[發明專利]可單端也可差分應用的衰減器在審
| 申請號： | 202310423608.4 | 申請日： | 2023-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN116470887A | 公開（公告）日： | 2023-07-21 |
| 發明（設計）人： | 陳明輝;季曉燕;韓正祥 | 申請（專利權）人： | 北京均微電子科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H03K5/02 | 分類號： | H03K5/02 |
| 代理公司： | 北京華專卓海知識產權代理事務所(普通合伙) 11664 | 代理人： | 張繼鑫 |
| 地址： | 100080 北京市海淀區高*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 可單端也可差分 應用 衰減器 | ||
1.一種可單端也可差分應用的衰減器，其特征在于，包括：
第一對地電阻陣列模塊、第二對地電阻陣列模塊、第三對地電阻陣列模塊、第四對地電阻陣列模塊、第一開關電阻陣列模塊、第二開關電阻陣列模塊、第一電容C1、第二電容C2、正輸入節點VINP、負輸入節點VINN、正輸出節點VOUTP、負輸出節點VOUTN；
所述第一對地電阻陣列模塊、第二對地電阻陣列模塊、第三對地電阻陣列模塊、第四對地電阻陣列模塊沿順時針方向依次排列；
所述第一對地電阻陣列模塊的一端連接負輸入節點VINN以及通過第一開關電阻陣列模塊連接第二對地電阻陣列模塊的一端和負輸出節點VOUTN，另一端連接第一電容C1的一端；
所述第二對地電阻陣列模塊的另一端連接第二電容C2的一端；
所述第一電容C1、第二電容C2的另一端連接電壓VSS；
所述負輸入節點VINN、第一對地電阻陣列模塊、第一開關電阻陣列模塊、第二對地電阻陣列模塊、負輸出節點VOUTN分別與正輸入節點VINP、第四對地電阻陣列模塊、第二開關電阻陣列模塊、第三對地電阻陣列模塊、正輸出節點VOUTP關于所述衰減器結構的中心上下對稱；
所述第一對地電阻陣列模塊、第一電容C1、負輸入節點VINN分別與第二對地電阻陣列模塊、第二電容C2、負輸出節點VOUTN關于所述衰減器結構的中心左右對稱。
2.根據權利要求1所述的衰減器，其特征在于，
所述第一對地電阻陣列模塊，包括
第一對地電阻R1、第二對地電阻R2、第三對地電阻R3、第一MOS管MN1、第二MOS管MN2、第三MOS管MN3；
所述第二對地電阻陣列模塊，包括
對地電阻R1'、對地電阻R2'、對地電阻R3'、MOS管MN1'、MOS管MN2'、MOS管MN3'；
所述第三對地電阻陣列模塊，包括
對地電阻R6'、對地電阻R7'、對地電阻R8'、MOS管MN7'、MOS管MN8'、MOS管MN9'；
所述第四對地電阻陣列模塊，包括對地電阻R6、對地電阻R7、對地電阻R8、MOS管MN7、MOS管MN8、MOS管MN9。
3.根據權利要求1所述的衰減器，其特征在于，
所述第一開關電阻陣列模塊，包括
第一柵極電阻RG1、第二柵極電阻RG2、第三柵極電阻RG3、第一襯底電阻RB1、第二襯底電阻RB2、第三襯底電阻RB3、第四電阻R4、第五電阻R5、第四MOS管MN4、第五MOS管MN5、第六MOS管MN6；
所述第二開關電阻陣列模塊，包括
柵極電阻RG1'、柵極電阻RG2'、柵極電阻RG3'、襯底電阻RB1'、襯底電阻RB2'、襯底電阻RB3'、電阻R4'、電阻R5'、MOS管MN4'、MOS管MN5'、MOS管MN6'。
4.根據權利要求1、2所述的衰減器，其特征在于，所述第一對地電阻陣列模塊的連接方式包括：
所述第一MOS管MN1、第二MOS管MN2、第三MOS管MN3的柵極連接0伏電壓或者電壓VDD，源極連接第一電容C1的一端，漏極分別連接第一對地電阻R1、第二對地電阻R2、第三對地電阻R3的一端；
所述第一對地電阻R1、第二對地電阻R2、第三對地電阻R3的另一端連接負輸入節點VINN和第一開關電阻陣列模塊的一端；
第二對地電阻陣列模塊、第三對地電阻陣列模塊、第四對地電阻陣列模塊的連接方式與所述第一對地電阻陣列模塊的連接方式相同。
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