[發(fā)明專利]一種電子產(chǎn)品加工用芯片沖切裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310425211.9 | 申請日: | 2023-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN116277293A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馮華 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇暉恒芯片科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | B26F1/40 | 分類號: | B26F1/40;B26D7/08;B26D7/01 |
| 代理公司: | 鹽城市政豐之行專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32743 | 代理人: | 杜冠甫 |
| 地址: | 224100 江蘇省鹽城市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電子產(chǎn)品 工用 芯片 裝置 | ||
本發(fā)明屬于芯片沖切技術(shù)領(lǐng)域,具體是指一種電子產(chǎn)品加工用芯片沖切裝置,包括沖切主體、前后移動機構(gòu)、熱量減少型均勻沖切機構(gòu)和氣體保護型防切口氧化機構(gòu),所述前后移動機構(gòu)設(shè)于沖切主體內(nèi),所述熱量減少型均勻沖切機構(gòu)設(shè)于沖切主體內(nèi)部上端,所述氣體保護型防切口氧化機構(gòu)設(shè)于沖切主體上;本發(fā)明提供了一種高精度、高效、增加芯片可靠性的電子產(chǎn)品加工用芯片沖切裝置,通過熱量減少型均勻沖切機構(gòu),可以有效地減少芯片沖切時產(chǎn)生的熱量,降低了芯片變形和熱裂紋的風(fēng)險,從而提高了芯片的加工質(zhì)量和可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于芯片沖切技術(shù)領(lǐng)域,具體是指一種電子產(chǎn)品加工用芯片沖切裝置。
背景技術(shù)
電子產(chǎn)品是以電能為工作基礎(chǔ)的相關(guān)產(chǎn)品,電子產(chǎn)品加工用芯片沖切裝置是一種用于電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程中,通過沖切將芯片裁切成所需大小和尺寸的輔助裝置,其在電子產(chǎn)品的領(lǐng)域中得到了廣泛的使用,芯片沖切是半導(dǎo)體制造過程中常見的加工方法,其過程涉及到大量的物理和化學(xué)反應(yīng),因此可能會出現(xiàn)一些問題:
1.損傷或劃傷芯片表面,芯片的表面非常脆弱,因此在沖切過程中需要非常小心,避免劃傷或損傷芯片表面;
2.芯片角落不規(guī)則,當(dāng)芯片被沖切時,可能會導(dǎo)致角落不規(guī)則或者斷裂,這可能是由于沖切過程中的振動或者切削力不均勻?qū)е碌模?/p>
3.產(chǎn)生切屑和碎片,芯片沖切過程中,可能會產(chǎn)生大量的切屑和碎片,這些碎片可能會附著在芯片表面上,從而導(dǎo)致性能問題;
4.芯片翹曲,當(dāng)芯片被沖切時,可能會導(dǎo)致芯片翹曲,這可能是由于切削力和加工溫度不均勻?qū)е碌摹?/p>
發(fā)明內(nèi)容
針對上述情況,為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明提供了一種高精度、高效、增加芯片可靠性的電子產(chǎn)品加工用芯片沖切裝置,通過熱量減少型均勻沖切機構(gòu),可以有效地減少芯片沖切時產(chǎn)生的熱量,降低了芯片變形和熱裂紋的風(fēng)險,從而提高了芯片的加工質(zhì)量和可靠性,同時可以使芯片材料在沖切時更加均勻地受力,從而提高了加工精度和表面質(zhì)量,使芯片沖切時產(chǎn)生的應(yīng)力更加均勻地分布,從而降低了芯片在使用過程中的應(yīng)力集中和疲勞破壞的風(fēng)險,提高了芯片的可靠性;通過氣體保護型防切口氧化機構(gòu),惰性氣體保護可以在芯片沖切過程中形成一層氣體保護層,有效地隔離空氣,減少氧化反應(yīng),從而避免芯片表面出現(xiàn)氧化層,減少芯片質(zhì)量損失,同時在氣體保護下進行芯片沖切,可以避免外界雜質(zhì)和微粒進入芯片內(nèi)部,防止芯片被污染,從而保證芯片的質(zhì)量和性能。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:本發(fā)明提供了一種電子產(chǎn)品加工用芯片沖切裝置,包括沖切主體、前后移動機構(gòu)、熱量減少型均勻沖切機構(gòu)和氣體保護型防切口氧化機構(gòu),所述前后移動機構(gòu)設(shè)于沖切主體內(nèi),所述熱量減少型均勻沖切機構(gòu)設(shè)于沖切主體內(nèi)部上端,所述氣體保護型防切口氧化機構(gòu)設(shè)于沖切主體上;所述氣體保護型防切口氧化機構(gòu)包括惰性氣體流通組件、密封區(qū)域氣體保護組件和芯片固定組件,所述惰性氣體流通組件設(shè)于沖切主體上,所述密封區(qū)域氣體保護組件設(shè)于吸收塊上,所述芯片固定組件設(shè)于沖切主體上。
進一步地,所述沖切主體包括加工底座、加工腔、芯片固定底盤、沖切槽、整列塊、放置槽、滑動塊、電機一、絲杠一和滑動桿,所述加工底座設(shè)于沖切主體上,所述加工腔設(shè)于加工底座上,所述芯片固定底盤設(shè)于前后移動機構(gòu)上,所述放置槽設(shè)于芯片固定底盤的內(nèi)部上端,所述整列塊設(shè)于放置槽內(nèi),所述沖切槽設(shè)于整列塊之間,所述電機一設(shè)于加工腔的內(nèi)側(cè)壁上端,所述絲杠一的一端設(shè)于電機一的輸出端,所述絲杠一的另一端轉(zhuǎn)動設(shè)于加工腔的內(nèi)側(cè)壁另一端,所述滑動桿設(shè)于加工腔的內(nèi)側(cè)壁上,所述滑動塊滑動套接設(shè)于滑動桿上,所述滑動塊套接設(shè)于絲杠一上,所述滑動塊和絲杠一螺紋連接。
進一步地,所述熱量減少型均勻沖切機構(gòu)包括緩沖式下壓組件和高頻震蕩型縱波沖切組件,所述緩沖式下壓組件設(shè)于滑動塊的下端,所述高頻震蕩型縱波沖切組件設(shè)于緩沖式下壓組件上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇暉恒芯片科技有限責(zé)任公司,未經(jīng)江蘇暉恒芯片科技有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310425211.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





