[發明專利]半導體結構及其制備方法在審
| 申請號： | 202310417511.2 | 申請日： | 2023-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN116404031A | 公開（公告）日： | 2023-07-07 |
| 發明（設計）人： | 楊杰;楊航 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 黃溪;臧建明 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底包括多個間隔設置的有源區；所述有源區中具有源極和漏極，所述源極和所述漏極之間具有柵極，所述柵極下方具有溝道區；
所述源極和所述漏極均包括摻雜區，所述源極的所述摻雜區與所述漏極的所述摻雜區沿所述柵極的中軸線對稱設置；
各所述摻雜區包括第一子摻雜區、第二子摻雜區和第三子摻雜區，所述第一子摻雜區、所述第二子摻雜區和所述第三子摻雜區沿所述襯底的厚度方向由頂部至底部依次設置，且所述第三子摻雜區靠近所述溝道區的一端向所述第一子摻雜區延伸并與所述第一子摻雜區連接；
其中，所述第一子摻雜區和所述第三子摻雜區的摻雜濃度大于所述第二子摻雜區的摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一子摻雜區、所述第二子摻雜區和所述第三子摻雜區的摻雜類型相同。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一子摻雜區和/或所述第三子摻雜區的摻雜濃度為1x1019cm-3～1x1021cm-3；
和/或，
所述第二子摻雜區的摻雜濃度為1x1016cm-3～1x1018cm-3。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述第一子摻雜區沿所述襯底的厚度方向的深度為45nm～55nm；
和/或，
所述第二子摻雜區沿所述襯底的厚度方向的深度為50nm～90nm；
和/或，所述第三子摻雜區沿所述襯底的厚度方向的深度為50nm～105nm。
5.根據權利要求1-3中任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述第一子摻雜區在所述襯底上的投影和所述第三子摻雜區在所述襯底上的投影分別與其對應的所述摻雜區在所述襯底上的投影重合；
且所述第二子摻雜區在所述襯底上的投影面積小于所述第一子摻雜區在所述襯底上的投影面積。
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第二子摻雜區在所述襯底上的投影面積為所述第一子摻雜區在所述襯底上的投影面積的3/4～4/5。
7.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底中形成有多個間隔設置的有源區；
在所述有源區中形成源極和漏極，所述源極和所述漏極之間形成柵極，所述柵極下方形成溝道區；
所述源極和所述漏極中分別形成有摻雜區，所述源極的所述摻雜區與所述漏極的所述摻雜區沿所述柵極的中軸線對稱設置；
對各所述摻雜區進行摻雜，以在各所述摻雜區形成摻雜濃度不同的第一子摻雜區、第二子摻雜區和第三子摻雜區，所述第一子摻雜區、所述第二子摻雜區和所述第三子摻雜區沿所述襯底的厚度方向由頂部至底部依次設置；且所述第三子摻雜區靠近所述溝道區的一端向所述第一子摻雜區延伸并與所述第一子摻雜區連接；
其中，所述第一子摻雜區和所述第三子摻雜區的摻雜濃度大于所述第二子摻雜區的摻雜濃度。
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