[發(fā)明專利]一種制作芯片的方法及芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310369310.X | 申請日: | 2023-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN116092948A | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙作明;華菲 | 申請(專利權(quán))人: | 北京華封集芯電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/538;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 高英英 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制作 芯片 方法 | ||
本發(fā)明實施例提供一種制作芯片的方法及芯片,該方法包括以下步驟:S1,提供各自內(nèi)置有再分布導(dǎo)線的基板和有機連接橋;S2,在所述基板的表面上放置所述有機連接橋;S3,將至少兩個裸芯片固定在所述基板上,其中每個裸芯片的引腳與所述基板和所述有機連接橋上的連接點均相連;S4,對所述裸芯片與所述連接橋連接進行保護。該方法使用有機材料制備連接橋,減少了連接橋上的應(yīng)力,從而提高了芯片的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片領(lǐng)域,具體地涉及一種制作芯片的方法及芯片。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中,通常采用嵌入硅橋(EMIB)將小的制備在硅基底上的無源橋芯片嵌入在基板內(nèi)部,成為了基板的一部分,用于連接多個子芯片。該工藝制作復(fù)雜,需要在基板的制作過程中放入硅橋,且在制作過程中,由于硅橋中硅的熱脹系數(shù)較小而基板材料的熱脹系數(shù)較大,一般基板的熱脹系數(shù)為硅橋熱脹系數(shù)的6倍以上,在升溫降溫過程中會產(chǎn)生較大的應(yīng)力,這將會導(dǎo)致硅橋連接到表面子芯片的銅穿孔連接斷裂或介電層分層。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的目的是提供一種制作芯片的方法及芯片,該方法減少了連接橋上的應(yīng)力,從而提高了芯片的可靠性。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實施例提供一種制作芯片的方法,該方法包括以下步驟:S1,提供各自內(nèi)置有再分布導(dǎo)線且外置有連接點的基板和有機連接橋;S2,在所述基板的表面上放置所述有機連接橋;S3,將至少兩個裸芯片固定在所述基板上,其中每個裸芯片的引腳與所述基板和所述有機連接橋上的連接點均相連;S4,對所述裸芯片的引腳與所述基板和所述有機連接橋上的連接點進行保護。
可選的,針對步驟S1,提供所述有機連接橋包括:S21:提供載板,所述載板包括第一部分和第二部分,所述第一部分為所述載板一側(cè)的外邊緣,所述第二部分為所述外邊緣界定的該側(cè)平面;S22:對所述第一部分添加剝離膠,對所述第二部分添加金屬膜,并對剝離膠進行固化;S23:在金屬膜的表面添加介電層;S24:在所述介電層上制備再分布導(dǎo)線層;S25:去除當(dāng)前的所述第一部分,當(dāng)前所述第一部分至少包括附著在上面的剝離膠;以及,S26:剝落當(dāng)前的所述第二部分,切割形成有機連接橋。
可選的,針對步驟S2,在所述基板的所述表面上開槽以內(nèi)嵌所述有機連接橋,或者在所述基板的所述表面上直接貼裝所述有機連接橋。
可選的,所述基板的開槽的深度范圍為5-30微米。
可選的,針對步驟S4,通過塑封壓模和/或底部填充對所述裸芯片的引腳與所述連接橋的連接進行保護。
可選的,針對步驟S3,通過在所述基板的表面上以及所述有機連接橋上設(shè)有連接點來使得所述裸芯片通過相應(yīng)焊點分別與所述基板和所述有機連接橋連接。
可選的,?所述有機連接橋與所述基板的介電材料均為有機材料,且所述基板與有機連接橋的熱脹系數(shù)相匹配。
本發(fā)明還提出一種芯片,該芯片包括:基板及設(shè)置在所述基板的表面的有機連接橋,其中所述基板和所述有機連接橋各自內(nèi)置有再分布導(dǎo)線且外置有連接點;以及固定在所述基板的所述表面的至少兩個裸芯片,其中每個裸芯片引腳與所述基板和所述有機連接橋上的連接點均相連。
可選的,所述有機連接橋設(shè)于所述基板的一側(cè)的開槽內(nèi),或,所述有機連接橋貼裝于所述基板的一側(cè)。
可選的,所述基板的開槽的深度范圍為5-30微米。
本發(fā)明實施例的方法使得芯片之間通過有機連接橋傳輸信號,該有機連接橋與基板熱脹系數(shù)匹配,不會有熱脹產(chǎn)生的應(yīng)力,從而提高了芯片的可靠性。
本發(fā)明實施例的其它特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。
附圖說明
附圖是用來提供對本發(fā)明實施例的進一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與下面的具體實施方式一起用于解釋本發(fā)明實施例,但并不構(gòu)成對本發(fā)明實施例的限制。在附圖中:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





