[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310417511.2
• 申請(qǐng)日: 2023-04-13
• 公開（公告）號(hào): CN116404031A
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊杰;楊航
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 黃溪;臧建明

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于解決半導(dǎo)體器件功耗大的問題，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底，襯底包括多個(gè)間隔設(shè)置的有源區(qū)；有源區(qū)中具有源極和漏極，源極和漏極之間具有柵極，柵極下方有溝道區(qū)；源極和漏極均包括摻雜區(qū)，源極的摻雜區(qū)和漏極的摻雜區(qū)沿柵極的中軸線對(duì)稱設(shè)置；各摻雜區(qū)包括第一子摻雜區(qū)、第二子摻雜區(qū)和第三子摻雜區(qū)，第一子摻雜區(qū)、第二子摻雜區(qū)和第三子摻雜區(qū)由頂部至底部依次設(shè)置，第三子摻雜區(qū)靠近溝道區(qū)的一端向第一子摻雜區(qū)延伸并與第一子摻雜區(qū)連接；其中，第一子摻雜區(qū)和第三子摻雜區(qū)的摻雜濃度大于第二子摻雜區(qū)的摻雜濃度。本申請(qǐng)能夠減小PN結(jié)的反偏漏電流，從而減小半導(dǎo)體器件的功耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體器件制造技術(shù)的飛速發(fā)展，在半導(dǎo)體集成電路中應(yīng)用有大量的MOS晶體管(Metal?Oxide?Semiconductor?Field?Effect?Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

相關(guān)技術(shù)中，為了提高M(jìn)OS晶體管的性能，襯底中通常會(huì)通過摻雜工藝進(jìn)行離子摻雜，例如，在P型半導(dǎo)體中進(jìn)行N型摻雜形成NMOS晶體管，在N型半導(dǎo)體中進(jìn)行P型摻雜形成PMOS晶體管，而在摻雜界面處會(huì)形成PN結(jié)。

然而，相關(guān)技術(shù)中，以NMOS晶體管為例，當(dāng)晶體管中的漏極接高電位，而襯底接低電位時(shí)，則PN結(jié)處存在漏電現(xiàn)象，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的功耗較大的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，能夠減小PN結(jié)的漏電現(xiàn)象，從而能夠減小半導(dǎo)體器件的功耗，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例提供如下技術(shù)方案：

本申請(qǐng)實(shí)施例第一方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

襯底，所述襯底包括多個(gè)間隔設(shè)置的有源區(qū)；所述有源區(qū)中具有源極和漏極，所述源極和所述漏極之間具有柵極，所述柵極下方具有溝道區(qū)；

所述源極和所述漏極均包括摻雜區(qū)，所述源極的所述摻雜區(qū)與所述漏極的所述摻雜區(qū)沿所述柵極的中軸線對(duì)稱設(shè)置；

各所述摻雜區(qū)包括第一子摻雜區(qū)、第二子摻雜區(qū)和第三子摻雜區(qū)，所述第一子摻雜區(qū)、所述第二子摻雜區(qū)和所述第三子摻雜區(qū)沿所述襯底的厚度方向由頂部至底部依次設(shè)置，且所述第三子摻雜區(qū)靠近所述溝道區(qū)的一端向所述第一子摻雜區(qū)延伸并與所述第一子摻雜區(qū)連接；

其中，所述第一子摻雜區(qū)和所述第三子摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第二子摻雜區(qū)的摻雜濃度。

作為一種可選的實(shí)施方式，所述第一子摻雜區(qū)、所述第二子摻雜區(qū)和所述第三子摻雜區(qū)的摻雜類型相同。

作為一種可選的實(shí)施方式，所述第一子摻雜區(qū)和/或所述第三子摻雜區(qū)的摻雜濃度為1x10¹⁹cm^-3～1x10²¹cm^-3；

和/或，

所述第二子摻雜區(qū)的摻雜濃度為1x10¹⁶cm^-3～1x10¹⁸cm^-3。

作為一種可選的實(shí)施方式，

所述第一子摻雜區(qū)沿所述襯底的厚度方向的深度為45nm～55nm；

和/或，所述第二子摻雜區(qū)沿所述襯底的厚度方向的深度為50nm～90nm；

和/或，所述第三子摻雜區(qū)沿所述襯底的厚度方向的深度為50nm～105nm。