[發明專利]改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法在審
| 申請號： | 202310423637.0 | 申請日： | 2023-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN116594256A | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發明（設計）人： | 劉娟;于世瑞 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36;G06F30/392 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 劉昌榮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 電鍍 能力 光學 鄰近 修正 方法 | ||
1.一種改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，其特征在于，至少包括：
步驟一、提供設計版圖，所述設計版圖由多種類型的圖形組成，所述圖形包括一維線圖形和二維圖形；
步驟二、根據所述二維圖形的目標關鍵尺寸和圖形復雜度設置不同的切斷段設計規則：判斷所述二維圖形的目標關鍵尺寸和圖形復雜度是否符合目標值，若是，則減少第一至N段的所述切割段的長度至目標長度；
步驟三、利用不同的所述切割段設計規則根據所述二維圖形的輪廓形成及迭代切割段，形成修正后版圖，使得所述修正后版圖的顯影后圖形與所述設計版圖之間誤差值小于或等于目標誤差；
步驟四、檢驗所述修正后版圖的準確性，若無錯誤則以所述修正后版圖制作光罩。
2.根據權利要求1所述的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，其特征在于：步驟一中的所述圖形用于定義金屬層在襯底上的形成區域。
3.根據權利要求2所述的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，其特征在于：步驟一中的所述金屬層的材料為銅。
4.根據權利要求1所述的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，其特征在于：步驟二中判斷所述二維圖形的所述目標關鍵尺寸是否小于或等于48納米，以及所述二維圖形是否至少存在5根以上平齊的線端結構，則減少第一至N段的所述切割段的長度至目標長度。
5.根據權利要求1或4所述的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，其特征在于：步驟二中減少第一至三段的所述切割段的長度至目標長度。
6.根據權利要求5所述的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，其特征在于：步驟二中的所述第一至三段的所述切割段的總長度為90至110納米。
7.根據權利要求1所述的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，其特征在于：步驟二中減少第一至二段的所述切割端的長度至目標長度。
8.根據權利要求1所述的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，其特征在于：步驟三中所述的修正后版圖需要滿足掩模版制造精度。
9.根據權利要求1所述的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，其特征在于：步驟二中的所述二維圖形不影響所述一維線圖形的關鍵尺寸。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
