[發(fā)明專利]利用溝槽結構的嵌入式橋管芯的電力輸送

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310475283.4
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN116666332A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設計）人: K.艾根;錢治國;謝建勇
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/528;H01L23/538;H10B80/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳新娟;陳嵐

接合封裝結構的方法/結構被描述。那些方法/結構可包括部署在襯底的表面上的管芯、嵌入襯底中的互連橋、以及穿過互連橋的一部分而部署的至少一個垂直互連結構，其中所述至少一個垂直互連結構電氣地和物理地耦合到管芯。

背景技術

嵌入式多管芯互連橋(EMIB)技術可包括將橋管芯嵌入到微電子封裝襯底中，諸如嵌入到有機封裝襯底中。橋管芯可包括用于在體(bulk)硅襯底內(nèi)輸入/輸出(I/O)的若干個金屬層。橋管芯通常通過一材料(諸如，通過位于橋管芯的底部部分和封裝襯底之間的電介質(zhì)材料)與封裝隔離。由于高I/O密度，所以EMIB結構可具有高的信號帶寬。然而，將電力輸送路徑(power?delivery?path)從橋管芯結構路由到微電子封裝可能提出例如電阻和電感挑戰(zhàn)方面的問題。

附圖說明

盡管本說明書以特別指出并且明確要求保護某些實施例的權利要求來結束，但是當結合附圖閱讀時，從以下描述可容易地弄清這些實施例的優(yōu)點，附圖中；

圖1a表示根據(jù)實施例的封裝結構的橫截面視圖。

圖1b-1d表示根據(jù)實施例的封裝結構的俯視圖。

圖2a-2f表示根據(jù)實施例的形成互連橋的方法的橫截面視圖。

圖3a-3f表示根據(jù)實施例的形成互連橋的方法的橫截面視圖。

圖4表示根據(jù)實施例的形成封裝結構的方法的流程圖。

圖5表示根據(jù)實施例的計算裝置的示意圖。

具體實施方式

在以下詳細描述中，參考附圖，這些附圖通過圖示的方式示出可在其中實踐方法和結構的特定實施例。足夠詳細地描述這些實施例，以使得本領域技術人員能夠?qū)嵺`實施例。要理解，各種實施例盡管不同，但不一定相互排斥。例如，可將本文中結合一個實施例描述的特定特征、結構或特性在其它實施例內(nèi)實現(xiàn)而不脫離實施例的精神和范圍。另外，要理解，可修改每個公開的實施例內(nèi)的各個元件的位置或布置而不脫離實施例的精神和范圍。

因此，不要以限制性意義來理解以下詳細描述，并且實施例的范圍僅由適當解譯的隨附權利要求以及權利要求所享有的等同物的全部范圍限定。在圖中，遍及若干個視圖，相似標號可指相同或類似的功能性。如本文中所使用的術語“在……上方”、“到”、“在……之間”和“在……上”可指一層相對于其它層的相對位置。在另一層“上方”或“上”的一層或鍵合(bond)“到”另一層的一層可與該另一層直接接觸，或者可具有一個或多個中間層。在層“之間”的一層可與這些層直接接觸，或者可具有一個或多個中間層。彼此“相鄰”的層和/或結構可在它們之間具有或不具有中間結構/層。直接在另外的(一個或多個)層/結構上/直接與另外的(一個或多個)層/結構接觸的(一個或多個)層/結構可在它們之間不具有(一個或多個)中間層/結構。

可將本文中的實施例的各種實現(xiàn)在諸如封裝襯底的襯底上形成或?qū)嵭小７庋b襯底可包括能夠在管芯(諸如，集成電路(IC)管芯)和可與微電子封裝耦合的下一級構件(例如，電路板)之間提供電通信的任何合適類型的襯底。在另一個實施例中，襯底可包括能夠在IC管芯和與較低的IC/管芯封裝耦合的上層IC封裝之間提供電通信的任何合適類型的襯底，并且在進一步的實施例中，襯底可包括能夠在上層IC封裝和與IC封裝耦合的下一級構件之間提供電通信的任何合適類型的襯底。

襯底還可為管芯/器件提供結構支撐。通過示例的方式，在一個實施例中，襯底可包括圍繞核芯(core)層(電介質(zhì)或金屬核芯)堆積的多層襯底(包括電介質(zhì)材料和金屬的交替層)。在另一個實施例中，襯底可包括無芯多層襯底。其它類型的襯底和襯底材料也可用于公開的實施例(例如，陶瓷、藍寶石、玻璃等)。此外，根據(jù)一個實施例，襯底可包括在管芯本身上方堆積的電介質(zhì)材料和金屬的交替層，這種工藝有時稱為“無凸塊堆積工藝(bumpless?build-up?process)”。在利用此類方法的情況下，可需要或者可不需要傳導互連(conductive?interconnect)(因為在一些情況下，堆積層可直接部署在管芯上方)。