[發明專利]改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法

在審

• 申請號: 202310423637.0
• 申請日: 2023-04-19
• 公開（公告）號: CN116594256A
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 劉娟;于世瑞
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G06F30/392
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

本發明提供一種改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，提供設計版圖，設計版圖由多種類型的圖形組成，圖形包括一維線圖形和二維圖形；根據二維圖形的目標關鍵尺寸和圖形復雜度設置不同的切斷段設計規則：判斷二維圖形的目標關鍵尺寸和圖形復雜度是否符合目標值，若是，則減少第一至N段的切割段的長度至目標長度；利用不同的切割段設計規則根據二維圖形的輪廓形成及迭代切割段，形成修正后版圖，使得修正后版圖的顯影后圖形與設計版圖之間誤差值小于或等于目標誤差；檢驗修正后版圖的準確性，若無錯誤則以修正后版圖制作光罩。本發明的光學鄰近修正方法對金屬填充的能力提供了有效的幫助，且普遍適用于各個技術節點，提高了關鍵尺寸的精準度。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法。

背景技術

隨著先進工藝技術節點的降低，對于金屬層而言，不僅對1D(一維線圖形)的要求提高，對2D(二維圖形)線端結構關鍵尺寸(Line-end?CD)精度的要求也越來越高。

當版圖存在環境比較復雜的小尺寸2D圖形時，傳統方法是對設計版圖做常規的分段處理，再正常修OPC，不會對特別的小尺寸線端結構做特殊分段，那么這樣修正出的掩膜版曝光到晶圓上，2D線端結構關鍵尺寸可能無法滿足精度要求，導致金屬線條末端處填充銅失敗。

為解決上述問題，需要提出一種新型的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，用于解決現有技術中對設計版圖做常規的分段處理，再正常修OPC，不會對特別的小尺寸線端結構做特殊分段，那么這樣修正出的掩膜版曝光到晶圓上，2D線端結構關鍵尺寸可能無法滿足精度要求，導致金屬線條末端處填充失敗的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，包括：

步驟一、提供設計版圖，所述設計版圖由多種類型的圖形組成，所述圖形包括一維線圖形和二維圖形；

步驟二、根據所述二維圖形的目標關鍵尺寸和圖形復雜度設置不同的切斷段設計規則：判斷所述二維圖形的目標關鍵尺寸和圖形復雜度是否符合目標值，若是，則減少第一至N段的所述切割段的長度至目標長度；

步驟三、利用不同的所述切割段設計規則根據所述二維圖形的輪廓形成及迭代切割段，形成修正后版圖，使得所述修正后版圖的顯影后圖形與所述設計版圖之間誤差值小于或等于目標誤差；

步驟四、檢驗所述修正后版圖的準確性，若無錯誤則以所述修正后版圖制作光罩。

優選地，步驟一中的所述圖形用于定義金屬層在襯底上的形成區域。

優選地，步驟一中的所述金屬層的材料為銅。

優選地，步驟二中判斷所述二維圖形的所述目標關鍵尺寸是否小于或等于48納米，以及所述二維圖形是否至少存在5根以上平齊的線端結構，則減少第一至N段的所述切割段的長度至目標長度。

優選地，步驟二中減少第一至三段的所述切割段的長度至目標長度。

優選地，步驟二中的所述第一至三段的所述切割段的總長度為90至110納米。

優選地，步驟二中減少第一至二段的所述切割端的長度至目標長度。

優選地，步驟二中的所述減少后的切割段長度不能太小，步驟三中形成修正后版圖需要滿足掩模版制造精度。

優選地，步驟二中的所述二維圖形不影響所述一維線圖形的關鍵尺寸。

如上所述，本發明的改善電鍍填孔能力的光學鄰近修正方法，具有以下有益效果：