[發明專利]電子電路用超薄壓延光箔加工工藝在審
| 申請號： | 202310369420.6 | 申請日： | 2023-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN116371920A | 公開（公告）日： | 2023-07-04 |
| 發明（設計）人： | 曹衛建;王寶忠;張西良;劉洪昌;趙國天 | 申請（專利權）人： | 江蘇亨通精密銅業有限公司 |
| 主分類號： | B21B1/40 | 分類號： | B21B1/40;C22F1/08;C21D9/46;C21D9/52;C23G5/024;C23G5/04;C21D9/673;C21D9/68;B21B15/00 |
| 代理公司： | 蘇州大成君合知識產權代理事務所(普通合伙) 32547 | 代理人： | 張伯坤 |
| 地址： | 215234 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子電路 超薄 壓延 加工 工藝 | ||
1.電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：
將厚度為0.15mm-0.2mm的銅帶通過多道次軋制至厚度為6μm-20μm的第一光箔；
所述第一光箔通過兩道碳氫脫脂劑溶液進行清洗；
清洗后的所述第一光箔進行干燥；
干燥后的所述第一光箔經除皺輥后進行收卷，所述除皺輥的兩端對稱設置第一斜紋輥面和第二斜紋輥面；
所述第一光箔進行罩式退火得到第二光箔。
2.如權利要求1所述的電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，所述多道次軋制的軋制道次為6次-10次。
3.如權利要求1所述的電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，所述罩式退火的熱處理溫度為200℃-350℃，升溫3h-6h，保溫5h-12h；退火后水冷至室溫。
4.如權利要求1所述的電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，所述第一斜紋輥面和第二斜紋輥面的寬度分別為10mm-50mm。
5.如權利要求2所述的電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，所述第一斜紋輥面和第二斜紋輥面的斜紋延長相交后呈V型。
6.如權利要求1-5任一所述的電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，所述第一光箔經過沿高度方向交錯設置的第一排導輥及第二排導輥進行干燥，所述第一排導輥的導輥數量比所述第二排導輥的導輥數量多一；
所述第一光箔自所述第一排導輥導入并穿梭于所述第一排導輥和所述第二排導輥，基材自所述第一排導輥導出。
7.如權利要求6所述的電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，所述第一排導輥包括第一上導輥、第二上導輥、第三上導輥和第四上導輥；所述第二排導輥包括第一下導輥、第二下導輥和第三下導輥。
8.如權利要求7所述的電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，所述第一排導輥和所述第二排導輥均為主動輥。
9.如權利要求6所述的電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，所述第一光箔進行清洗、干燥及收卷時牽引張力為200N-500N。
10.如權利要求6所述的電子電路用超薄壓延光箔加工工藝，其特征在于，所述第一光箔進行清洗的線速度為30m/min-60m/min。
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