[發(fā)明專利]一種晶片雙面研磨厚度精確控制方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310479836.3 | 申請日： | 2023-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN116619233A | 公開（公告）日： | 2023-08-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 付劉軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京石晶光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/013 | 分類號： | B24B37/013;B24B37/08;B24B37/28;B24B37/34 |
| 代理公司： | 洛陽華和知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 41203 | 代理人： | 劉亞莉 |
| 地址： | 100089 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶片 雙面 研磨 厚度 精確 控制 方法 | ||
1.一種晶片雙面研磨厚度精確控制方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1:根據(jù)加工的晶片規(guī)格選用游輪，對雙面研磨機設備點檢；
S2:懸浮液的配制:將亞硝酸鈉、三乙醇銨和去離子水配制成混合溶液，其中亞硝酸鈉、三乙醇銨和去離子水的質(zhì)量比為5:7:88；
S3:研磨液的配制:將金剛砂、懸浮液和去離子水混合攪拌，配制雙面研磨加工使用的研磨液，所述金剛砂為GC3000#綠碳化硅，其中，GC3000#綠碳化硅、懸浮液和去離子水的質(zhì)量比為9:2:20；
S4:修盤:根據(jù)研磨盤的平整度和研磨機的端跳情況，將修正輪放在下研磨盤上，按照“正修里、反修外”的原則選擇研磨機正轉(zhuǎn)或者反轉(zhuǎn)的修盤方式；
S5:頻率設定:根據(jù)厚度和頻率的對應關系，將加工要求的厚度轉(zhuǎn)換為頻率點；
S6:上料:將游輪放入雙面研磨機的下研磨盤上，將需要加工的晶片和測頻片，同時放入游輪的方孔中；
S7:研磨加工:將雙面研磨機的上研磨盤落下，開啟砂泵抽取研磨液、開啟雙面研磨機的主機啟動按鈕、緩慢旋轉(zhuǎn)調(diào)速器旋鈕調(diào)速至30rpm，開始雙面研磨加工；
S8:回頻:研磨加工過程中使用自動測頻儀持續(xù)檢測測頻片的頻率值，等自動測頻儀監(jiān)控到預設的頻率點后，雙面研磨機會自動停止；
重新啟動雙面研磨機，觀察自動測頻儀上顯示的頻率值，確認顯示值是否與預設值一致，確認達到預設值后停機；
S9:下料:將雙面研磨機的上盤升起，先取下游輪再取下晶片；
S10:將步驟S9得到的研磨后晶片移至下一道工序，取下一批待加工晶片進行加工，重復S6-S9直到全部晶片加工結(jié)束；
S11:設備清洗：將上下研磨盤和機腔內(nèi)部沖洗干凈。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片雙面研磨厚度精確控制方法，其特征在于，選用的游輪為能夠中心放測頻片、周邊放待加工晶片的游輪。
3.如權(quán)利要求1或2所述的晶片雙面研磨厚度精確控制方法，其特征在于，選用的游輪中心位置設有放測頻片的方孔。
4.如權(quán)利要求3所述的晶片雙面研磨厚度精確控制方法，其特征在于，選用的游輪上分布有多個流砂孔。
5.如權(quán)利要求3所述的晶片雙面研磨厚度精確控制方法，其特征在于，每張游輪可以放3片需加工的晶片，搭配放1片測頻片。
6.如權(quán)利要求1所述的晶片雙面研磨厚度精確控制方法，其特征在于，選用研磨機的上研磨盤盤幅的中心位置加有電極。
7.如權(quán)利要求1所述的晶片雙面研磨厚度精確控制方法，其特征在于，步驟S7中的調(diào)速過程為：電機在2-3rpm的低速下轉(zhuǎn)動，計數(shù)器跳動5-10轉(zhuǎn)，運轉(zhuǎn)無異常后逐步緩慢加速至30rpm。
8.如權(quán)利要求1所述的晶片雙面研磨厚度精確控制方法，其特征在于，步驟S7中研磨機的壓力設定為55kg。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京石晶光電科技股份有限公司，未經(jīng)北京石晶光電科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310479836.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
