[發明專利]多波段拼接紅外探測器封裝結構在審
| 申請號: | 202310488264.5 | 申請日: | 2023-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN116666408A | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發明(設計)人: | 王青;黃一彬;魏超群;孫鴻生;陳軍;任海;程增賜 | 申請(專利權)人: | 昆明物理研究所 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 昆明今威專利商標代理有限公司 53115 | 代理人: | 賽曉剛 |
| 地址: | 650221 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波段 拼接 紅外探測器 封裝 結構 | ||
1.一種多波段拼接紅外探測器封裝結構,它包括:讀出電路(1)、支撐層薄膜、探測器芯片(3)、濾光片(4)、鍵合點(5)、基板(6)、冷平臺(7)和銦柱(9),基板(6)固定在冷平臺(7)上,讀出電路(1)固定在基板(6)上,至少二個探測器芯片(3)通過若干個銦柱(9)互聯在讀出電路(1)上,探測器芯片(3)彼此平行排列,若干個鍵合點(5)設置在探測器芯片(3)外側的讀出電路(1)上,其特征在于:所述支撐層薄膜包括:橫支撐層薄膜(2),至少二個橫支撐層薄膜(2)設置在探測器芯片(3)外側的或者設置在探測器芯片(3)外側和兩個探測器芯片(3)之間的讀出電路(1)上,上述橫支撐層薄膜(2)平行于探測器芯片(3),所述濾光片(4)粘接固定在讀出電路(1)上方的橫支撐層薄膜(2)上,橫支撐層薄膜(2)的厚度大于銦柱(9)高度與探測器芯片(3)的厚度之和;濾光片(4)平行于讀出電路(1)并覆蓋住所有探測器芯片(3)。
2.如權利要求1所述多波段拼接紅外探測器封裝結構,其特征在于:所述支撐層薄膜還包括:縱支撐層薄膜(10),在所述至少二個橫支撐層薄膜(2)的兩端分別設置有一個縱支撐層薄膜(10),縱支撐層薄膜(10)與橫支撐層薄膜(2)垂直,橫支撐層薄膜(2)和縱支撐層薄膜(10)組成封閉的矩形空間,將所有探測器芯片(3)圍在其中,濾光片(4)被橫支撐層薄膜(2)和縱支撐層薄膜(10)支撐。
3.如權利要求2所述多波段拼接紅外探測器封裝結構,其特征在于:所述濾光片(4)為多波段濾光片,上述多波段濾光片的波段透過區域與其下具有相應響應的探測器芯片(3)一一對應。
4.如權利要求3所述多波段拼接紅外探測器封裝結構,其特征在于:所述橫支撐層薄膜(2)和縱支撐層薄膜(10)的材料均為低紅外透過率材料。
5.如權利要求4所述多波段拼接紅外探測器封裝結構,其特征在于:在所述橫支撐層薄膜(2)和縱支撐層薄膜(10)進行黑化處理,以減少所述橫支撐層薄膜(2)和縱支撐層薄膜(10)對于紅外光的透射。
6.如權利要求5所述多波段拼接紅外探測器封裝結構,其特征在于:所述探測器芯片(3)為3個,每個探測器芯片(3)通過銦柱彼此平行地互聯于讀出電路(1)上。
7.如權利要求6所述多波段拼接紅外探測器封裝結構,其特征在于:多波段拼接紅外探測器封裝結構還包括:過渡層(8),過渡層(8)固定在基板(6)和冷平臺(7)之間,它為低熱膨脹高導熱的AlN或SiC陶瓷材料。
8.如權利要求7所述多波段拼接紅外探測器封裝結構,其特征在于:所述冷平臺(7)為4J36或鉬低熱膨脹金屬材料。
9.如權利要求8所述多波段拼接紅外探測器封裝結構,其特征在于:所述橫支撐層薄膜(2)和縱支撐層薄膜(10)采用涂膠、光刻、顯影、鍍膜和去膠工藝制備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





