[發明專利]可單端也可差分應用的衰減器

在審

• 申請號: 202310423608.4
• 申請日: 2023-04-19
• 公開（公告）號: CN116470887A
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 陳明輝;季曉燕;韓正祥
• 申請（專利權）人: 北京均微電子科技有限責任公司
• 主分類號: H03K5/02
• 分類號: H03K5/02
• 代理公司: 北京華專卓海知識產權代理事務所(普通合伙) 11664
• 代理人: 張繼鑫

本公開的實施例提供了一種可單端也可差分應用的衰減器；應用于電子電路設計技術領域。所述衰減器包括第一對地電阻陣列模塊、第二對地電阻陣列模塊、第三對地電阻陣列模塊、第四對地電阻陣列模塊、第一開關電阻陣列模塊、第二開關電阻陣列模塊、第一電容C1、第二電容C2、正輸入節點VINP、負輸入節點VINN、正輸出節點VOUTP、負輸出節點VOUTN。所述衰減器既能單端工作也能差分工作，同時還擴寬了工作頻帶、增大了衰減動態，此外，所述衰減器的插入損耗較小，而且后級可直接接放大器或混頻器，不需要再增加隔直電容，更有利于應用。

技術領域

本公開涉及電子電路設計技術領域，尤其涉及一種可單端也可差分應用的衰減器。

背景技術

以往衰減器方案有兩種，一種用于單端應用，如圖2所示，每個衰減器的結構采用π型或者T型，由電阻和場效應管組成，圖3是π型衰減器的電路圖，圖4是T型衰減器的電路圖，這種衰減器的輸入和輸出端都采用了隔直電容，限制了低頻的應用，6級級聯的插入損耗、自身噪聲系數都比較大，如果要差分使用，必須將原來的規模翻倍，增大了芯片的面積，進而增加了生產成本；另一種用于差分應用，如圖5所示，這種衰減器克服了低頻應用被限制的問題，且插入損耗和自身噪聲系數較小，不會惡化系統的靈敏度，但它必須配合跨阻放大器使用，限制了應用范圍，若要單端使用，需要改變加入其他的控制和改變后級電路結構，極大的增加了系統復雜性。

發明內容

本公開提供了一種可單端也可差分應用的衰減器的電路結構及其工作方法。

根據本公開的第一方面，提供了一種可單端也可差分應用的衰減器的電路結構。該電路包括：

第一對地電阻陣列模塊、第二對地電阻陣列模塊、第三對地電阻陣列模塊、第四對地電阻陣列模塊、第一開關電阻陣列模塊、第二開關電阻陣列模塊、第一電容C1、第二電容C2、正輸入節點VINP、負輸入節點VINN、正輸出節點VOUTP、負輸出節點VOUTN，其中，

第一對地電阻陣列模塊、第二對地電阻陣列模塊、第三對地電阻陣列模塊、第四對地電阻陣列模塊沿順時針方向依次排列；

第一對地電阻陣列模塊的一端連接負輸入節點VINN以及通過第一開關電阻陣列模塊連接第二對地電阻陣列模塊的一端和負輸出節點VOUTN，另一端連接第一電容C1的一端；

第二對地電阻陣列模塊的另一端連接第二電容C2的一端；

第一電容C1、第二電容C2的另一端連接電壓VSS；

負輸入節點VINN、第一對地電阻陣列模塊、第一開關電阻陣列模塊、第二對地電阻陣列模塊、負輸出節點VOUTN分別與正輸入節點VINP、第四對地電阻陣列模塊、第二開關電阻陣列模塊、第三對地電阻陣列模塊、正輸出節點VOUTP關于所述衰減器結構的中心上下對稱；

第一對地電阻陣列模塊、第一電容C1、負輸入節點VINN分別與第二對地電阻陣列模塊、第二電容C2、負輸出節點VOUTN關于所述衰減器結構的中心左右對稱。

在第一方面的一些可實現方式中，第一對地電阻陣列模塊，包括第一對地電阻R1、第二對地電阻R2、第三對地電阻R3、第一MOS管MN1、第二MOS管MN2、第三MOS管MN3；

第二對地電阻陣列模塊，包括對地電阻R1'、對地電阻R2'、對地電阻R3'、MOS管MN1'、MOS管MN2'、MOS管MN3'；

第三對地電阻陣列模塊，包括對地電阻R6'、對地電阻R7'、對地電阻R8'、MOS管MN7'、MOS管MN8'、MOS管MN9'；

第四對地電阻陣列模塊，包括對地電阻R6、對地電阻R7、對地電阻R8、MOS管MN7、MOS管MN8、MOS管MN9。