[發(fā)明專利]一種提高甲基磺酸銀錫鍍液中銀濃度的裝置與方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310469270.6 | 申請(qǐng)日: | 2023-04-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN116497379A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李文杰;張大鵬;晏鵬;田偉鵬;陳峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安費(fèi)諾嘉力訊(海鹽)連接技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C25B9/19 | 分類號(hào): | C25B9/19;C25B3/13;C25B3/20;C25D3/56 |
| 代理公司: | 杭州裕陽(yáng)聯(lián)合專利代理有限公司 33289 | 代理人: | 金方瑋 |
| 地址: | 314300 浙江省杭州市嘉興市海*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 甲基 磺酸銀錫鍍液中銀 濃度 裝置 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種提高甲基磺酸銀錫鍍液中銀濃度的裝置與方法,所述裝置包括整流器,陽(yáng)極室,陰極室與母槽,所述陽(yáng)極室與所述陰極室之間設(shè)有陰離子膜,所述陽(yáng)極室上部設(shè)有溢流口,所述溢流口與所述母槽連接,所述母槽與所述陽(yáng)極室通過(guò)管道與泵連接。本發(fā)明采用隔膜電解槽的裝置,通過(guò)電解的方法,在槽液中溶解銀,陰離子膜的存在,阻止溶解的銀離子在陰極的還原,這樣可以有效的提高銀溶解的效率,降低了銀的消耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電鍍領(lǐng)域,具體涉及一種隔膜電解法中提高甲基磺酸銀錫鍍液中銀濃度的裝置與方。
背景技術(shù)
銀錫合金鍍層具有電阻低,硬度高,結(jié)合強(qiáng)度高,以及耐熱疲勞特性好,良好抗錫須生長(zhǎng)能力等優(yōu)點(diǎn),是目前非常有應(yīng)用前景的可焊性鍍層之一。電鍍沉積銀錫合金鍍層是常用的銀錫鍍層制備工藝。
對(duì)于銀錫電鍍工藝,有氰化物體系電鍍錫鎳合金,但該體系的氰化物,對(duì)人體和環(huán)境都不友好,所以無(wú)氰鍍銀錫工藝越來(lái)越被接受,其中最有代表性的是甲基磺酸鍍銀。
如羅門哈斯在專利CN103361685?A中,使用甲基磺酸銀,甲基磺酸錫配置的銀錫合金鍍液。但在快速電鍍中,該體系中銀板溶解速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電沉積消耗的速度,所以會(huì)造成鍍槽中銀離子濃度的持續(xù)降低,需要額外補(bǔ)充甲基磺酸銀來(lái)提高鍍槽中的銀濃度,在補(bǔ)充甲基磺酸銀的同時(shí),會(huì)帶入大量的甲基磺酸根,對(duì)于銀錫槽液,隨著甲基磺酸濃度的提高,也會(huì)導(dǎo)致高電流區(qū)燒焦。
所以如何在提高槽液中銀離子濃度同時(shí),不增加甲基磺酸的濃度,成為亟待解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)甲基磺酸鍍銀錫合金鍍液中銀板難溶解的問(wèn)題,提供了一種提高甲基磺酸銀錫鍍液中銀濃度的裝置與方法,采用隔膜電解槽的裝置,通過(guò)電解的方法,在槽液中溶解銀,陰離子膜的存在,阻止溶解的銀離子在陰極的還原,這樣可以有效的提高銀溶解的效率,降低了銀的消耗。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
本發(fā)明首先提供了一種提高甲基磺酸銀錫鍍液中銀濃度的裝置,所述裝置包括整流器,陽(yáng)極室,陰極室與母槽,所述陽(yáng)極室與所述陰極室之間設(shè)有陰離子膜,所述陽(yáng)極室上部設(shè)有溢流口,所述溢流口與所述母槽連接,所述母槽與所述陽(yáng)極室通過(guò)管道與泵連接。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述陽(yáng)極室中的陽(yáng)極為銀板,與所述整流器的正極連接。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述陰極室的陰極為不銹鋼板,與所述整流器的負(fù)極連接。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述陰離子膜兩側(cè)均設(shè)置有中空的橡膠耐酸堿密封墊片,橡膠耐酸堿密封墊片通過(guò)耐腐蝕螺絲鈦螺絲進(jìn)行緊固密封連接。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述溢流口距離所述陽(yáng)極室頂部的距離為5cm,溢流口的大小為3-3.5cm。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述陽(yáng)極室與所述陰極室的長(zhǎng)度均為30cm,寬度均為20cm,高度均為35cm,所述陽(yáng)極室與所述陰極室相鄰設(shè)置。
本發(fā)明還提供了一種提高甲基磺酸銀錫鍍液中銀濃度的方法,所述方法采用上述的裝置,包括以下步驟:
1)開(kāi)啟泵,將母槽中的待處理銀錫藥水泵入陽(yáng)極室;陰極室中加入配置好的甲基磺酸溶液,直到陰離子膜完全被甲基磺酸溶液浸沒(méi);
2)將銀板作為陽(yáng)極放入陽(yáng)極室中,連接整流器的正極,將不銹鋼陰極放入陰極室中,連接整流器的負(fù)極,開(kāi)啟整流器,調(diào)整電流大小,進(jìn)行電解;
3)每隔一段時(shí)間,檢測(cè)母槽中的銀離子濃度和陰極室中的甲基磺酸溶液的pH;
4)持續(xù)電解,直到母槽中的銀濃度達(dá)到50g/L以上。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,步驟1)中,陰極室中甲基磺酸溶液的濃度為50-150ml/L。
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C25B9-16 .包括至少1個(gè)由顆粒制成電極的電解槽或其組合件;其構(gòu)件的組合件





