[發明專利]利用溝槽結構的嵌入式橋管芯的電力輸送

在審

• 申請號: 202310475283.4
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN116666332A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: K.艾根;錢治國;謝建勇
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/528;H01L23/538;H10B80/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳新娟;陳嵐

1.一種微電子封裝結構，包括：

襯底；

互連橋，所述互連橋在所述襯底的表面上，所述互連橋包括在硅材料上方的傳導互連結構上方的第一管芯焊盤和第二管芯焊盤，并且所述互連橋包括延伸穿過在所述傳導互連結構下面的所述硅材料的至少一個豎直互連結構，所述傳導互連結構包括沿第一方向的第一多個導線和沿不同于所述第一方向的第二方向的第二多個導線，并且所述至少一個豎直互連結構豎直地在所述傳導互連結構的下面并耦合到所述傳導互連結構；

第一管芯，所述第一管芯在所述互連橋之上，所述第一管芯耦合到所述互連橋的所述第一管芯焊盤；

第二管芯，所述第二管芯在所述互連橋之上，所述第二管芯耦合到所述互連橋的所述第二管芯焊盤；以及

電介質層，所述電介質層在所述互連橋的頂部上以及沿著所述互連橋的側面，所述電介質層在所述第一管芯與所述互連橋之間以及在所述第二管芯與所述互連橋之間。

2.根據權利要求1所述的微電子封裝結構，其中，所述第一管芯橫向延伸超過所述互連橋。

3.根據權利要求1所述的微電子封裝結構，其中，所述第二管芯在所述互連橋的占用面積內。

4.根據權利要求1所述的微電子封裝結構，其中，與所述第二多個導線相比，所述第一多個導線位于不同的層中。

5.根據權利要求1所述的微電子封裝結構，進一步包括：

第一通孔，所述第一通孔將所述第一管芯焊盤耦合到所述傳導互連結構；以及

第二通孔，所述第二通孔將所述第二管芯焊盤耦合到所述傳導互連結構。

6.根據權利要求1所述的微電子封裝結構，其中，所述傳導互連結構包括嚙合的電源平面結構。

7.根據權利要求1所述的微電子封裝結構，其中，所述至少一個豎直互連結構電耦合到所述第一管芯或所述第二管芯中的一個。

8.根據權利要求1所述的微電子封裝結構，其中，所述第一管芯或所述第二管芯中的一個是存儲器管芯。

9.一種微電子封裝結構，包括：

橋，所述橋耦合到襯底，所述橋包括延伸穿過硅襯底的多個豎直互連結構，并且所述互連橋包括沿著第一方向的第一水平傳導路徑、沿著與所述第一方向不同的第二方向的第二水平傳導路徑和豎直傳導路徑，所述多個豎直互連結構豎直地在所述第一水平傳導路徑、所述第二水平傳導路徑和所述豎直傳導路徑的下面并耦合到所述第一水平傳導路徑、所述第二水平傳導路徑和所述豎直傳導路徑；

第一管芯，所述第一管芯在所述橋之上并電耦合到所述橋；

第二管芯，所述第二管芯在所述橋之上并電耦合到所述橋；以及

絕緣層，所述絕緣層在所述第一管芯和所述橋之間以及在所述第二管芯和所述橋之間。

10.根據權利要求9所述的微電子封裝結構，其中，所述第一管芯通過所述橋的第一管芯焊盤電耦合到所述橋，并且所述第二管芯通過所述橋的第二管芯焊盤電耦合到所述橋。

11.根據權利要求9所述的微電子封裝結構，其中，所述第一管芯橫向延伸超過所述橋。

12.根據權利要求9所述的微電子封裝結構，其中，所述第二管芯在所述橋的占用面積內。

13.根據權利要求9所述的微電子封裝結構，其中，沿著所述第一方向的所述第一水平傳導路徑在第一層中，并且沿著所述第二方向的所述第二水平傳導路徑在不同于所述第一層的第二層中。

14.根據權利要求9所述的微電子封裝結構，其中，所述多個豎直互連結構電耦合到所述第一管芯和所述第二管芯。