[發明專利]一種制作芯片的方法及芯片在審
| 申請號: | 202310369310.X | 申請日: | 2023-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN116092948A | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發明(設計)人: | 趙作明;華菲 | 申請(專利權)人: | 北京華封集芯電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/538;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 高英英 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制作 芯片 方法 | ||
1.一種制作芯片的方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
S1:提供各自內置有再分布導線且外置有連接點的基板和有機連接橋;
S2:在所述基板的表面上放置所述有機連接橋;
S3:將至少兩個裸芯片固定在所述基板上,其中每個裸芯片的引腳與所述基板和所述有機連接橋上的連接點均相連;
S4:對所述裸芯片與所述連接橋的連接進行保護。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,針對步驟S1,提供所述有機連接橋包括:
S21:提供載板,所述載板包括第一部分和第二部分,所述第一部分為所述載板一側的外邊緣,所述第二部分為所述外邊緣界定的該側平面;
S22:對所述第一部分添加剝離膠,對所述第二部分添加金屬膜,并對剝離膠進行固化;
S23:在金屬膜的表面添加介電層;
S24:在所述介電層上制備再分布導線層;
S25:去除當前的所述第一部分,當前所述第一部分至少包括附著在上面的剝離膠;以及
S26:剝落當前的所述第二部分,切割形成有機連接橋。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
針對步驟S2,在所述基板的所述表面上開槽以內嵌所述有機連接橋,或者在所述基板的所述表面上直接貼裝所述有機連接橋。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,
所述基板的開槽的深度范圍為5-30微米。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
針對步驟S4,通過塑封壓模和/或底部填充對所述裸芯片與所述連接橋的連接進行保護。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
針對步驟S3,通過在所述基板的表面上以及所述有機連接橋上設有連接點來使得所述裸芯片通過相應焊點分別與所述基板和所述有機連接橋連接。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述有機連接橋與所述基板的介電材料均為有機材料,且所述基板與所述有機連接橋的熱脹系數相匹配。
8.一種芯片,其特征在于,該芯片包括:
基板及設置在所述基板的表面的有機連接橋,其中所述基板和所述有機連接橋各自內置有再分布導線;以及
固定在所述基板的所述表面的至少兩個裸芯片,其中每個裸芯片引腳與所述基板和所述有機連接橋上的連接點均相連。
9.根據權利要求8所述的芯片,其特征在于,
所述有機連接橋設于所述基板的一側的開槽內,或,
所述有機連接橋貼裝于所述基板的一側。
10.根據權利要求8所述的芯片,其特征在于,
所述基板的開槽的深度范圍為5-30微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





