上,讀出電路固定在基板上,至少二個(gè)探測(cè)器芯片通過(guò)若干個(gè)銦柱互聯(lián)在讀出電路上,探測(cè)器芯片彼此平行排列,若干個(gè)鍵合點(diǎn)設(shè)置在探測(cè)器芯片外側(cè)的讀出電路上,其中:所述支撐層薄膜包括:橫支撐層薄膜,至少二個(gè)橫支撐層薄膜設(shè)置在探測(cè)器芯片外側(cè)的或者設(shè)置在探測(cè)器芯片外側(cè)和兩個(gè)探測(cè)器芯片之間的讀出電路上,上述橫支撐層薄膜平行于探測(cè)器芯片,所述濾光片粘接固定在讀出電路上方的橫支撐層薄膜上,橫支撐層薄膜的厚度大于銦柱高度與探測(cè)器芯片的厚度之和;濾光片平行于讀出電路并覆蓋住所有探測(cè)器芯片。
本發(fā)明的一種多波段拼接紅外探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu),其中:所述支撐層薄膜還包括:縱支撐層薄膜,在所述至少二個(gè)橫支撐層薄膜的兩端分別設(shè)置有一個(gè)縱支撐層薄膜,縱支撐層薄膜與橫支撐層薄膜垂直,橫支撐層薄膜和縱支撐層薄膜組成封閉的矩形空間,將所有探測(cè)器芯片圍在其中,濾光片被橫支撐層薄膜和縱支撐層薄膜支撐。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





